具有弯曲间隔件的堆叠管芯封装制造技术

本发明专利技术公开了装置和技术，所述装置和技术包括基板、安装在所述基板上的控制器管芯、将所述控制器管芯电连接到所述基板的指状物、邻近所述控制器管芯安装在所述基板上的间隔件以及安装在所述间隔件上的第一存储器管芯。所述第一存储器管芯附接到所述间隔件的顶表面。所述间隔件具有面向所述控制器的弯曲边缘。所述弯曲边缘可具有第一曲线，所述第一曲线包括远离所述控制器延伸的第一曲线顶点、在所述第一曲线顶点的一侧上的第一曲线峰以及在所述第一曲线顶点的相对于所述第一曲线峰的相对侧上的第二曲线峰。附加指状物在与所述第一曲线以及从所述第一曲线峰和所述第二曲线峰延伸的线之间的空间对齐的点处连接所述控制器和所述第一存储器管芯。

【技术实现步骤摘要】
具有弯曲间隔件的堆叠管芯封装
本技术涉及半导体设备组件，并且更具体地，涉及管芯间隔件。
技术介绍
为了将更多存储器适配在小封装中，像其它半导体设备一样，存储器设备使用管芯堆叠。然而，管芯堆叠可对堆叠中较低的管芯施加压力，这可致使管芯破裂。有利的是，减小堆叠中下部管芯上的压力以避免管芯破裂。还有利的是，能够将基板上的相邻管芯定位成彼此更靠近。附图说明图1为存储器系统的示意框图；图2A为具有包括直边缘的间隔件的常规半导体设备的底视图；图2B为图2A的常规半导体设备的横截面侧视图；图2C为图2A的常规半导体设备的顶视图；图3A为具有包括弯曲边缘的间隔件的半导体设备的底视图；图3B为图3A的半导体设备的横截面侧视图；图3C为图3A的半导体设备的顶视图；图3D为具有弯曲边缘的间隔件的多倍放大图；图4A为具有间隔件的半导体设备的底视图，该间隔件包括具有多条曲线的弯曲边缘；图4B为图4A的半导体设备的横截面侧视图；图4C为图4A的半导体设备的顶视图；图4D为半导体设备的另一顶视图；并且图4E为具有弯曲边缘的间隔件的另一示意图。
技术实现思路
本文公开了设备、技术和系统，其包括基板、安装在基板上的控制器、将控制器管芯电连接到基板的至少一个指状物、邻近控制器管芯安装在基板上的间隔件以及安装在间隔件上的第一存储器管芯。间隔件具有面向控制器管芯的第一弯曲边缘。第一弯曲边缘可具有第一曲线，该第一曲线包括远离控制器管芯延伸的第一曲线顶点、位于第一曲线顶点的一侧上的第一曲线峰以及在第一曲线顶点的相对于第一曲线峰的相对侧上的第二曲线峰。至少一个指状物在粘结点处与基板连接，该粘结点与第一曲线以及从第一曲线峰和第二曲线峰延伸的线之间的空间竖直对齐。第一曲线峰和第二曲线峰各自比第一曲线顶点更靠近控制器。间隔件的第一弯曲边缘可包括第二曲线，该第二曲线包括远离控制器延伸的第二曲线顶点、在第二曲线顶点的一侧上的第三曲线峰以及在第二曲线顶点的相对于第三曲线峰的相对侧上的第四曲线峰。具体实施方式所公开的主题的实施方案包括堆叠管芯封装中的间隔件，其中该间隔件具有弯曲边缘，该弯曲边缘具有一条或多条曲线。间隔件位于管芯的堆叠中的基板和底部管芯之间。存储器设备通常包括堆叠的多个存储器管芯。因此，尽管参考具有存储器管芯的堆叠的存储器设备来描述本技术，但对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，本技术通常可应用于半导体封装，而不仅仅是存储器设备。在传统存储器阵列中，非易失性存储器管芯中的裂纹可至少部分地由放置在非易失性存储器管芯和基板之间的间隔件的直边缘(即，非弯曲边缘)处的应力集中引起。本文所公开的实施方案可通过例如沿间隔件的弯曲边缘中的一条或多条曲线分布应力来减少非易失性存储器管芯中的此类裂纹。图1为包括具有适用于实施本文所公开的技术的硬件部件的存储器系统102的系统100的示意图。存储器系统102可为可移除存储器(诸如存储卡)的形式或嵌入式存储器系统的形式。存储器系统102可包括存储器104和控制存储器104的操作的控制器106。存储器104可包括分布在一个或多个集成电路芯片上方的存储器单元(例如，非易失性存储器单元)的一个或多个阵列。控制器106可包括接口电路108、处理器110、协处理器112、ROM(只读存储器)114、可编程非易失性存储器116、RAM(随机存取存储器)118和附加部件，如本领域的技术人员将理解。控制器106可形成为ASIC(专用集成电路)，并且包括在此类ASIC中的部件可取决于特定应用。系统100包括可通过任何类型的主机接口(未示出)与主机120一起操作的存储器系统102。应当理解，系统100和/或系统的任何部件可包括除图1所示的那些部件之外的部件。还应当理解，并非图1的系统100中的所有部件均为实施本文所公开的技术所必需的。关于存储器104，半导体存储器设备包括易失性存储器设备，诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)或静态随机存取存储器(“SRAM”)设备、非易失性存储器设备，诸如电阻式随机存取存储器(“ReRAM”)、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)、闪存存储器(也可被认为是EEPROM的子集)、铁电随机存取存储器(“FRAM”)和磁阻随机存取存储器(“MRAM”)，以及能够存储信息的其它半导体元件。每种类型的存储器设备可具有不同的配置。例如，闪存存储器设备可以NAND配置或NOR配置进行配置。该存储器设备可由无源元件和/或有源元件以任何组合形成。例如，无源半导体存储器元件可包括ReRAM设备元件，该无源半导体存储器元件可包括电阻率切换存储元件诸如反熔丝、相变材料等，以及任选地包括导引元件诸如二极管等。此外，例如，有源半导体存储器元件包括EEPROM和闪存存储器设备元件，该有源半导体存储器元件在一些实施方案中包括具有电荷存储区域的元件，诸如浮栅、导电纳米粒子或电荷存储介电材料。多个存储器元件可被配置为使得它们串联连接或者使得每个元件可被单独访问。以非限制性示例的方式，NAND配置中的闪存存储器设备(NAND存储器)通常包含串联连接的存储器元件。NAND存储器阵列可被配置为使得该阵列由存储器的多个串构成，其中串由共享单个位线并作为组被访问的多个存储器元件构成。另选地，可配置存储器元件，使得每个元件可被单独访问，例如NOR存储器阵列。NAND和NOR存储器配置是示例性的，并且存储器元件能够以其他方式被配置。位于印刷电路板或基板内和/或上方的半导体存储器元件可被布置成两个或三个维度，诸如二维存储器结构或三维存储器结构。在二维存储器结构中，半导体存储器元件可被布置在单个平面或单个存储器设备级中。在二维存储器结构中，存储器元件可被布置在平面中(例如，在x-z方向平面中)，该平面基本上平行于支撑存储器元件的基板的主表面延伸。基板可为存储器元件的层在其上方或之中形成的晶圆，或者其可为在存储器元件形成后附接到其的承载基板。存储器元件可被布置在处于有序阵列中(诸如在多个行和/或列中)的单个存储器设备级中。然而，存储器元件可以非常规配置或非正交配置排列。存储器元件可各自具有两个或更多个电极或接触线，诸如位线和字线。三维存储器阵列可被布置成使得存储器元件占据多个平面或多个存储器设备级，从而形成三个维度(即，在x方向、y方向和z方向上，其中y方向基本上垂直于基板的主表面，并且x方向和z方向基本上平行于基板的主表面)的结构。例如，三维存储器结构可被竖直地布置为多个二维存储器设备级的堆叠。作为另一个示例，三维存储器阵列可被布置为多个竖列(例如，基本上垂直于基板的主表面延伸的列，即，在y方向上)，其中在每一列中每一列均具有多个存储器元件。列可以二维配置例如在x-z平面中布置，从而得到存储器元件的三维布置，其中元件在多个竖直堆叠的存储器平面上。三维存储器元件的其它配置也可构成三维存储器阵列。作为一个示例，在三维NAND存储器阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，所述设备包括：/n基板；/n控制器管芯，所述控制器管芯安装在所述基板上；/n至少一个指状物，所述至少一个指状物将所述控制器管芯电连接到所述基板；/n间隔件，所述间隔件邻近所述控制器管芯安装在所述基板上；以及/n第一存储器管芯，所述第一存储器管芯安装在所述间隔件上，/n其中所述间隔件具有面向所述控制器管芯的第一弯曲边缘，所述第一弯曲边缘具有第一曲线，所述第一曲线包括：/n第一曲线顶点，所述第一曲线顶点远离所述控制器管芯延伸；/n第一曲线峰，所述第一曲线峰位于所述第一曲线顶点的一侧上；以及/n第二曲线峰，所述第二曲线峰在所述第一曲线顶点的相对于所述第一曲线峰的相对侧上。/n

