沉积装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种沉积装置和方法，其中，所述装置包括：第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。反应腔室。反应腔室。

【技术实现步骤摘要】
沉积装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种沉积装置及方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件进行沉积工艺处理过程中，沉积的薄膜不仅沉积在晶圆表面，同时也沉积在反应腔室内的任何地方，包括晶圆夹盘、气体喷嘴以及反应腔室的内壁，若不及时清洁反应腔室，将导致反应腔室中的薄膜在这些表面上剥离，引起沉积膜粒子污染，所以清洁反应腔室十分重要。
[0003]相关技术中的沉积装置经常集成了用于清洁反应腔室的远程等离子体子装置。然而，相关技术中的沉积装置存在清洁反应腔室的效果不好、沉积膜质量不佳的问题。

技术实现思路

[0004]为解决相关技术问题，本专利技术实施例提出一种沉积装置和方法，能够达到良好的清洁反应腔室，并形成高质量沉积膜的效果。
[0005]本专利技术实施例提供了一种沉积装置，包括：
[0006]第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，
[0007]所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；
[0008]所述第二气体产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，其特征在于，包括：第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：第一阀门，所述第一阀门设置在第二管路与第三管路交汇前的第二管路上；在进行沉积工艺处理的过程中，通过关闭所述第一阀门，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，通过开启所述第一阀门，以使所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二气体产生子装置还用于产生第三气体，所述第三气体包括惰性气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第二气体产生子装置产生所述第三气体，所述第三气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置产生所述第二气体，产生的第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置产生所述第二气体及第三气体，产生的所述第二气体及第三气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积工艺包括：原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：管路连接器...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱燕华，罗兴安，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：