本公开一般涉及自旋轨道矩(SOT)磁性隧道结(MTJ)器件，其包括缓冲层、设置在缓冲层上的具有(012)取向的铋锑(BiSb)层、以及设置在BiSb层上的夹层。缓冲层和夹层可以各自独立地为单层材料或多层材料。缓冲层和夹层各自包括共价键合...

一种客户端设备，该客户端设备包括至少一个存储器，该至少一个存储器被配置为至少部分地用作分布式高速缓存中的共享高速缓存。该客户端设备的网络接口被配置为与网络上的一个或多个其他客户端设备进行通信，其中该一个或多个其他客户端设备中的每个客户端...

递归神经网络(RNN)，其中非易失性存储器(NVM)阵列为该RNN提供存储体。该RNN可包括神经图灵机(NTM)，并且该存储体可以是存储在该NVM阵列中的NTM矩阵。在一些示例中，控制该NVM阵列的数据存储设备DSD包括数据存储控制器和...

一种数据存储设备，包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。控制器被配置为将XOR奇偶校验数据存储在主机设备的主机存储器缓冲器(HMB)中，监测存储器设备的健康状况，确定已经达到或超过对应于该存储器设备的一个或多个块的健康状况的阈值...

隧穿磁阻(TMR)器件具有经改进的用于下铁磁层或第一铁磁层的晶种层，从而使两个铁磁层不需要硼。例如RuAl合金等晶种层在沉积在无定形预晶种层上时具有带(001)纹理的B2结晶结构，这意味着(001)平面平行于TMR器件基板的表面。随后沉...

递归神经网络(RNN)，其中非易失性存储器(NVM)阵列为该RNN提供存储体。该RNN可包括神经图灵机(NTM)，并且该存储体可以是存储在该NVM阵列中的NTM矩阵。在一些示例中，控制该NVM阵列的数据存储设备DSD包括数据存储控制器和...

本公开总体上涉及包括具有(012)取向的掺杂铋锑(BiSbE)层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)设备。该设备可包括磁性写入头、读取头或MRAM设备。BiSbE层中的掺杂剂增强(012)取向。可以在织构化层上形成BiSbE层以确...

一种数据存储设备包括具有多个耐久性组的存储器设备，以及耦接到该存储器设备的控制器。控制器包括至少一个解码器或至少一个解码器组。控制器被配置成将多个令牌分配给多个耐久性组中的每个耐久性组，从耐久性组接收令牌的支付以访问至少一个解码器或至少...

本发明提供了一种用于待测设备(DUT)的测试装置，该测试装置包括至少一个进气风门和至少一个排气风门。至少一个风扇使再循环流体和外部流体跨测试装置内部的一个或多个DUT移动。在一个方面，测试装置包括门以提供通向室的入口，并且该门包括至少一...

本发明题为“具有深度学习神经网络的非易失性存储器管芯”。提供了用于使用例如管芯内的阵列下电路部件来实现非易失性存储器(NVM)装置的管芯内的深度学习加速器(DLA)或其他神经网络部件的示例性方法和装置。本文所公开的一些方面涉及配置阵列下...

本文公开了用于控制至少一种分子在具有第一粘度的第一流体中的移动的装置、系统和方法。该系统包括由至少一个流体保持表面限定的流体区域、定位在该流体区域中的场响应流体、以及用于生成跨该流体区域的磁场或电场的场发生器。该流体区域是由该至少一种分...

本文公开了一种热辅助磁记录(HAMR)头的实施方案，该HAMR头包括带有尾端斜面的近场换能器(NFT)。还公开了包括那些HAMR头的滑块和数据存储设备，以及制造带有具有尾端斜面的NFT的HAMR头的方法。一种HAMR头包括：波导芯；主极...

本发明公开了一种热辅助磁记录(HAMR)盘，该HAMR盘有磁记录层(通常为FePt化学有序合金)、位于该记录层下方的种子‑热障层(通常为MgO)、散热层以及位于该散热层和该种子‑热障层之间的交替的等离激元材料和非等离激元材料的光学耦合多...

本发明提供了一种非易失性存储装置，其包括一个或多个存储器管芯组件，每个存储器管芯组件包括位于该存储器管芯组件中的推理电路。该推理电路被配置为使用预训练模型(从该非易失性存储装置外部的源预训练地接收并存储在非易失性存储器中的专用块中)与描...

本公开一般涉及包括拓扑绝缘体(TI)调制层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)器件。TI调制层包括多个铋或富含铋的组分调制层、包括具有(012)晶体取向的BiSb的多个TI薄片层、以及多个织构化层。TI薄片层包含掺杂剂或原子簇，该...

公开了各种装置、系统、方法和介质以提供热辅助磁记录(HAMR)介质。该HAMR介质包括基板、该基板上的散热层以及该散热层上的多个磁记录层。该多个磁记录层包括第一磁层和设置在该第一磁层上的第二磁层。该第二磁层包含FePt‑Ag‑Cu‑X，...

本文公开了用于控制分子通过纳米孔的易位速度的装置、系统和方法。在一些实施方案中，速度控制装置包括至少一个流体保持表面、流体区域、耦合到该流体保持表面并且定位在该流体区域中的场响应流体。在一些实施方案中，系统包括该纳米孔、该速度控制装置和...

一种双磁盘主轴马达硬盘驱动器，其包括：第一部分，该第一部分具有第一主轴马达和安装在该第一主轴马达上并容纳在第一壳体中的第一磁盘介质堆叠；和第二部分，该第二部分具有同轴的第二主轴马达和安装在该同轴的第二主轴马达上并容纳在第二壳体中的第二磁...

存储系统包括一个或多个数据存储设备、耦接到一个或多个数据存储设备的PCIe交换机以及耦接到PCIe交换机的控制器单元。控制器单元包括动态随机存取存储器(DRAM)主机存储器缓冲区(HMB)控制器和DRAM池或控制器存储器缓冲区(CMB)...

一种数据存储设备包括存储器设备以及耦接到该存储器设备的控制器。该控制器被配置为：确定与主机设备的主机存储器缓冲区(HMB)的连接丢失；从存储器设备加载闪存转换层(FTL)表的最新副本；生成FTL表的最新副本的一个或多个更新；以及重新启用...