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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质制造方法及图纸
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下载衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质的技术资料
文档序号:28324083
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本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质,提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术,在前处理工序的第一步骤中,判定是否执行对构成装置的部件...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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