半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的制作方法。该方法包括在存储单元阵列区和周边电路区中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽；形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层；在存储单元阵列区和周边电路区表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列区的图案转移层和周边电路区的图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形之间存在正高度差；以存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形为窗口，去除相邻源/漏接触孔隔离沟槽之间的以及周边电路区中的第一绝缘介质层，在存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形，并在周边电路区形成源/漏接触孔图形。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
随着半导体存储器关键尺寸在不断的缩小，器件结构的集成度随之越来越高，尤其在关键尺寸小于20nm的DRAM(DynamicRandomAccessMemory，即动态随机存取存储器)制造过程中，对源/漏接触孔尺寸以及制程工艺要求也越来越高。源/漏接触孔填充的多晶硅与有源区的良好接触，能够大幅降低电容连接线的阻值，提高器件的性能。目前工艺中，是通过在周边区盖一层光阻，然后利用酸洗的方法将存储区的牺牲氧化材料去除，从而形成源/漏接触孔。但是，通过酸洗的方法除去牺牲氧化材料的过程中，由于酸具有较强的化学性，会与周边区的光阻发生反应，生成的副产物掉落在形成的源/漏接触孔内，导致填入的多晶硅与有源区发生接触不良，增大电容连接导线的阻值，影响器件的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体器件的制作方法，以解决目前半导体器件中电容连接线与有源区接触不良的问题。本专利技术实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；/n在所述存储单元阵列区和所述周边电路区中形成第一绝缘介质层，并图形化所述存储单元阵列区中的所述第一绝缘介质层，定义出源/漏接触孔隔离沟槽；/n形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层填充所述源/漏接触孔隔离沟槽，且与所述第一绝缘介质层表面齐平；/n在所述存储单元阵列区和所述周边电路区表面形成图案转移层；/n分步图形化所述存储单元阵列区的所述图案转移层和所述周边电路区的所述图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且所述存储单元阵列区待转移图形和所述周边电路区待转移图形之间...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；
在所述存储单元阵列区和所述周边电路区中形成第一绝缘介质层，并图形化所述存储单元阵列区中的所述第一绝缘介质层，定义出源/漏接触孔隔离沟槽；
形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层填充所述源/漏接触孔隔离沟槽，且与所述第一绝缘介质层表面齐平；
在所述存储单元阵列区和所述周边电路区表面形成图案转移层；
分步图形化所述存储单元阵列区的所述图案转移层和所述周边电路区的所述图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且所述存储单元阵列区待转移图形和所述周边电路区待转移图形之间存在正高度差；
以所述存储单元阵列区待转移图形和所述周边电路区待转移图形为窗口，去除相邻所述源/漏接触孔隔离沟槽之间的所述第一绝缘介质层和所述周边电路区中的所述第一绝缘介质层，以在所述存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形，并在所述周边电路区形成源/漏接触孔图形。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述图形转移层包括硬掩膜层和抗反射涂层，所述抗反射涂层位于所述硬掩膜层之上。


3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，分步图形化所述存储单元阵列区的所述图案转移层和所述周边电路区的所述图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，包括：
在所述抗反射涂层上形成第一光刻胶层，进行第一次光刻工艺，图形化所述抗反射涂层，使得所述存储单元阵列区和所述周边电路区中形成抗反射涂层图形；
形成第二光刻胶层，并进行第二次光刻工艺，图形化刻蚀所述第二光刻胶层以暴露出所述周边电路区内的所述抗反射涂层图形；
蚀刻所述周边电路区中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙正庆，徐朋辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34