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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成第一侧墙；去除所述牺牲层；在相邻的所述第一侧墙之间填充第二侧墙，所述第二侧...
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