一种新型花篮结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型花篮结构，包括两侧的端板，所述端板之间设置多个侧杆和底杆，所述端板之间还设置多个中杆，且中杆位于端板中心线上，所述中杆、侧杆和底杆之间形成半包围结构，且用于放置半片，所述中杆和侧杆相对的一面排列设置篮齿。本实用新型专利技术利于减少硅片的翘曲度，从而降低粘片比例、提高产品良率；本实用新型专利技术可以单个花篮放置2个或者3个半片，增加单位花篮的产量；针对薄硅片，尤其厚度小于150μm的硅片，本实用新型专利技术因为硅片翘曲度小，可以不改变现有花篮的齿间距，以保证良率，所以花篮和槽体尺寸都无需额外加长，可大大节约制造成本；本实用新型专利技术支持半片或者3切片，完美解决电池片切损问题，利于组件效率的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种新型花篮结构
本技术涉及晶体硅电池加工
，具体涉及一种新型花篮结构。
技术介绍
为获得更高组件功率以降低单位成本，光伏企业纷纷加入到大硅片的行列(目前主流156硅片，逐渐被166、182、210硅片所替代)。在2020年，行业以最快的速度达成共识，那就是210将成为硅片最终的尺寸标准。而210硅片因为其更大的长宽尺寸，翘曲度更大，容易使制程中的硅片相对摩擦产生PL及EL缺陷，影响产品的良率甚至效率。而且为配合组件制程，降低电池内部损耗，半片或者3切逐渐成为制程的方向。目前尚未有成熟的制绒清洗用花篮来供半片或者3切片使用，以达到不降低产能的需求。图1为当前主流的传统花篮结构图、图2为当前主流的传统花篮承载半片硅片的截面示意图；由此可见，如果用于210硅片，则必须增加硅片间距来减少相互贴合的可能，产能会降低到70％；如果用于210硅片的半片或者3切，产能相应的降为1/2或者1/3。注：PL：光致发光。光致发光是一种探测材料电子结构的方法，它与材料无接触且不损坏材料。光直接照射到材料上，被材料吸收并将多余能量传递给材料，这个过程叫做光激发。这些多余的能量可以通过发光的形式消耗掉。由于光激发而发光的过程叫做光致发光。EL：电致发光。电致发光又可称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。PL和EL是晶硅太阳能电池常规的制程检测手段，用于监控硅片缺陷。半片：将硅片或电池片均分成2半3切：将硅片或电池片均分成3份。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种针对改善硅片贴合的新型花篮结构。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种新型花篮结构，包括两侧的端板，所述端板之间设置多个侧杆和底杆，其创新点在于：所述端板之间还设置多个中杆，且中杆位于端板中心线上，所述中杆、侧杆和底杆之间形成半包围结构，且用于放置半片，所述中杆和侧杆相对的一面排列设置篮齿。进一步的，所述底杆为光杆。进一步的，所述篮齿为偏心菱形齿。进一步的，所述中杆的数量由硅片长度而定。进一步的，所述中杆设置多列，且每列多个中杆。采用上述结构后，本技术有益效果为：1、本技术利于减少硅片的翘曲度，从而降低粘片比例、提高产品良率。2、本技术可以单个花篮放置2个或者3个半片，增加单位花篮的产量。3、针对薄硅片，尤其厚度小于150μm的硅片，本技术因为硅片翘曲度小，可以不改变现有花篮的齿间距，以保证良率，所以花篮和槽体尺寸都无需额外加长，可大大节约制造成本。4、本技术支持半片或者3切片，完美解决电池片切损问题，利于组件效率的提升。附图说明图1为当前主流的传统花篮结构图；图2为当前主流的传统花篮承载半片硅片的截面示意图；图3为本技术俯视结构示意图；图4为图3的侧视图；图5为本技术承载半片硅片的截面示意图。附图标记说明：1端板、2侧杆、3底杆、4中杆、5半片、6篮齿。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施方式，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参看图3-5，一种新型花篮结构，包括两侧的端板1，端板1之间设置多个侧杆2和底杆3，端板1之间还设置多个中杆4，且中杆4位于端板1中心线上，中杆4、侧杆2和底杆3之间形成半包围结构，且用于放置半片5，中杆4和侧杆2相对的一面排列设置篮齿6。具体的，通过设置多个中杆4可实现不增加花篮齿间距的情况下，有效控制硅片的翘曲度，既减少粘片的可能性也能提高单槽通量，同时不增加槽体尺寸，降低制绒清洗机台的制造成本；可以承载半片或者3切片，用于晶硅太阳能电池的制程，完美兼容产线自动化，不降低原来机台的产能且升级改造简单。本实施例中，底杆3为光杆。本实施例中，篮齿6为偏心菱形齿，用于对硅片进行限位放置。篮齿6还可以包括多种形状，但优选偏心菱形齿。本实施例中，中杆4的数量由硅片长度而定。根据硅片长度而定，210硅片总共3根，如图5。本实施例中，中杆4设置多列，且每列多个中杆，以实现半片或者3切甚至更多切的硅片。以上所述，仅用以说明本技术的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本技术的技术方案所做的其它修改或者等同替换，只要不脱离本技术技术方案的精神和范围，均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型花篮结构，包括两侧的端板，所述端板之间设置多个侧杆和底杆，其特征在于：所述端板之间还设置多个中杆，且中杆位于端板中心线上，所述中杆、侧杆和底杆之间形成半包围结构，且用于放置半片，所述中杆和侧杆相对的一面排列设置篮齿。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型花篮结构，包括两侧的端板，所述端板之间设置多个侧杆和底杆，其特征在于：所述端板之间还设置多个中杆，且中杆位于端板中心线上，所述中杆、侧杆和底杆之间形成半包围结构，且用于放置半片，所述中杆和侧杆相对的一面排列设置篮齿。


2.根据权利要求1所述的一种新型花篮结构，其特征在于：所述底杆为光杆...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚庆，陈贤刚，张蓉，刘沉，李杰，
申请(专利权)人：南通圣威斯特能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32