半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成第一侧墙；去除所述牺牲层；在相邻的所述第一侧墙之间填充第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙顶部；刻蚀所述第一侧墙至所述基底表面，形成若干分立的第二侧墙；以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述基底。上述形成方法能够提高刻蚀基底后形成的刻蚀图形的准确性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体器件尺寸的不断减小，为了提高器件的集成度，提出了双重图形化工艺。双重图形化技术只需要对现有的光刻基础设施进行很小的改动，就可以有效地填补更小节点的光刻技术空白，改进相邻半导体图形之间的最小间距(pitch)，从而获得特征尺寸更小，密度更高的图形。双重图形化技术的原理是将一套高密度的图形分解成两套分立的、密度低一些的图形，然后将它们制备到晶圆上。现有技术的双重图形化技术主要有：自对准双重图形化(SADP：Self-AlignedDouble-Patterning)、二次光刻和刻蚀工艺(LELE：Litho-Eth-Litho-Eth)。由于自对准双重图形化工艺(SADP)更为简单，成本更低，因此，在半导体器件的形成工艺中多采用自对准双重图形化工艺。在现有技术的双重图形化方法中，请参考图1a，在衬底100表面的目标层101上形成图形化的牺牲层102，在牺牲层102的侧壁表面形成侧墙103；请参考图1b，去除所述牺牲层102，获得多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底表面形成图形化牺牲层；/n在所述牺牲层侧壁表面形成第一侧墙；/n去除所述牺牲层；/n在相邻的所述第一侧墙之间填充第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙顶部；/n刻蚀所述第一侧墙至所述基底表面，形成若干分立的第二侧墙；/n以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述基底。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底表面形成图形化牺牲层；
在所述牺牲层侧壁表面形成第一侧墙；
去除所述牺牲层；
在相邻的所述第一侧墙之间填充第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙顶部；
刻蚀所述第一侧墙至所述基底表面，形成若干分立的第二侧墙；
以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述基底。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙顶部平坦。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性刻蚀工艺或各向异性刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一侧墙时，所述第一侧墙与所述第二侧墙的刻蚀选择比大于5：1。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙包括第一子侧墙和位于所述第一子侧墙顶部的第二子侧墙，所述第一子侧墙的宽度均匀性大于所述第二子侧墙的宽度均匀性。


6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙远离所述牺牲层一侧的侧壁为弧形；且所述第二子侧墙的弧形侧壁的曲率大于所述第一子侧墙的弧形侧壁的曲率。


7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的高度等于或小于所述第一子侧墙的高度。


8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻第二侧墙之间的间距相同。


9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底以及位于所述衬底表面的目标层；以所述第二侧墙为掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：董鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34