【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机化合物、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置
本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
也就是说,本专利技术的一个方式涉及一种物体、方法、制造方法或驱动方法。或者,本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。此外,具体而言,作为一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置等。
技术介绍
由于在一对电极之间夹有EL层的发光器件(也称为有机EL器件、发光元件)具有薄型轻量、对输入信号的高速响应性及低功耗等特性,所以使用上述发光器件的显示器作为下一代平板显示器受到极大的关注。发光器件通过在一对电极之间施加电压,从各电极注入的电子和空穴在EL层中再结合而EL层所包含的发光物质(有机化合物)成为激发态,当该激发态返回到基态时发光。另外,作为激发态的种类,可以举出单重激发态(S*)和三重激发态(T*),其中由单重激发态的发光被称为荧光,而由三重激发态的发光被称为磷光。另外,在发光器件中,单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比例被认为是S*:T*=1:3。从发光物质得到的发射光谱是该发光物质特有的,并且通过将不同种类的有机化合物用作发光物质,可以得到发射各种发光颜色的发光器件。关于这种发光器件,为了提高其元件特性,正在积极地进行元件结构的改进、材料的开发等(例如,参照专利文献1)。[先行技术文献] ...
【技术保护点】
1.一种由通式(G1)表示的有机化合物:/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180920 JP 2018-1760891.一种由通式(G1)表示的有机化合物:
[化学式1]
在通式中:
Q1表示氧或硫;
Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的稠合芳香烃环;
形成所述稠合芳香烃环的碳原子的个数为6以上且25以下;
m及n分别独立地为0或1;
A表示取代或未取代的苯并噻吩并咔唑环、苯并呋喃并咔唑环、吲哚咔唑环和茚并咔唑环中的任一个;
Htuni表示具有空穴传输性的骨架;以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。
2.一种由通式(G2)表示的有机化合物:
[化学式2]
在通式中:
Q1表示氧或硫;
Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的稠合芳香烃环;
形成所述稠合芳香烃环的碳原子的个数为6以上且25以下;
m及n分别独立地为0或1;
A表示取代或未取代的苯并噻吩并咔唑环、苯并呋喃并咔唑环、吲哚咔唑环和茚并咔唑环中的任一个;
Htuni表示具有空穴传输性的骨架;以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。
3.一种由通式(G3)表示的有机化合物:
[化学式3]
在通式中:
Q1表示氧或硫;
A表示取代或未取代的苯并噻吩并咔唑环、苯并呋喃并咔唑环、吲哚咔唑环和茚并咔唑环中的任一个;
Htuni表示具有空穴传输性的骨架;以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。
4.一种由下述通式(G4)表示的有机化合物:
[化学式4]
在通式中:
Q1表示氧或硫;
A表示取代或未取代的苯并噻吩并咔唑环、苯并呋喃并咔唑环、吲哚咔唑环和茚并咔唑环中的任一个;
Htuni表示具有空穴传输性的骨架;以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机化合物,
其中所述A由下述通式(G-A-1)、通式(G-A-2)和通式(G-A-3)中的任一个表示:
[化学式5]
在通式中:
Q2表示氧、硫或N-R11;
通式(G-A-1)的R11或R14至R19中的任一个、通式(G-A-2)的R12或R15至R19中的任一个、通式(G-A-3)的R12、R13或R16至R19中的任一个各自表示键;
其他的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷...
【专利技术属性】
技术研发人员:原朋香,鸟巢桂都,吉住英子,佐佐木俊毅,木户裕允,濑尾哲史,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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