衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质
本公开涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
技术介绍
在作为一种衬底处理装置的半导体制造装置中，在实施成膜处理前或实施成膜处理后实施某些维护处理。在此，维护处理有除去炉内的副产物的处理、用于将炉内的环境维持在特定条件的吹扫处理等各种处理。近来，为了提高装置生产性(为了缩短装置停机时间)，自动执行维护处理的功能变得必需。例如，在专利文献1中记载了：当监视对象的装置数据的当前值达到规定的条件时，产生警报，并且执行清洁制程程序(recipes)。另外，例如，在专利文献2中记载了：即使在成膜步骤前的准备步骤中产生错误，也在成膜步骤的开头步骤中进行错误处理。然而，在当前值到达规定的阈值并自动执行维护处理时，成膜处理开始时的炉内状况有时会发生变化。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利2019-114783号公报专利文献2：日本专利2015-162628号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题>本公开的目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序，其中，/n在所述前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。/n

【技术特征摘要】
20191031 JP 2019-198080;20200831 JP 2020-1454751.半导体器件的制造方法，具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序，其中，
在所述前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述前处理工序的第一步骤包含执行副制程程序的工序，
在所述副制程程序的第一步骤中判定是否执行所述保养制程程序。


3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述副制程程序的第一步骤中，具有对执行所述保养制程程序的设定进行确认的工序和对预先设定的维护项目的当前值与阈值进行比较的工序。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述维护项目的当前值到达所述阈值的情况下，执行所述保养制程程序，并执行所述副制程程序的第一步骤之后的下一步骤。


5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述副制程程序还具有搬送衬底的移载步骤，
构成为在执行所述副制程程序的第一步骤后执行所述移载步骤。


6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在执行所述移载步骤后，使所述副制程程序结束并向所述前处理工序的第一步骤之后的下一步骤转移。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述保养制程程序没有正常结束的情况下，强制性地使所述副制程程序结束，并执行所述后处理工序。


8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
构成为在所述保养制程程序结束后将所述维护项目的当前值设为零。


9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述前处理工序的第一步骤中，
如果设定有规定的维护处理，则执行副制程程序，
如果没有设定所述规定的维护处理，则不执行副制程程序，执行所述前处理工序。


10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述前处理工序至少包含将衬底装填于衬底保持件的工序、以及调整供处理炉的下侧的衬底保持件和衬底待机的移载环境的工序。


11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述保养制程程序包含从由吹扫制程程序、预热制程程...

【专利技术属性】
技术研发人员：守田修，久保修一，山冈雄治，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP