存储装置制造方法及图纸

提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层，该存储元件群的每一个都包括多个存储元件，该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电连接。氧化物层包括与第一晶体管的半导体层接触的区域。在邻接的存储元件群之间设置第二晶体管。对第二晶体管的源电极和漏电极中的一个或两个供应高电源电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储装置
本专利技术的一个方式涉及一种存储装置、半导体装置或使用这些装置的电子设备。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等有时包括半导体装置。此外，显示装置、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等也可以说是半导体装置。
技术介绍
作为可以用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知，而作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：/n延伸在第一方向上的多个第一布线；/n多个氧化物层；/n第一存储元件群；以及/n第二存储元件群，/n其中，所述多个第一布线包括：/n与所述第一存储元件群重叠的区域；以及/n与所述第二存储元件群重叠的区域，/n所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域，/n所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件，/n所述多个存储元件的每一个都包括晶体管及电容器，/n在所述多个存储元件的每一个中，/n所述晶体管的栅电极与所述多个第一布线中之一电连接，/n所述晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域，/n并且，配置在所述第一存储元件群的端...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180809 JP 2018-150387;20180809 JP 2018-1505951.一种存储装置，包括：
延伸在第一方向上的多个第一布线；
多个氧化物层；
第一存储元件群；以及
第二存储元件群，
其中，所述多个第一布线包括：
与所述第一存储元件群重叠的区域；以及
与所述第二存储元件群重叠的区域，
所述多个氧化物层中之一包括沿着所述第一布线中之一的侧面延伸的区域，
所述第一存储元件群和所述第二存储元件群包括多个存储元件，
所述多个存储元件的每一个都包括晶体管及电容器，
在所述多个存储元件的每一个中，
所述晶体管的栅电极与所述多个第一布线中之一电连接，
所述晶体管的半导体层包括与所述多个氧化物层中之一接触的区域，
并且，配置在所述第一存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极与配置在所述第二存储元件群的端部的存储元件所包括的晶体管的栅电极之间的最短距离为3.5μm以下。


2.根据权利要求1的存储装置，
其中所述最短距离为2.3μm以下。


3.根据权利要求1或权利要求2的存储装置，
其中包括延伸在第二方向上的多个第二布线,
并且在所述多个存储元件的每一个中，所述晶体管的源电极和漏电极中的一个与所述多个第二布线中的一个电连接。


4.根据权利要求3的存储装置，
其中在所述多个存储元件的每一个中，所述晶体管的源电极和漏电极中的另一个与所述电容器电连接。


5.权利要求1至权利要求4中任一项的存储装置，
其中所述多个氧化物层中之一包括隔着绝缘层与所述第一布线中之一重叠的区域。


6.权利要求1至权利要求5中任一项的存储装置，
其中所述氧化物层包含铟和锌中的一个或两个。


7.权利要求1至权利要求6中任一项的存储装置，
其中所述半导体层包含铟和锌中的一个或两个。


8.权利要求1至权利要求7中任一项的存储装置，还包括延伸在第一方向上的多个第三布线，
其...

【专利技术属性】
技术研发人员：大贯达也，加藤清，热海知昭，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP