存储元件和存储装置制造方法及图纸

根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储元件和存储装置
本公开涉及：在电极之间包括硫族化物层的存储元件；以及包括该存储元件的存储装置。
技术介绍
近年来，要求增加由诸如ReRAM(电阻随机存取存储器)(注册商标)或PRAM(相变随机存取存储器)(注册商标)之类的电阻变化型存储器所代表的数据存储非易失性存储器的容量。为了解决这个问题，例如，专利文献1公开了一种交叉点型存储装置(存储器单元阵列)，其中在相交布线的各个交点(交叉点)处布置存储器单元。存储器单元具有以下构造：其中存储器元件和单元选择切换元件例如隔着其间的中间电极彼此堆叠。引文列表专利文献专利文献1：国际公开No.WO2016/158429
技术实现思路
同时，在交叉点型存储器单元阵列中进一步要求更高的容量。期望提供一种使得能够实现更高容量的存储元件和存储装置。根据本公开的一个实施例的存储元件包括第一电极、第二电极和存储层。第二电极布置成与第一电极对置。存储层设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的一种或多种硫族元素、过渡金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储元件，包括：/n第一电极；/n布置成与所述第一电极对置的第二电极；和/n存储层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的一种或多种硫族元素、过渡金属以及氧，其中/n所述存储层具有非线性的电阻特性，并且通过将施加电压设定为等于或高于预定阈值电压而使所述存储层处于低电阻状态，并且通过将施加电压设定为低于所述预定阈值电压而使所述存储层处于高电阻状态，从而具有整流特性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180125 JP 2018-0102291.一种存储元件，包括：
第一电极；
布置成与所述第一电极对置的第二电极；和
存储层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的一种或多种硫族元素、过渡金属以及氧，其中
所述存储层具有非线性的电阻特性，并且通过将施加电压设定为等于或高于预定阈值电压而使所述存储层处于低电阻状态，并且通过将施加电压设定为低于所述预定阈值电压而使所述存储层处于高电阻状态，从而具有整流特性。


2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述过渡金属包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层包括55原子％以上的氧原子。


4.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层包括氧化碲。


5.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层包括所述过渡金属的氧化物。


6.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层还包括硼...

【专利技术属性】
技术研发人员：大场和博，野野口诚二，清宏彰，曾根威之，五十岚实，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP