【技术实现步骤摘要】
晶圆传送装置
本技术涉及半导体
,具体而言,涉及一种晶圆传送装置。
技术介绍
目前,晶圆传送盒用于放置晶圆,在工作人员将晶圆传送盒放置在机台装载端上后,打开晶圆传送盒,持续向晶圆传送盒内通入氮气,氮气通过气孔吹向多个晶圆,以用于对晶圆的表面进行保护。然而,在向晶圆传送盒内通入氮气的过程中,沿晶圆传送盒的高度方向,由于各个气孔与氮气通入口的距离不同,导致吹向各个晶圆的气体流量和流速不均匀,影响氮气对晶圆的保护效果。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种晶圆传送装置,以解决现有技术中晶圆传送盒内对晶圆进行气体保护的保护效果不佳的问题。为了实现上述目的,本技术提供了一种晶圆传送装置,包括:箱体,用于存放晶圆,箱体具有进气口和排气口;氮气输送结构,设置在箱体内,氮气输送结构包括第一通道和第二通道,第一通道的第一端与进气口连通,第一通道的第二端与第二通道连通,第一通道与第二通道相对设置;其中,第一通道和第二通道沿箱体的高度方向延伸,氮气输送结构还包括气孔,气孔与第一通道和第二通道均连通。进一步地,第一通道和第二通道为管道结构,气孔为多个,一部分气孔设置在第一通道的管道壁上,另一部分气孔设置在第二通道的管道壁上。进一步地,氮气输送结构还包括过气结构,过气结构设置在第一通道和第二通道朝向晶圆的一侧,气孔设置在过气结构上。进一步地,气孔为多个,多个气孔沿第一预设方向S1和第二预设方向S2间隔设置;其中,第一预设方向S1与箱体的高度方向一致,第一预设方向S1与第二预设 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆传送装置,其特征在于,包括:/n箱体(10),用于存放晶圆,所述箱体(10)具有进气口(11)和排气口;/n氮气输送结构(20),设置在所述箱体(10)内,所述氮气输送结构(20)包括第一通道(21)和第二通道(22),所述第一通道(21)的第一端与所述进气口(11)连通,所述第一通道(21)的第二端与所述第二通道(22)连通,所述第一通道(21)与所述第二通道(22)相对设置;/n其中,所述第一通道(21)和所述第二通道(22)沿所述箱体(10)的高度方向延伸,所述氮气输送结构(20)还包括气孔(23),所述气孔(23)与所述第一通道(21)和所述第二通道(22)均连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送装置,其特征在于,包括:
箱体(10),用于存放晶圆,所述箱体(10)具有进气口(11)和排气口;
氮气输送结构(20),设置在所述箱体(10)内,所述氮气输送结构(20)包括第一通道(21)和第二通道(22),所述第一通道(21)的第一端与所述进气口(11)连通,所述第一通道(21)的第二端与所述第二通道(22)连通,所述第一通道(21)与所述第二通道(22)相对设置;
其中,所述第一通道(21)和所述第二通道(22)沿所述箱体(10)的高度方向延伸,所述氮气输送结构(20)还包括气孔(23),所述气孔(23)与所述第一通道(21)和所述第二通道(22)均连通。
2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述第一通道(21)和所述第二通道(22)为管道结构,所述气孔(23)为多个,一部分所述气孔(23)设置在所述第一通道(21)的管道壁上,另一部分所述气孔(23)设置在所述第二通道(22)的管道壁上。
3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述氮气输送结构(20)还包括过气结构,所述过气结构设置在所述第一通道(21)和第二通道(22)朝向所述晶圆的一侧,所述气孔(23)设置在所述过气结构上。
4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述气孔(23)为多个,多个所述气孔(23)沿第一预设方向S1和第二预设方向S2间隔设置;其中,所述第一预设方向S1与所述箱体(10)的高度方向一致,所述第一预设方向S1与所述第二预设方向S2之间呈第一夹角设置。
5.根据权利要求4所述的晶圆传送装置,其特征在于,多个所述气孔(23)包括第一组气孔和第二组气孔,所述第一组气孔与所述第一通道(21)连通,所述第二组气孔与所述第二通道(22)连通;所述第一组气孔包括沿所述第一预设方向S1间隔设置的多个第一子气孔,所述第二组气孔包括沿所述第一预设方向S1间隔设置的多个第二子气孔;其中,至少一个所述第一子气孔与至少一个所述第二子气孔位于同一高度处。
6.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述箱体(10)具有安装孔,所述晶圆传送装置还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊紫超,黄海辉,刘高山,王星,周鹏,张小强,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:湖北;42
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