半导体激光装置制造方法及图纸

半导体激光装置包括：射出激光的半导体激光芯片；板状的基座；和从所述基座突出并且支承所述半导体激光芯片的块体。所述块体具有支承面和导线焊接面，所述支承面是朝向与所述激光的射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面。所述导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面。所述导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置。所述导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置
本专利技术涉及半导体激光装置。
技术介绍
一直以来，在各种电子设备中，作为光源采用了半导体激光装置。例如JP2010-183002A公开了半导体激光装置的一例。该文献中公开的半导体激光装置包括导电性的管座、半导体激光芯片、垫片、多个引线和罩。所述管座具有圆板状的基座、和从该基座向光的射出方向突出的长方体状的块体。所述半导体激光芯片经由所述垫片搭载在所述块体的支承面(相对所述射出方向平行的面)。所述多个引线固定于所述管座，并且彼此平行地延伸。所述半导体激光芯片经由第一导线与所述垫片的表面(导线焊接面)电连接。另外，所述垫片经由第二导线与所述多个引线之中的一个电连接。所述罩覆盖所述块体和所述半导体激光芯片。在所述现有技术的半导体激光装置中，所述垫片的所述导线焊接面相对于所述块体的所述支承面是平行的。即，所述导线焊接面朝向与所述射出方向正交的方向。所述第一和第二导线的焊接作业例如通过在保持着所述基座的外周部的状态下，同时利用劈刀将各导线按压在焊接部位(并且施加超声波振动)来进行。所述现有技术的半导体激光装置中，所述管座的基座为圆形。因此，在导线焊接时，所述基座有可能从初始设定姿态向周方向错位。当产生这样的错位时，导线与所述导线焊接面的接合面积可能不当地变小，发生相对导线焊接面的导线的接合强度不充分这样的不良状况。现有技术文献专利文献专利文献1：JP2010-183002A
技术实现思路
专利技术要解决的问题基于所述的状况，本专利技术的问题在于，例如提供一种适用于防止导线的接合强度降低的半导体激光装置。用于解决问题的技术手段依据本专利技术提供的半导体激光装置，其包括：向射出方向射出激光的半导体激光芯片；板状的基座；和从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体。所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面。所述第一导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面。所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置。所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。本专利技术的其他的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细说明能够更加明确。附图说明图1是表示第一实施方式的半导体激光装置的立体图。图2是图1所示的半导体激光装置的俯视图。图3是沿着图2的III-III线的截面图。图4是沿着图2的IV-IV线的截面图。图5是表示图1所示的半导体激光装置的一部分的俯视图。图6是表示图1所示的半导体激光装置的一部分的俯视图。图7是说明图1所示的半导体激光装置的制造方法的一例中的一个工序的俯视图。图8是表示第二实施方式的半导体激光装置的立体图。图9是沿着图8的IX-IX线的截面图。具体实施方式图1～图6表示第一实施方式的半导体激光装置。如图1所示，本实施方式的半导体激光装置A1包括：管座1、半导体激光芯片2、受光元件3、多个引线41、42、43和多个导线5。半导体激光装置A1的用途没有特别的限定，例如作为搭载于各种电子设备的光源装置使用。为了便于理解，在图3和4中省略了导线5。在本专利技术中，在实施方式的说明中，适当地参照彼此正交的3个方向(x、y、z)。例如如图1所示，方向z对应于半导体激光芯片2的射出方向。方向z具有彼此相反的2个朝向(z1、z2)，以下将它们称为“方向z1”和“方向z2”。如图1所示，方向z1为半导体激光芯片2的射出方向前方，方向z2为半导体激光芯片2的射出方向后方。同样地，方向x具有彼此相反的“方向x1”和“方向x2”，方向y具有彼此相反的“方向y1”和“方向y2”。图1是表示半导体激光装置A1的立体图。图2是表示半导体激光装置A1的俯视图。图3是沿着图2的III-III线的截面图。图4是沿着图2的IV-IV线的截面图，图5和图6是表示半导体激光装置A1的一部分的俯视图。管座1是半导体激光装置A1的基体，具有基座11和块体12。本实施方式的管座1中，基座11和块体12形成为一体，但本专利技术并不限定于此。管座1例如由Fe或者Fe合金形成。管座1的表面可以实施厚度为2～4μm程度的镀Ni、镀Cu、镀Au等。基座11是具有沿着方向z测量而得的尺寸(厚度)的板状的部件，例如在方向z观察为圆形形状。基座11具有朝向方向z1的主面111。举例基座11的尺寸的一例，直径为5.6mm程度，厚度为0.5mm程度。在基座11形成有贯通孔112、113。各贯通孔112、113在方向z上贯通基座11，在图示的例子中，在x方向上彼此隔开间隔地配置。