【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置
本公开涉及激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置。
技术介绍
已知通过将脉冲状的激光照射到对象物并观测由对象物反射的反射光从而测定与对象物的距离的测距单元。为了放射脉冲状的激光,多使用激光二极管(LD)作为光源。另外,由于针对大范围进行距离测定,因此,由多个LD构成的LD阵列被作为光源使用。在对象物相对于测距单元相对地移动的情况下,例如在测距单元安装于汽车等移动物的情况下,为了避免移动物与对象物的碰撞,期望使用于距离测定的脉冲发光的每单位时间的次数增加,并增加每单位时间的距离测定的次数。测距装置将脉冲状的光从LD等照射部照射到对象物,并用光电二极管等光接收部接收来自该对象物的反射光。通过测量从投射到接收脉冲状的光为止所花费的时间(飞行时间),从而以预先已知的光速为基础算出从测距装置到对象物的距离。通过缩窄所投射的脉冲状的光的脉冲宽度,从而受光信号的宽度也缩窄。由此,受光时刻的测量误差幅度变小,测距精度提高。为了使LD放射脉 ...
【技术保护点】
1.一种激光二极管阵列器件的制造方法,包括以下步骤:/n准备由在作为阴极的半导体基板上形成为单片的多个激光二极管构成的激光二极管阵列;/n将共用的导电性引线框架或导电性基板电连接到所述多个激光二极管的各阳极侧的端部,并且以所述导电性引线框架或导电性基板支承所述多个激光二极管的方式进行固定;以及/n将相邻的所述多个激光二极管的阴极按每一所述激光二极管相互电分离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180810 JP 2018-1518261.一种激光二极管阵列器件的制造方法,包括以下步骤:
准备由在作为阴极的半导体基板上形成为单片的多个激光二极管构成的激光二极管阵列;
将共用的导电性引线框架或导电性基板电连接到所述多个激光二极管的各阳极侧的端部,并且以所述导电性引线框架或导电性基板支承所述多个激光二极管的方式进行固定;以及
将相邻的所述多个激光二极管的阴极按每一所述激光二极管相互电分离。
2.一种激光发光电路,使由多个激光二极管构成的激光二极管阵列同时或者依次放射脉冲状的激光,所述激光发光电路具备:
所述多个激光二极管,阳极相互电连接;
开关元件,电连接到各激光二极管的阴极,控制流过各激光二极管的电流;
驱动电路,控制所述开关元件;
串联电路,是电容器与电阻电串联连接的串联电路,并且一端电连接到所述多个激光二极管的共用的阳极,另一端接地;
激光二极管电源输入端子,电连接到所述多个激光二极管的共用的阳极,用于对所述电容器供给电荷;
驱动电路电源输入端子,用于对所述驱动电路供给电力;以及
脉冲信号输入端子,分别电连接到所述驱动电路,并输入脉冲信号。
3.一种激光发光电路,使由多个激光二极管构成的激光二极管阵列同时或者依次放射脉冲状的激光,所述激光发光电...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤原直树,古贺広志,
申请(专利权)人:欧姆龙株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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