自旋电子器件、磁存储器以及电子设备制造技术

提供自旋电子器件、磁存储器以及电子设备，能够在不依赖于特定材料的情况下生成大自旋流。自旋电子器件(1)具有导电层(2)、载流子迁移率或电导率比导电层(2)低的导电层(3)、以及导电层(2、3)之间的边界区域(4)。边界区域(4)具有载流子迁移率或电导率的梯度，通过由该梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自旋电子器件、磁存储器以及电子设备
本公开涉及自旋电子器件、磁存储器以及电子设备。本申请主张基于2018年9月5日申请的日本申请第2018-165900号的优先权，援引了所述日本申请中记载的全部记载内容。
技术介绍
在非专利文献1、2中，公开了源于磁性体的磁化运动的自旋的扩散运动有关的研究。另外，在非专利文献3、4中，公开了在铂(Pt)等贵金属中上自旋和下自旋相互逆向散射的相对论效应有关的研究。现有技术文献非专利文献非专利文献1：Mizukamietal.，“ThestudyonferromagneticresonancelinewidthforNM/80NiFe/NM(NM＝Cu，Ta，PdandPt)films”，JapaneseJournalofAppliedPhysics，40(2A)，p.580，(2001)非专利文献2：Urbanetal.，“GilbertDampinginSingleandMultilayerUltrathinFilms：RoleofInterfacesinNonlocalSpin本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自旋电子器件，其中，/n该自旋电子器件具有如下的区域：该区域具有载流子迁移率或电导率的梯度，/n通过由所述梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180905 JP 2018-1659001.一种自旋电子器件，其中，
该自旋电子器件具有如下的区域：该区域具有载流子迁移率或电导率的梯度，
通过由所述梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。


2.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其中，
该自旋电子器件还具有：
第1导电层；以及
第2导电层，该第2导电层的载流子迁移率或电导率低于所述第1导电层，
所述区域是所述第1导电层与所述第2导电层的边界区域。


3.根据权利要求2所述的自旋电子器件，其中，
该自旋电子器件不具有与所述第1导电层相邻的铁磁性层。


4.根据权利要求2或3所述的自旋电子器件，其中，
所述第2导电层包含构成所述第1导电层的材料的氧化物。


5.根据权利要求4所述的自旋电子器件，其中，
所述第1导电层主要含有铜，所述第2导电层主要含有氧化铜。


6.根据权利要求2或3所述的自旋电子器件，其中，
所述第2导电层由除构成所述第1导电层的材料的氧化物之外的其他材料构成。


7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的自旋电子器件，其中，
通过由所述电子的速度场的旋转产生的角动量来生成所述自旋流。


8.一种自旋电子器件，其具有：
第1导电层；以及
第2导电层，该第2导...

【专利技术属性】
技术研发人员：能崎幸雄，
申请(专利权)人：学校法人庆应义塾，
类型：发明
国别省市：日本;JP