半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：对所述初始侧墙进行改性处理，在所述初始侧墙的顶部表面和侧壁表面形成过渡层；采用原子层刻蚀工艺去除所述过渡层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的进步，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，现有技术中采用了许多不同的方法以减小特征尺寸(CD)，达到增加半导体芯片集成密度的目的，包括使用自对准双重成像技术(Self-Aligned-Double-Patterning，SADP)、自对准四重成像技术(Self-Aligned-QuadraPatterning，SAQP)。自对准双重成像技术及自对准四重成像技术都实现了空间图形密度的倍增。然而，由于自对准双重成像技术及自对准四重成像技术的制造工艺限制，降低了半导体器件的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层；/n在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；/n对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：/n对所述初始侧墙进行改性处理，使所述初始侧墙的顶部表面和侧壁表面形成过渡层；/n采用原子层刻蚀工艺去除所述过渡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层；
在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；
对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：
对所述初始侧墙进行改性处理，使所述初始侧墙的顶部表面和侧壁表面形成过渡层；
采用原子层刻蚀工艺去除所述过渡层。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始侧墙表面具有第一粗糙度；所述侧墙具有第二粗糙度，且所述第一粗糙度大于第二粗糙度。


3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始侧墙的顶部具有顶角，所述侧墙的顶部具有圆角。


4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理工艺为等离子体处理工艺。


5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始侧墙的材料为氮化硅，所述改性处理工艺采用的气体包括：氧气。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺参数包括：采用的气体包括O2、Ar和C4H6，压强为10毫托～50毫托，所述O2、Ar和C4H6的流量范围均为5标准毫升/分钟～800标准毫升/分钟，射频功率为30瓦～500瓦，偏压功率为10瓦～200瓦。


7.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层刻蚀工艺包括：进行钝化过程；在所述钝化过程之后，进行刻蚀过程。


8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化过程包括：采用钝化气体与所述过渡层表面反应，使至少部分所述过渡层的形成钝化层；所述刻蚀过程包括：采用刻蚀气体与所述钝化层反应，去除所述钝化层。


9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料包括：Si-O-N基团。


10.如权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，纪世良，郑二虎，王彦，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31