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本发明涉及一种半导体器件的制作方法。该方法包括在存储单元阵列区和周边电路区中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽；形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层；在存储单元阵列区和周边电路区表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列区的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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