存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：程序化可复写式非易失性存储器模块中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元；以及施加电子脉冲至所述可复写式非易失性存储器模块的至少一字线，其中所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元，所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元，且所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。藉此，可提升存储单元的数据保存能力和/或数据抹除效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种存储器控制技术，且尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。可复写式非易失性存储器模块中的存储单元是通过将电荷注入存储单元中以达到存储数据的目的。但是，注入至存储单元的电荷可能会随着数据存储时间增加、数据存取操作增加和/或温度变化而流失，从而导致后续读取数据时的解码难度上升。此外，流失的电荷也可能在后续对存储单元进行抹除时与抹除电压产生对抗，从而导致存储单元的抹除效率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提升存储单元的数据保存能力和/或数据抹除效率。本专利技术的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元，且所述存储器控制方法包括：程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元；以及施加电子脉冲至所述可复写式非易失性存储器模块的至少一字线，其中所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元，所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元，且所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，施加所述电子脉冲至所述至少一字线的步骤包括：施加带有正电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：每经过一时间间隔，重复执行施加所述电子脉冲至所述至少一字线的步骤。在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：获得所述可复写式非易失性存储器模块的温度；以及根据所述温度调整所述时间间隔。在本专利技术的一范例实施例中，施加所述电子脉冲至连接至所述至少一字线的步骤包括：施加带有负电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器控制方法还包括：在施加所述电子脉冲至所述至少一字线后，抹除所述多个第二存储单元。本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以发送写入指令序列以指示程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元。所述可复写式非易失性存储器模块用以施加电子脉冲至至少一字线。所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元。所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元。所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，所述可复写式非易失性存储器模块用以：每经过一时间间隔，重复执行施加所述电子脉冲至所述至少一字线的操作。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元更用以：获得所述可复写式非易失性存储器模块的温度；以及根据所述温度调整所述时间间隔。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元更用以：在施加所述电子脉冲至所述至少一字线后，发送抹除指令序列以指示抹除所述多个第二存储单元。本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以发送写入指令序列以指示程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元。所述存储器管理电路更用以发送特殊控制指令以指示施加电子脉冲至所述可复写式非易失性存储器模块的至少一字线。所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元。所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元。所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，施加所述电子脉冲至所述至少一字线的操作包括：施加带有正电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路更用以：每经过一时间间隔，重复发送所述特殊控制指令。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路更用以：获得所述可复写式非易失性存储器模块的温度；以及根据所述温度调整所述时间间隔。在本专利技术的一范例实施例中，施加所述电子脉冲至连接至所述至少一字线的操作包括：施加带有负电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路更用以：在施加所述电子脉冲至所述至少一字线后，发送抹除指令序列以指示抹除所述多个第二存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，所述电子脉冲用以改变所述多个第二存储单元的至少其中之一的穿遂氧化层中的电子数。在本专利技术的一范例实施例中，所述多个第二存储单元包括所述第一实体抹除单元中的所有存储单元。基于上述，在程序化所述第一实体抹除单元中的多个第一存储单元后，一个电子脉冲可被施加至可复写式非易失性存储器模块的至少一字线上。所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元。所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元。特别是，所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。藉此，可提升存储单元的数据保存能力和/或数据抹除效率。附图说明图1是根据本专利技术的一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；图2是根据本专利技术的一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图；图3是根据本专利技术的一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；图4是根据本专利技术的一范例实施例所示出的存储器存储装置的概要方块图；图5A是根据本专利技术的一范例实施例所示出的存储单元阵列的示意图；图5B是根据本专利技术的一范例实施例所示出的存储单元的示意图；图5C是根据本专利技术的一范例实施例所示出的可复写式非易失性存储器模块的概要方块图；图6是根据本专利技术的一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图；图7是根据本专利技术的一范例实施例所示出的程序化存储单元的示意图；图8A是根据本专利技术的一范例实施例所示出的施加带有正电压的电子脉冲至存储单元的示意图；图8B是根据本专利技术的一范例实施例所示出的带有正电压的电子脉冲的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元，且所述存储器控制方法包括：/n程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元；以及/n施加电子脉冲至所述可复写式非易失性存储器模块的至少一字线，其中所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元，所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元，且所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元，且所述存储器控制方法包括：
程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元；以及
施加电子脉冲至所述可复写式非易失性存储器模块的至少一字线，其中所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元，所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元，且所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。


2.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中施加所述电子脉冲至所述至少一字线的步骤包括：
施加带有正电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。


3.根据权利要求1所述的存储器控制方法，还包括：
每经过一时间间隔，重复执行施加所述电子脉冲至所述至少一字线的步骤。


4.根据权利要求3所述的存储器控制方法，还包括：
获得所述可复写式非易失性存储器模块的温度；以及
根据所述温度调整所述时间间隔。


5.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中施加所述电子脉冲至连接至所述至少一字线的步骤包括：
施加带有负电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。


6.根据权利要求1所述的存储器控制方法，还包括：
在施加所述电子脉冲至所述至少一字线后，抹除所述多个第二存储单元。


7.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中所述电子脉冲用以改变所述多个第二存储单元的至少其中之一的穿遂氧化层中的电子数。


8.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中所述多个第二存储单元包括所述第一实体抹除单元中的所有存储单元。


9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
连接接口单元，用以连接至主机系统；
可复写式非易失性存储器模块，包括多个实体抹除单元；以及
存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，
其中所述存储器控制电路单元用以发送写入指令序列以指示程序化所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元中的多个第一存储单元，
所述可复写式非易失性存储器模块用以施加电子脉冲至至少一字线，所述至少一字线连接至所述第一实体抹除单元中的多个第二存储单元，所述多个第二存储单元包括经程序化的所述多个第一存储单元，且所述电子脉冲非用以读取、程序化或抹除所述多个第二存储单元。


10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中施加所述电子脉冲至所述至少一字线的操作包括：
施加带有正电压的所述电子脉冲至所述至少一字线。


11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块用以：
每经过一时间间隔，重复执行施加所述电子脉冲至所述至少一字线的操作。


12.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元更用以：

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇翔，林纬，刘安城，刘宇恒，赖淳熙，詹庭鑑，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71