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本发明公开一种进气结构及半导体沉积设备，所述半导体沉积设备包括反应腔室和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔、第一进气孔、第二进气孔和送气孔，所述第一进气孔、所述第二进气孔和所述送气孔均与所述混合腔连通，所述第一进气孔和所述第二进气孔均用于...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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