贯通孔112、113没有特别的限定，例如是直径为1.0mm程度的圆形贯通孔。贯通孔112、113的直径可根据基座11和引线41、42的尺寸、引线41、42的间隔等适当地设定。块体12从基座11的主面111向方向z1突出。在本实施方式中，块体12具有第一块体部121、第二块体部122和第三块体部123。第一块体部121为长方体形状(参照图2的虚线)。第一块体部121具有支承面121a和侧面121b。支承面121a是用于搭载半导体激光芯片2的面。在本实施方式中，支承面121a相对于方向z平行，朝向方向y1。侧面121b朝向与支承面121a相反侧的方向y2。侧面121b相对于支承面121a平行，在方向y观察时与支承面121a重叠(参照图4)。在半导体激光装置A1的制造上，不可避免地产生尺寸误差。考虑到该误差，支承面121a朝向的方向包括相对于方向z为大致直角的方向在内。同样地，侧面121b能够是与支承面121a大致平行。另外，在以下的说明中，“直角”和“平行”分别包括大致直角和大致平行的情况在内。如图1和图2所示，第二块体部122位于第一块体部121的方向x1侧，且与第一块体部121相连。第二块体部122在方向z观察为扇形形状，具有第一导线焊接面122a。第一导线焊接面122a是用于连接导线5(第一导线51)的一端的部位。如图2所示，第一导线焊接面122a大致朝向方向y1，但相对于支承面121a倾斜。具体而言，第一导线焊接面122a以在方向x上随着远离支承面121a而向方向y2偏倚的方式倾斜。如图5所示，第一导线焊接面122a相对于支承面121a倾斜的角度α1在例如大于0度且为6度以下的范围(0°＜α1≤6°)内，优选在1度以上且3度以下的范围(1°≤α1≤3°)内。如图2所示，第三块体部123位于第一块体部121的方向x2侧，并且与第一块体部121相连。第三块体部123在方向z观察时为扇形状，具有侧面123a。侧面123a相对于支承面121a倾斜。具体而言，侧面123a以在方向x上随着远离支承面121a而向方向y2偏倚的方式倾斜。如图2～图4所示，在基座11设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：/n向射出方向射出激光的半导体激光芯片；/n板状的基座；和/n从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体，/n所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面，所述第一导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面，/n所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置，/n所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180926 JP 2018-1800891.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：
向射出方向射出激光的半导体激光芯片；
板状的基座；和
从所述基座向所述射出方向突出并且支承所述半导体激光芯片的块体，
所述块体具有支承面和第一导线焊接面，所述支承面是朝向与所述射出方向正交的第一方向的第一侧并且支承所述半导体激光芯片的面，所述第一导线焊接面是用于连接与所述半导体激光芯片导通的第一导线的面，
所述第一导线焊接面相对于所述支承面在与所述射出方向和所述第一方向正交的第二方向上偏倚地配置，
所述第一导线焊接面以随着在所述第二方向上越远离所述支承面而越位于所述第一方向的第二侧的方式相对于所述支承面倾斜。


2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
相对于所述支承面的所述第一焊接面的倾斜角度为大于0度且6度以下的范围。


3.如权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于：
在还具有分别被支承于所述基座的第一引线和第二引线的结构中，
所述第一引线和所述第二引线夹着所述支承面在所述第二方向上彼此隔开间隔地配置。


4.如权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第一突出部，所述第二引线具有从所述基座向所述射出方向突出的第二突出部，
所述第二突出部的突出长度比所述第一突出部的突出长度大。


5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基座具有朝向所述射出方向的主面，所述第一突出部具有朝向所述射出方向的端面，
所述第一焊接面相对于所述支承面的倾斜角度，比所述第一突出部的所述端面相对于所述基座的所述主面的倾斜角度大。


6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基座的所述主面与所述第一突出部的所述端面彼此平行。


7.如权利要求4～6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一突出部在所述第一方向观察时与所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井贤司，泉和刚，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP