设备前后端模块及具有该设备前后端模块的半导体加工站制造技术

本发明专利技术提出一种设备前后端模块，其包括顶壁、底壁及多个内侧壁，所述顶壁与所述底壁相对设置，多个所述内侧壁依次相连，并分别与所述顶壁与所述底壁相连，其中一个所述内侧壁与装载互锁腔室相邻并设有第一装载互锁门，所述内侧壁或所述底壁上设有排气单元，所述设备前后端模块内设有至少一个微清洁装置，所述微清洁装置使污染物燃烧后被所述排气单元排走。本发明专利技术利用在设备前后端模块内设有至少一个微清洁装置去除沉积于设备前后端模块中的污染物，防止设备前后端模块被污染物腐蚀。本发明专利技术还提出一种具有该设备前后端模块的半导体加工站。

【技术实现步骤摘要】
设备前后端模块及具有该设备前后端模块的半导体加工站
本专利技术涉及半导体加工
，特别是一种设备前后端模块及具有该设备前后端模块的半导体加工站。
技术介绍
在加工半导体的过程中，通常通过半导体加工站的工艺腔室对晶圆作各种工艺处理，例如刻蚀(Etch)工艺，其使用含卤族元素(氟、氯、溴)的气体或化合物在射频电压的作用下产生等离子体，由等离子体对晶圆表面进行刻蚀以形成需要的图形。刻蚀完成后，晶圆被传送至半导体加工站的设备前后端模块，此时晶圆表面残留的卤素气体或化合物会跟设备前后端模块内的水汽发生反应，并沉积于设备前后端模块中。设备前后端模块内的污染物不仅会腐蚀设备前后端模块，还可能污染后续经过设备前后端模块的其他晶圆。现有的设备前后端模块以排气的方式来维持清洁，这种方式可以去除部分易被气流带动的污染物，但清洁不充分，剩余的污染物会持续沉积于设备前后端模块中，对良率有较大的影响，还需增加定期清洁的频率，降低了生产效率，且增加了生产成本。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种设备前后端模块，其包括顶壁、底壁及多个内侧壁，所述顶壁与所述底壁相对设置，多个所述内侧壁依次相连，并分别与所述顶壁与所述底壁相连，其中一个所述内侧壁与装载互锁腔室相邻并设有第一装载互锁门，所述内侧壁或所述底壁上设有排气单元，其特征在于：所述设备前后端模块内设有至少一个微清洁装置，所述微清洁装置使污染物燃烧后被所述排气单元排走。/n

【技术特征摘要】
1.一种设备前后端模块，其包括顶壁、底壁及多个内侧壁，所述顶壁与所述底壁相对设置，多个所述内侧壁依次相连，并分别与所述顶壁与所述底壁相连，其中一个所述内侧壁与装载互锁腔室相邻并设有第一装载互锁门，所述内侧壁或所述底壁上设有排气单元，其特征在于：所述设备前后端模块内设有至少一个微清洁装置，所述微清洁装置使污染物燃烧后被所述排气单元排走。


2.如权利要求1所述的设备前后端模块，其特征在于：所述微清洁装置设于所述设备前后端模块的与所述装载互锁腔室相邻的所述内侧壁上并位于所述第一装载互锁门与所述设备前后端模块的底壁之间。


3.如权利要求1或2所述的设备前后端模块，其特征在于：所述微清洁装置包括两个相对的接地电极、位于所述两个接地电极之间的加热电极及容纳所述接地电极与所述加热电极的基体，所述基体内开设有与所述加热电极相邻的通气管路，所述加热电极接射频范围的交流电后，能够在极短的时间内将所述通气管路处的温度升高，使得通过所述通气管路的物质燃烧。


4.一种半导体加工站，其包括至少一个处理模块、至少一个装载互锁腔室、中心传送机构及设备前后端模块，所述装载互锁腔室位于所述设备前后端模块与所述中心传送机构之间，所述中心传送机构用于在所述装载互锁腔室及所述处理模块之间依次传送基片，所述设备前后端模块与所述装载互锁腔室相邻的内侧壁上设有一第一装载互锁门，以区隔及连通所述设...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建澔，具德滋，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37