【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储设备,尤其涉及具有写保护能力的电可擦除和可编程非易失性存储设备。
技术介绍
在现有技术的某些闪速非易失性存储器中,是习惯提供与存储器芯片封装相关联的“写保护”管脚以防止对诸如引导块扇区的某些位置的编程和擦除操作。在闪存设备内的扇区只是存储器阵列本身的简单分区。闪存设备由被分组为许多行和列的存储单元阵列组成。每一行都包括表示多个字节的许多存储单元。大多数闪存阵列的排列都可随后将多个行分组成各自包含数千字节(千字节)扇区或块。将闪存阵列分隔成若干扇区是很普遍的,并且在某些闪存设备中,各扇区的大小还会彼此改变。例如一个8兆位的设备由单个32千字节的扇区、8个4千字节的扇区、单个64千字节的扇区和7个128千字节的扇区组成。在一特定的系统设计中,在阵列内32千字节的第一扇区可被分配用于存储引导代码,而一个更小的4千字节的扇区可分配用于配置数据和参数存储。阵列中一些更大的扇区可用于存储系统的主要程序代码而剩余的扇区可分配用于用户数据的存储。在许多系统设计中,都希望保护这些扇区中的某一些免于无意的或恶意的编程和擦除操作。在上述的实例中,存储引导代 ...
【技术保护点】
一种半导体非易失性存储设备,该设备包括:在多个扇区当中具有扇区保护寄存器的存储器阵列;经由多个管脚与所述存储器阵列连通的接口,所述多个管脚包括写保护(WP#)管脚以及串行输入(SI)管脚和带有多个输入-输出(I/O↓[7-0 ])管脚的并行数据总线中的任何一个或多个,其中所述写保护(WP#)管脚电连接至使用一信号控制所述扇区保护的装置;命令解释装置,该装置使用送入所述命令解释装置的命令来控制扇区保护和所述扇区保护寄存器;以及连接至所述命令解释装置 和所述写保护(WP#)管脚的逻辑装置,该装置用于即刻确定是所述写保护 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-26 60/506,183;US 2004-4-28 10/835,4101.一种半导体非易失性存储设备,该设备包括在多个扇区当中具有扇区保护寄存器的存储器阵列;经由多个管脚与所述存储器阵列连通的接口,所述多个管脚包括写保护(WP#)管脚以及串行输入(SI)管脚和带有多个输入-输出(I/O7-0)管脚的并行数据总线中的任何一个或多个,其中所述写保护(WP#)管脚电连接至使用一信号控制所述扇区保护的装置;命令解释装置,该装置使用送入所述命令解释装置的命令来控制扇区保护和所述扇区保护寄存器;以及连接至所述命令解释装置和所述写保护(WP#)管脚的逻辑装置,该装置用于即刻确定是所述写保护(WP#)管脚还是所述命令解释装置正在控制所述扇区保护。2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述命令经由所述串行输入(SI)管脚送入所述命令解释装置。3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述命令经由所述并行数据总线的多个输入-输出(I/O7-0)管脚送入...
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