上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备技术

本发明专利技术公开一种上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备，包括：接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；获取框架类型对应的运动参数，运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；控制上料装置按照第一子运动参数运行，以将目标框架从目标推料点推动到传送装置上；控制传送装置按照第二子运动参数运行，以将目标框架传送至治具上。本发明专利技术实现对上料装置以及传送装置的自动调整，无需操作人员在每次框架的类型发生变动后搬运输入运动参数，能够避免人为失误，提高了等离子清洗设备清洗芯片的准确性，并能够提高等离子清洗设备的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备
本专利技术涉及芯片清洗
，尤其涉及一种上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备。
技术介绍
半导体芯片的清洗是半导体芯片制造生产中的非常重要的一个环节，由于集成电路内各元件及连线相当细微，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或者断路等，导致电路失效。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行清洗工作。等离子清洗是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，使用惰性气体在真空腔中清除残留在晶圆上的微尘、金属离子及有机物等异物，能够保证芯片的可靠性、时效性。芯片需要装载在框架中进入到真空腔中清洗，由于芯片存在不同的规格型号，因此用于装载不同规格芯片的框架存在不同的长、宽、高参数，为保证框架能够准确进入到真空腔中的清洗位置，现有技术中，每次当框架的规格发生变化时，均需要人工进行参数调整，操作繁琐且容易出错。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种上下料控制方法，旨在解决现有技术中的等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种上下料控制方法，所述上下料控制方法应用于等离子清洗设备，其特征在于，所述等离子清洗设备包括治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，所述上下料控制方法包括：/n接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；/n获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；/n控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；/n控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。/n

【技术特征摘要】
1.一种上下料控制方法，所述上下料控制方法应用于等离子清洗设备，其特征在于，所述等离子清洗设备包括治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，所述上下料控制方法包括：
接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；
获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；
控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；
控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。


2.如权利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，传送装置包括一条或多条相互间隔设置的传送带，且各个所述传送带的位置可调，所述第二子运动参数还包括多个第三子运动参数，所述控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上的步骤包括：
控制所述传送装置根据所述第三子运动参数调整各个传送带的位置，以承接目标框架；
控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上。


3.如权利要求2所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等离子清洗设备还包括升降装置，所述运动参数还包括第四子运动参数，所述控制所述上料装置将目标框架从目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述升降装置根据所述第四子运动参数移动所述治具。


4.如权利要求3所述的上下料控制方法，其特征在于，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之后还包括：
实时获取所述上料装置和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前位置参数，将所述当前位置参数置输出至显示界面。


5.如权利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等离子清洗设备还包括推送装置，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺岳，邱显新，孙飞翔，钟军勇，谢一心，苏金土，孔令民，张凯，
申请(专利权)人：深圳泰德半导体装备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44