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本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离，采用较薄的下层光刻胶作为底胶...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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