一种用于原子层沉积工艺的装置制造方法及图纸

技术编号:28069877 阅读:32 留言:0更新日期:2021-04-14 14:56
本实用新型专利技术涉及一种用于原子层沉积工艺的装置,包括有外真空腔体、内反应腔体、工件架、加热组件、进气组件和真空组件,所述内反应腔体固设于所述外真空腔体内,所述工件架设于所述内反应腔体内,所述加热组件围绕所述内反应腔体设置,且设于所述内反应腔体的顶端和底端,所述进气组件分别与所述外真空腔体和内反应腔体连通,所述真空组件分别与所述外真空腔体和内反应腔体连通。上述用于原子层沉积工艺的装置能够很快地将腔内部分残留气相前驱体和反应副产物排走,提高了沉积薄膜的质量,而且加热组件围绕内反应腔体设置,且设于内反应腔体的顶端和底端,能够使腔内升温速度加快,并保证腔内的温度保持一致,避免出现局部温度过高的情况产生。过高的情况产生。过高的情况产生。

【技术实现步骤摘要】
一种用于原子层沉积工艺的装置


[0001]本技术属于用于原子层沉积ALD工艺
,具体涉及涉及一种用于原子层沉积工艺的装置。

技术介绍

[0002]热型原子层沉积T

ALD设备一般用于在单晶硅片上沉积薄膜,应用于半导体等行业,例如晶体管栅极的电介质层、扩散势垒层和集成电路的互连种子层等。ALD反应装置一般包括前驱体存储单元、气路单元、加热单元和反应腔室等(详见美国专利US5483919A,US6015590以及中国专利CN1170957C和CN103103497A等)。但是,反应腔室内的承载单元一般只能承载一片或数片硅片,产能低。另外,反应腔室内的加热单元分布不均匀,使反应腔室的内壁及基体表面都存在温度梯度,影响到硅片表面的ALD薄膜厚度的均匀性。再者,由于只采用低抽速的机械泵对反应腔室进行抽真空,腔内残留气相前驱体和反应副产物难以排走,降低了沉积薄膜的质量。一般的T

ALD设备具有单一的腔室结构,即真空腔室用作反应腔体。如果从真空腔室(即反应腔体)见大气的外壁用加热带进行加温,则升温速度缓慢,腔室内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于原子层沉积工艺的装置,其特征在于,包括有外真空腔体、内反应腔体、工件架、加热组件、进气组件和真空组件,所述内反应腔体固设于所述外真空腔体内,所述工件架设于所述内反应腔体内,所述加热组件围绕所述内反应腔体设置,且设于所述内反应腔体的顶端和底端,所述进气组件分别与所述外真空腔体和内反应腔体连通,所述真空组件分别与所述外真空腔体和内反应腔体连通。2.根据权利要求1所述的用于原子层沉积工艺的装置,其特征在于,所述内反应腔体上设有盖板,所述盖板通过螺栓固定于所述内反应腔体的上端。3.根据权利要求1所述的用于原子层沉积工艺的装置,其特征在于,所述外真空腔体上设有门板,所述门板转动设置于所述外真空腔体的上端。4.根据权利要求2或3所述的用于原子层沉积工艺的装置,其特征在于,所述真空组件包括低真空单元、高真空单元和排气管道,所述低真空单元通过排气管道与所述内反应腔体连通,所述高真空单元通过排气管道与所述外真空腔体连通,所述低真空单元通过排气管道与所述高真空单元连通。5.根据权利要求4所述的用于原子层沉积工艺的装置,其特征在于,所述低真空单元包括有主阀和真空泵,所述内反应...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵志樑
申请(专利权)人:东莞艾德新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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