进气结构及半导体沉积设备制造技术

本发明专利技术公开一种进气结构及半导体沉积设备，所述半导体沉积设备包括反应腔室和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔、第一进气孔、第二进气孔和送气孔，所述第一进气孔、所述第二进气孔和所述送气孔均与所述混合腔连通，所述第一进气孔和所述第二进气孔均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔与所述反应腔室连通。采用上述实施例公开的进气结构可以解决原子层沉积工艺中，因目前不同时间点通入反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例不同，导致形成的氧化铝等沉积层的厚度不同，封装良品率较低的问题。低的问题。低的问题。

【技术实现步骤摘要】
进气结构及半导体沉积设备


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种进气结构及半导体沉积设备。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，封装过程也越来越重要，通过在晶圆的表面形成钝化层，可以提升晶圆的抗腐蚀性，且可以防止水氧侵入，能够提升晶圆的使用寿命，二氧化硅钝化层已经无法满足目前的封装要求，而氧化铝薄膜层以其致密性好和覆盖率高等特点逐步成为钝化层选材的主流需求。
[0003]目前，制备氧化铝薄膜通常采用原子层沉积的方式，且通过现制现用的方式形成臭氧，以与三甲基铝反应形成氧化铝。由于目前的臭氧发生器的转化比相对较低，制出的产品中为氧气和臭氧的混合气体，且输送管路内不同位置处氧气和臭氧的混合均匀程度不同，导致不同时间点输送至反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例存在较大的偶然性，且反应腔室内不同区域处的氧气和臭氧的比例也不同，造成形成于晶圆上不同位置处的氧化铝沉积层的厚度差异也相对较大，封装良品率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开一种进气结构及半导体沉积设备，以解决因目前不同时间点通入反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进气结构，应用于半导体沉积设备，其特征在于，所述半导体沉积设备包括反应腔室(320)和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔(110)、第一进气孔(120)、第二进气孔(130)和送气孔(140)，所述第一进气孔(120)、所述第二进气孔(130)和所述送气孔(140)均与所述混合腔(110)连通，所述第一进气孔(120)和所述第二进气孔(130)均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔(140)与所述反应腔室(320)连通。2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述送气孔(140)的轴线平行于所述混合腔(110)的轴线；所述第一进气孔(120)和所述第二进气孔(130)均连通于所述混合腔(110)的侧壁，所述侧壁被任一垂直于所述混合腔(110)的轴线的平面所截得的图形均为圆形。3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的进气轴线和所述第二进气孔(130)的进气轴线均位于第一平面上，且所述混合腔(110)的轴线与所述第一平面垂直。4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的进气轴线与所述第二进气孔(130)的进气轴线之间的夹角为90
°
。5.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的侧壁被所述第一平面截得的图形包括第一侧边(121)和第二侧边(122)，所述第一侧边(121)与所述混合腔(110)的侧壁相切，所述第二侧边(122)所在的直线穿过所述混合腔(110)；所述第二进气孔(130)的侧壁被所述第一平面截得的图形包括第三侧边(131)和第四侧边(132)，所述第三侧边(131)与所述混合腔(110)的侧壁相切，所述第四侧边(132)所在的直线穿过所述混合腔(110)。6.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述混合腔(110)为圆台状结构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文强，赵雷超，史小平，兰云峰，秦海丰，纪红，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：