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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：对所述初始侧墙进行改性处理，在所述初...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。