石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列技术

本申请公开一种石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列。其中，所述石墨烯薄膜的制备方法包括以下步骤：制备填充有金属催化剂的分级多孔二氧化硅薄膜；采用原子层沉积法在所述分级多孔二氧化硅薄膜表面沉积石墨烯；以及去除所述分级多孔二氧化硅薄膜后，得到石墨烯薄膜。本申请的技术方案制备的石墨烯薄膜导电性能较好，可以替代传统ITO材料作为透明电极，广泛应用于薄膜晶体管。广泛应用于薄膜晶体管。广泛应用于薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列


[0001]本申请涉及石墨烯
，特别涉及一种石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列。

技术介绍

[0002]随着电子工业的飞速发展，对低能耗、多功能以及环境友好型电子产品的不断需求，柔性电子器件以其独特的柔韧延展性、高效多功能性以及便携可穿戴性成为了下一代电子工业发展的重要领域，引起人们越来越多的关注。其中晶体管作为许多电子设备驱动部分的放大器和开关，在电子器件中应用很多，故柔性薄膜晶体管也是近几年的一个研究热点。对于柔性薄膜晶体管，传统采用氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)材料作为透明电极，但是ITO材料的导电率较低，这样会使得薄膜晶体管的导电性能差。
[0003]申请内容
[0004]本申请的主要目的是提供一种石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列，旨在使得石墨烯薄膜具有好的导电性能，可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。
[0005]为实现上述目的，本申请提出的石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0006]制备填充有金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备填充有金属催化剂的分级多孔二氧化硅薄膜；采用原子层沉积法在所述分级多孔二氧化硅薄膜表面沉积石墨烯；以及去除所述分级多孔二氧化硅薄膜后，得到石墨烯薄膜。2.如权利要求1所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，制备填充有金属催化剂的分级多孔二氧化硅薄膜的步骤包括：采用溶胶凝胶法制备分级多孔二氧化硅；采用原子层沉积法在所述分级多孔二氧化硅的孔道内沉积金属催化剂；以及将沉积有金属催化剂的分级多孔二氧化硅分散至醇溶液中，压制得到填充有金属催化剂的分级多孔二氧化硅薄膜。3.如权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，采用溶胶凝胶法制备分级多孔二氧化硅的步骤中，包括：将有机溶剂与水混合，得到混合溶剂；向所述混合溶剂中加入硅前驱体源、表面活性剂及催化剂，搅拌使其分散，离心分离后，得到分级多孔二氧化硅。4.如权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法在所述分级多孔二氧化硅的孔道内沉积金属催化剂的步骤中，包括：在惰性环境中，向所述分级多孔二氧化硅的孔道内交替通入金属催化剂前驱体和第一还原性气体。5.如权利要求4所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属催化剂前驱体的通入时间为0.01s
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0.2s，停留时间为2s
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20s，吹扫时间为2s
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30s；和/或，所述第一还原性气体的通入时间为0.01s
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0.5s，停留时间为2s
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20s，吹扫时间为2s
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30s。6.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏玉明，卓恩宗，余思慧，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：