本发明专利技术提供一种半导体激光装置(A1)，其包括：半导体激光芯片(2)；和支承半导体激光芯片(2)的基座(1)，其包含基底(11)和固定于基底(11)的引线(3A、3B、3C)。半导体激光装置(A1)还具有第一金属层(15)，其包括：覆盖基底(11)和引线(3A、3B、3C)的第一层(151)；设置在第一层(151)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第二层(152)；和设置在第二层(152)与基底(11)以及引线(3A、3B、3C)之间的第三层(153)。第二层(152)的晶粒比第三层(153)的晶粒小。依据这样的结构，能够抑制腐蚀。能够抑制腐蚀。能够抑制腐蚀。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置
[0001]本专利技术涉及半导体激光装置。
技术介绍
[0002]作为搭载在各种电子设备的光源装置，半导体激光装置被广泛采用。专利文献1公开了现有技术的半导体激光装置的一例。该文献中所公开的半导体激光装置包括基座、半导体激光芯片和罩。所述基座具有：金属制的板状的基底；从该基底向射出方向前方突出的块体；和固定于基座且分别向所述射出方向后方延伸的多个引线。所述半导体激光芯片搭载于所述块体。所述罩覆盖所述块体和所述半导体激光芯片，具有使来自所述半导体激光芯片的光通过的开口。依据这样的结构，当经由所述多个引线供给电力时，来自所述半导体激光芯片的光向所述射出方向前方射出。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
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31900号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]但是，伴随着上述半导体激光装置的使用，存在由金属形成的基座发生腐蚀的情况。
[0008]本专利技术是基于上述的问题而想出的专利技术，其目的在于，提供一种能够抑制腐蚀的半导体激光装置。
[0009]用于解决问题的技术方案
[0010]本专利技术所提供的半导体激光装置，其包括：半导体激光芯片；和支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。
[0011]专利技术效果
[0012]依据本专利技术的半导体激光装置，能够抑制腐蚀。
[0013]本专利技术的其他的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细的说明能够更加明确。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的立体图。
[0015]图2是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的平面图。
[0016]图3是沿着图2的III
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III线的截面图。
[0017]图4是沿着图2的IV
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IV线的截面图。
[0018]图5是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0019]图6是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0020]图7是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0021]图8是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。
[0022]图9是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分放大截面图。
[0023]图10是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。
[0024]图11是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。
[0025]图12是表示本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置的第二变形例的主要部分放大截面图。
[0026]图13是表示本专利技术的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0027]图14是表示本专利技术的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0028]图15是表示本专利技术的第二实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0029]图16是表示本专利技术的第三实施方式的半导体激光装置的截面图。
[0030]图17是表示本专利技术的第三实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
[0031]图18是表示本专利技术的第四实施方式的半导体激光装置的主要部分放大截面图。
具体实施方式
[0032]以下，基于本专利技术的优选的实施方式，参照附图进行具体的说明。
[0033]本专利技术中的“第一”、“第二”、“第三”等的用语只是作为标签使用的用语，并不一定意图表示对这些对象物排序。
[0034]<第一实施方式>
[0035]图1～图7表示基于本专利技术的第一实施方式的半导体激光装置。本实施方式的半导体激光装置A1包括基座1、半导体激光芯片2、导线5和第一金属层15。半导体激光装置A1的用途没有特别的限定，例如可以作为CD播放器或DVD刻录机的读写用的光源、激光打印机的光源来使用。
[0036]此外，图1～图7中的z方向相当于半导体激光芯片2的射出方向。x方向和y方向分别是相对于z方向为直角的方向。
[0037]基座1是半导体激光装置A1的基体，具有基底11、块体12和多个引线3A、3B、3C。本实施方式的基座1中，基底11和块体12一体地形成。基座1的材质没有特别的限定，例如，由Fe或者Fe合金形成。另外，基座1所具有的引线的个数没有特别的限定。在以下的说明中，以具有3根引线3A、3B、3C的情况为例进行说明。
[0038]基底11是以z方向为厚度方向的板状的部位，在本实施方式中，在z方向观察为大致圆形形状。基底11具有朝向z方向前方的主面111。举例基底11的尺寸的一个例子，直径为5.6mm程度，厚度为1.2mm程度。
[0039]在基底11形成有2个引线用贯通孔114。引线用贯通孔114的形状和大小没有特别的限定，在本实施方式中，形成直径为1.0mm程度的圆形贯通孔。引线用贯通孔114的直径能够根据基底11和引线3A、3B的尺寸、引线3A与引线3B的间隔等适当地设定。
[0040]2个引线用贯通孔114是为了将引线3A和引线3B固定在基底11而形成。如图2所示，2个引线用贯通孔114隔着块体12形成在x方向两侧。各引线用贯通孔114在z方向上贯通基底11。各引线用贯通孔114的形状没有特别的限定，在本实施方式中，引线用贯通孔114在z方向观察为圆形形状。
[0041]块体12从基底11的主面111向z方向前方(图中上方)突出。块体12的形状没有特别的限定，在本实施方式中，块体12形成为长方体形状。块体12具有支承面121。支承面121是搭载半导体激光芯片2的面，在本实施方式中相对于z方向平行。举例块体12的大小的一例，x方向尺寸为1.0mm程度，y方向尺寸为1.2mm程度，z方向尺寸为1.5mm程度。
[0042]多个引线3A、3B、3C为了将半导体激光装置A1固定在电子设备等而使用，且形成向半导体激光芯片2的电力供给路径。多个引线3A、3B、3C例如是由Fe
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Ni合金形成的直径为0.45mm程度的棒状部件。此外，多个引线3A、3B、3C的大小和形状没有任何限定。
[0043]引线3A和引线3B分别被插通在2个引线用贯通孔114中。如图3所示，引线3A的z方向前方侧部分从引线用贯通孔114向z方向前方突出。另外，引线3A的位于z方向后方侧的大部分从基底11向z方向后方突本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：半导体激光芯片；和支承所述半导体激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引线，所述半导体激光装置具有第一金属层，所述第一金属层包括：覆盖所述基底和所述引线的第一层；设置在所述第一层与所述基底以及所述引线之间的第二层；和设置在所述第二层与所述基底以及所述引线之间的第三层，所述第二层的晶粒比所述第三层的晶粒小。2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二层的厚度比所述第一层的厚度厚。3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二层的厚度比所述第三层的厚度薄。4.如权利要求2或3所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一层由Au形成。5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二层由Pd形成。6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第三层由Ni形成。7.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一层的厚度为0.01μm～0.1μm。8.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二层的厚度为0.05μm～1.0μm。9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第三层的厚度为2.0μm～5.0μm程度。10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：所述基座包括固定于所述基底且支承所述半导体激光芯片的块体。11.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：所述基底具有供所述引线插通的贯通孔。12.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于：具有设置在所述基底与所述引线之间的绝缘部件。13.如权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一金属层形成于避开所述基底与所述绝缘部件之间的区域。14.如权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一金属层形成于避开所述引线与所述绝缘部件之间的区域。15...
【专利技术属性】
技术研发人员：田尻浩之，酒井贤司，泉和刚，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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