【技术特征摘要】
20191122 US 16/692,6521.一种设备，所述设备包括：
基板；
控制器管芯，所述控制器管芯安装在所述基板上；
至少一个指状物，所述至少一个指状物将所述控制器管芯电连接到所述基板；
间隔件，所述间隔件邻近所述控制器管芯安装在所述基板上；以及
第一存储器管芯，所述第一存储器管芯安装在所述间隔件上，
其中所述间隔件具有面向所述控制器管芯的第一弯曲边缘，所述第一弯曲边缘具有第一曲线，所述第一曲线包括：
第一曲线顶点，所述第一曲线顶点远离所述控制器管芯延伸；
第一曲线峰，所述第一曲线峰位于所述第一曲线顶点的一侧上；以及
第二曲线峰，所述第二曲线峰在所述第一曲线顶点的相对于所述第一曲线峰的相对侧上。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个指状物在粘结点处与所述基板连接，所述粘结点与所述第一曲线以及从所述第一曲线峰和所述第二曲线峰延伸的线之间的空间竖直对齐。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器管芯悬于所述间隔件的所述第一弯曲边缘之上，从而延伸经过所述第一弯曲边缘并朝向所述控制器管芯延伸。


4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一曲线峰和所述第二曲线峰各自比所述第一曲线顶点更靠近所述控制器管芯。


5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一弯曲边缘还包括第二曲线，所述第二曲线包括：
第二曲线顶点，所述第二曲线顶点远离所述控制器管芯延伸；
第三曲线峰；以及
第四曲线峰，所述第四曲线峰在所述第二曲线顶点的相对于所述第三曲线峰的相对侧上。


6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第三曲线峰和所述第四曲线峰各自比所述第二曲线顶点更靠近所述控制器管芯。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个指状物包括焊丝。


8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器管芯用一个或多个焊丝电连接到所述基板。


9.根据权利要求1所述的设备，其中所述间隔件包括与所述第一弯曲边缘相对的第二直边缘。


10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二直边缘与所述第一非易失性存储器管芯的边缘大致齐平。


11.根据权利要求1所述的设备，其中所述间隔件的高度大于所述控制器管芯的高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：KC陈，PY黄，JW徐，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US