一种半导体激光器的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体激光器的封装结构及其封装方法，半导体激光器的封装结构包括半导体激光器、半导体制冷器和设于半导体激光器与半导体制冷器之间的金属层，所述半导体制冷器包括硅衬底、设于硅衬底上的金属电极、沉积于金属电极上的半导体热电材料和刻蚀于半导体热电材料上的P‑N结构，所述半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的透射光栅层。本发明专利技术使封装的半导体激光器体积减小，提高激光器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及半导体光电
，尤其涉及一种半导体激光器的封装结构及其封装方法。
技术介绍
随着激光技术的发展，一门崭新的应用学科——激光医学逐步形成，激光的独特优点，解决了传统医学在基础研究和临床应用中不能解决的许多难题，引起国内外医学界的重视。半导体激光器(DL)因其具有体积小、重量轻、寿命长、功耗低、波长覆盖范围广等特点特别适用于医疗设备的制造。此外，半导体激光器还广泛用于光纤通信、光盘存取、光谱分析和光信息处理等重要领域。对于传统的单模激光器而言，尤其是大功率的，其正常工作需要配备单独的制冷器来为激光器降温散热。而散热器目前最常用的有三类：循环冷却水降温，风冷降温和半导体制冷器降温。现有方式制成的激光器体积巨大，在很多场合都无法很好的发挥和体现半导体激光器的性能和特点。X射线自支撑闪耀透射光栅因其宽带高效高分辨的优点，在惯性约束聚变等离子体诊断、天文物理和X射线相衬成像等领域有巨大的应用需求。可以预见，若将X射线自支撑闪耀透射光栅与半导体激光器结合使用，必然能够提高医学诊断中的可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括半导体激光器、半导体制冷器和设于半导体激光器与半导体制冷器之间的金属层，所述半导体制冷器包括硅衬底、设于硅衬底上的金属电极、沉积于金属电极上的半导体热电材料和刻蚀于半导体热电材料上的P-N结构，所述半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的透射光栅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括半导体激光器、半导体制冷器和设于半导体激光器与半导体制冷器之间的金属层，所述半导体制冷器包括硅衬底、设于硅衬底上的金属电极、沉积于金属电极上的半导体热电材料和刻蚀于半导体热电材料上的P-N结构，所述半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的透射光栅层。


2.根据权利要求1所述半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述第一电极和第二电极均通过金属层引出，连接至电源。


3.根据权利要求1所述半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述P-N结构包括一个P型电极和一个N型电极；所述P-N结构中的P型电极和N型电极交替设置。


4.根据权利要求1所述半导体激光器的封装结构，其特征在于，所述P-N结构最外层的P型电极或者N型电极通过金属引线向外延伸，作为接触电极。


5.根据权利要求1所述半导体激光器的封装结构，其特征在于，相邻的P-N结构之间通过顶部或底部金属材料相互连接。
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【专利技术属性】
技术研发人员：毛虎，邱智贤，毛森，焦英豪，
申请(专利权)人：勒威半导体技术嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33