解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法技术

本发明专利技术公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离，采用较薄的下层光刻胶作为底胶，以保证足够的底切和精确度较高的线宽；采用较短的曝光时间，减少了曝光过程中的干涉衍射现象带来的图形边缘扭曲问题；用氧等离子体清洗可以有效去除显影残留的光刻胶，保证图案的平直度，也有利于后续的去胶过程；较低温度的镀膜工艺可以保证光刻胶在镀膜过程中保持原有形貌；用专门的剥离胶去胶液加热辅助去胶，确保光刻胶完全剥离。

【技术实现步骤摘要】
解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法
本专利技术涉及半导体制备领域，特别涉及一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法。
技术介绍
在半导体器件制备工艺集成
，要制备具有垂直结构的小尺寸优良器件或者进行平面结构器件的三维集成制作，都要求制备得到没有金属毛刺凸起的金属电极和无半导体或绝缘体凸起的中间介质层材料，尤其在cross-bar结构器件领域，三层金属-半导体-金属结构的小器件的制备工艺都需要采用光刻的方法进行制备，单层光刻胶的使用会造成镀电极去胶后存在金属毛刺及很难去胶的问题。如如图1所示，图1中上半部分为光刻胶形貌，下半部分为镀电极形貌，金属毛刺的存在使得小尺寸垂直器件上下电极连通，使得器件损坏；而在制备中间介质层时若存在介质层毛刺问题也会增加器件的线电阻影响器件性能；要实现三维集成，顶电极同样不能存在金属毛刺。若光刻胶去除不干净则会使器件线电阻很大，影响器件的性能。因此，制备去胶干净没有毛刺的电极和介质层材料是非常关键的。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种工艺简单、安全可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：下层光刻胶的匀胶：将需要光刻图案化的基片放于匀胶机上，滴附第一层光刻胶作为下层光刻胶，进行甩胶；/n步骤二：下层光刻胶的烘烤：将甩完第一层光刻胶的基片放在热板上烘烤，完成下层光刻胶的涂附和固化；/n步骤三：上层光刻胶的匀胶：将甩完第一层光刻胶的基片进行第二层光刻胶的匀胶过程；/n步骤四：上层光刻胶的烘烤：将涂附完两层光刻胶的基片放在热板上进行烘烤，完成上层光刻胶的涂附和固化；/n步骤五：光刻胶曝光：在图形化光刻板的遮挡下，对上层光刻胶进行曝光；/n步骤六：光刻胶显影：用显影液进行光刻胶显影，被曝光部分...

【技术特征摘要】
1.一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：下层光刻胶的匀胶：将需要光刻图案化的基片放于匀胶机上，滴附第一层光刻胶作为下层光刻胶，进行甩胶；
步骤二：下层光刻胶的烘烤：将甩完第一层光刻胶的基片放在热板上烘烤，完成下层光刻胶的涂附和固化；
步骤三：上层光刻胶的匀胶：将甩完第一层光刻胶的基片进行第二层光刻胶的匀胶过程；
步骤四：上层光刻胶的烘烤：将涂附完两层光刻胶的基片放在热板上进行烘烤，完成上层光刻胶的涂附和固化；
步骤五：光刻胶曝光：在图形化光刻板的遮挡下，对上层光刻胶进行曝光；
步骤六：光刻胶显影：用显影液进行光刻胶显影，被曝光部分被显影液洗掉，未曝光部分的光刻胶被保留下来；
步骤七：等离子体清洗：将显影后的带光刻胶的基片放入等离子体清洗机中进行清洗，去除显影残留的光刻胶，使基片上的光刻胶图形平直清晰；
步骤八：镀电极/薄膜：用低温镀膜工艺在形成图案化的基片上进行镀膜；
步骤九：光刻胶的剥离：采用去胶液辅以加热进行光刻胶的剥离工艺，完成LIFT-OFF工艺。


2.根据权利要求1所述的解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，其特征在于：所述步骤一中，第一层光刻胶的厚度为240±5nm；所述步骤三中，第二层光刻胶的厚度为480±5nm。


3.根据权利要求1所述的解决光刻工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐明华，王薇，刘玉林，李刚，李正，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43