封装结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种封装结构，包括：多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。本发明专利技术实施例提供的封装结构具有较好的强度。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种封装结构。
技术介绍
一些半导体芯片(例如，闪存存储器)已普遍用于数据存储。这些半导体芯片的使用者总期望数据存储容量能不断增长，并且制造者力求以低成本方式提供较大的存储容量，同时保持标准的封装尺寸，以确保与现有电子器件的兼容性。通过在单个封装中堆叠多个半导体裸片(英文可以表达为Die)能提高单个封装中的存储密度。相对于单个裸片，裸片数量的增多会相应地提高存储容量。然而，相关技术中，这种堆叠多个半导体裸片的封装结构强度较差，从而使最终形成的半导体芯片可靠性不佳。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例为解决相关技术中存在的至少一个问题而提供一种封装结构。本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。上述方案中，所述多个裸片包括第一部分、第二部分及第三部分；其中，所述第一部分包含一个裸片，所述第二部分包含至少两个裸片，所述第三部分包含至少两个裸片；所述第二部分和所述第三部分分别在所述第一部分的不同表面上堆叠；所述第二部分相对所述第一部分存在第二方向的偏移；所述第二方向包括与所述第一方向垂直的任一方向；所述第三部分相对所述第一部分存在第三方向的偏移；所述第三方向包括与所述第一方向垂直的任一方向；所述第二方向与所述第三方向相同或不同。上述方案中，所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触；所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移；所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触；所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第j-1个裸片存在所述第三方向的偏移；所述第二方向、第三方向均与所述第一方向垂直，且与所述第一沟槽的延伸方向垂直；和/或，所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触；所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移；所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触；所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第j-1个裸片存在所述第三方向的偏移；所述第二方向、第三方向均与所述第一方向垂直，且与所述第一沟槽的延伸方向相同；其中，所述i、j均为整数，且2≤i≤M、2≤j≤N；所述M为第二部分中包含的裸片的数量，所述N为第三部分中包含的裸片的数量。上述方案中，所述第二部分中的各裸片间偏移的距离均相等；和/或，所述第三部分中的各裸片间偏移的距离均相等。上述方案中，所述第二部分中的各裸片间偏移的距离均为第一距离，所述第三部分中的各裸片间偏移的距离均为第二距离；所述第一距离和所述第二距离相等。上述方案中，所述第二部分中的各裸片均包括沿第一焊边布置的多个第一焊盘；所述第二部分中相邻的两个裸片之间通过相应的第一焊盘连接；所述第三部分中的各裸片均包括沿第二焊边布置的多个第二焊盘；所述第三部分中相邻的两个裸片之间通过相应的第二焊盘连接；所述第一焊边与所述第二焊边不同。上述方案中，所述多个裸片之间通过环氧树脂模塑料(EMC，EpoxyMoldingCompound)进行固定。上述方案中，所述封装结构还包括基底结构；所述多个裸片被固定在所述基底结构上。上述方案中，所述裸片包括三维存储器；所述第一结构包括P阱区；所述第一沟槽包括背面深沟槽隔离(BDTI，BacksideDeepTrenchIsolation)结构。上述方案中，所述第一沟槽中填充有第一材料；所述第一材料的填充率大于预设值。本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。本专利技术实施例中，在对多个分别设置有第一沟槽的裸片进行封装时，通过将多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影设置为不完全重叠来缓解多个第一沟槽在多个堆叠的裸片中的完全重叠而导致应力集中，从而提高了封装结构的强度，进而使最终形成的半导体芯片的可靠性得到了改善。附图说明图1为相关技术中多个裸片的堆叠方式示意图；图2a为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图一；图2b为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图二；图2c为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图三；图3a为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图四；图3b为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图五；图3c为本专利技术实施例提供的封装结构中多个裸片的堆叠方式示意图六；图4为本专利技术实施例提供的利用EMC对封装结构进行塑封的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对专利技术的具体技术方案做进一步详细描述。本专利技术实施例中涉及的裸片是晶圆经过切割测试后没有经过封装的器件，这种裸片上只有用于封装的压焊点(英文可以表达为Pad)，是不能直接应用于实际电路中的。当裸片进行封装形成为半导体芯片后可以直接应用于实际电路中。通过在单个封装中堆叠多个半导体裸片能提高单个封装中的存储密度。相对于单个裸片，裸片数量的增多会相应地提高存储容量。然而，半导体裸片上会设计有一些用于起到隔离作用的第一沟槽，如，在一些NAND型三维存储器中，在形成该NAND型三维存储器的存储单元阵列的晶圆上会设计有BDTI(backsidedeeptrenchisolation)，以作为该晶圆中P阱区(英文可以表达为P-well)的电性隔离。相关技术中，如图1所示，多个裸片堆叠设置，这个裸片中的第一沟槽会集中在封装结构的第一区域(图1中虚线示出的区域)。通过对这种堆叠多个半导体裸片的封装结构的强度进行研究发现，第一沟槽往往成为封装结构的弱点，引起早期的开裂(英文可以表达为EarlyCrack)，从而降低了封装结构的强度。专利技术人发现：在裸片上存在类似BDTI的隔断型沟槽结构，尤其是这些沟槽结构的内部中填充的是空气(英文可以表达为AirGap)时，在对这些裸片直接进行对齐式的堆叠，会使得封装结构中的应力集中在这些沟槽结构对齐的区域，从而导致封装强度的大幅降低。基于此，在本专利技术的各实施例中，在对多个分别设置有第一沟槽的裸片进行封装时，通过将多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影设置为不完全重叠来缓解多个第一沟槽在多个堆叠的裸片中的完全重叠而导致应力集中，从而提高了封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；/n多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；
多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多个裸片包括第一部分、第二部分及第三部分；其中，
所述第一部分包含一个裸片，所述第二部分包含至少两个裸片，所述第三部分包含至少两个裸片；
所述第二部分和所述第三部分分别在所述第一部分的不同表面上堆叠；所述第二部分相对所述第一部分存在第二方向的偏移；所述第二方向包括与所述第一方向垂直的任一方向；所述第三部分相对所述第一部分存在第三方向的偏移；所述第三方向包括与所述第一方向垂直的任一方向；所述第二方向与所述第三方向相同或不同。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触；所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移；所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触；所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第j-1个裸片存在所述第三方向的偏移；所述第二方向、第三方向均与所述第一方向垂直，且与所述第一沟槽的延伸方向垂直；
和/或，
所述第二部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的底面接触；所述第二部分中沿堆叠方向的第i个裸片相对于第i-1个裸片存在所述第二方向的偏移；所述第三部分中沿堆叠方向的第一个裸片与所述第一部分的顶面接触；所述第三部分中沿堆叠方向的第j个裸片相对于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超，沈天尔，苗健，徐齐，锁志勇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42