【技术实现步骤摘要】
支承单元、基板处理装置及基板处理方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月31日提交韩国专利局的、申请号为10-2019-0138105的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文描述的专利技术构思的实施方式涉及支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。
技术介绍
通常，执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。光刻工艺是在基板上形成期望的图案的工艺。光刻工艺通常在旋转器局部设备(spinnerlocalequipment)中执行，该旋转器局部设备与曝光设备连接、并连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。旋转器设备依次或选择性地执行六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(以下称为HMDS)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺(bakeprocess)和显影工艺。HMDS工艺是通过在施用光刻胶(PR)之前将HMDS气体分配到基板上以改进光刻胶对基板的粘附效率的工艺。烘烤工艺是加热和冷却基板以...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，其在内部具有处理空间；/n气体供应单元，其配置为将疏水性气体供应到所述处理空间中以使所述基板疏水化；和/n支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板，/n其中，所述支承单元包括：/n支承板；/n加热构件，其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板；和/n高度调节构件，其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置，所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离，所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离，并且/n其中，所述第二位置是比所述第一位置高的位置。/n
【技术特征摘要】
20191031 KR 10-2019-01381051.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其在内部具有处理空间；
气体供应单元，其配置为将疏水性气体供应到所述处理空间中以使所述基板疏水化；和
支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板，
其中，所述支承单元包括：
支承板；
加热构件，其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板；和
高度调节构件，其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置，所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离，所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离，并且
其中，所述第二位置是比所述第一位置高的位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述高度调节构件包括柱塞，所述柱塞配置为在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的，且所述柱塞配置为在所述突出位置支承所述基板，
其中，所述插入位置是等于或低于所述第一位置的高度，并且
其中，所述突出位置是与所述第二位置相对应的高度。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述高度调节构件还包括接近销，所述接近销在与所述支承板的所述上表面相距所述第一距离处具有上端。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述接近销固定至所述支承单元。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述柱塞位于形成在所述支承板的所述上表面上的凹部中，并且
其中，配置为减小所述凹部中的压力的减压通道连接至所述凹部。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，随着所述减压通道中压力的减小，所述柱塞从所述第二位置移动至所述第一位置。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述柱塞具有穿过所述柱塞竖直地形成的通孔，并且
其中，所述通孔与所述减压通道连接。
8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述柱塞包括：
第一主体；和
从所述第一主体向上延伸的第二主体，
其中，当从上方观察时，所述第二主体具有比所述第一主体小的面积，
其中，在所述突出位置，所述第一主体位于所述凹部中，并且
其中，在所述突出位置，所述第二主体支承所述基板。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，在所述第一主体的下表面上设置有弹性构件，且
其中，所述弹性构件的一侧与所述第一主体的所述下表面连接，且所述弹性构件的相对侧与所述支承板连接。
10.根据权利要求5所述的装置，其中，所述减压通道包括：
主通道；和
第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道配置为从所述主通道分支，
其中，所述第一通...
【专利技术属性】
技术研发人员：方济午，徐庚进，安迎曙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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