一种整流半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种整流半导体器件。该器件包括第一到第四共四个金属基片、两个第一芯片和两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：第一和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别向外延伸至塑封体外部以形成两直流输出端，第三和第四金属基片设置在塑封体内并且向外延伸至所述塑封体外部以形成两交流输入端，第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中一个第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。本发明专利技术的方案增加了芯片和铜片的表面接触效果，提高了通电和散热效率。提高了通电和散热效率。提高了通电和散热效率。

【技术实现步骤摘要】
一种整流半导体器件


[0001]本专利技术一般地涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及一种整流半导体器件。

技术介绍

[0002]现有散热片结构的表面贴封整流器件，背面的散热片本身也是连接内部芯片的金属基片。在一些应用场景中，可以将构成整流桥的四个二极管芯片布置在相应金属基片上并通过跳片(或称连接片)进行连接。为了满足整流桥器件的性能要求，所使用的4个二极管芯片可以是同规格的具有较高可靠特性的光阻工艺玻璃钝化器件(Glassivation Passivation Parts，“GPP”)芯片，其结构可以如图1所示。
[0003]图1所示的为N型衬底GPP芯片结构，芯片的正面台面作为芯片正极。由于GPP芯片的光阻工艺，芯片正面台面的边缘通常设有玻璃保护形成凸起。在器件的加工过程中，为了使整流桥的四颗芯片合理排布以形成整流回路，需要两颗芯片正极朝下与相应金属基片进行连接。进一步，为了确保金属基片和芯片正极的有效接触，并减少和芯片上玻璃凸起的直接接触而破坏玻璃凸起保护，通常都是在金属基片上打出凸点。然而，该做法会在金属基片背部形成凹点，而这样的金属基片与PCB板贴合时就会形成空腔，不利于整流桥的导热。另外，为了能精准打出凸点，金属基片的厚度会受限制，一般都不会大于预设厚度，否则无法打出凸点，因此导致金属基片的热容量受限，影响器件的高温特性。最后，当使用跳片对芯片连接时，还需要考虑跳片和相关金属基片的位置布置关系以避免二者之间的干扰。

技术实现思路

[0004]本专利技术的方案旨在至少解决上述提到的问题，提供一种新的整流芯片封装结构。具体地，本专利技术提供一种整流半导体器件，其特征在于，包括第一金属基片、第二金属基片、第三金属基片、第四金属基片、两个第一芯片、两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：
[0005]所述第一金属基片和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别设置在所述塑封体内两侧并向外延伸至所述塑封体外部，以形成两直流输出端，
[0006]所述第三金属基片和第四金属基片分别相对于所述第一金属基片和第二金属基片设置在所述塑封体内，并且向外延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端，
[0007]所述第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中所述两个第一芯片通过各自N极布置在所述第一金属基片上，所述两个第二芯片通过各自P极布置在所述第二金属基片上，并且一个所述第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到所述第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。
[0008]在一个实施例中，所述第一金属基片和第二金属基片分别设置在所述塑封体内的左右两侧并向上延伸至塑封体外部，以形成两直流输出端。
[0009]在一个实施例中，所述第三金属基片和第四金属基片分别设置在所述第一金属基片和第二金属基片的下侧，并向下延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端。
[0010]在一个实施例中，所述N型衬底GPP芯片的正面台面设为P极，P型衬底GPP芯片的正面台面设为N极。
[0011]在一个实施例中，所述N型衬底GPP芯片和P型衬底GPP芯片的正面台面的边缘均设有玻璃保护凸起。
[0012]在一个实施例中，其特征在于，所述两个第一芯片和两个第二芯片的排列方向均与直流输出端方向相同。
[0013]在一个实施例中，所述第一金属基片和第二金属基片共平面。
[0014]在一个实施例中，所述第一金属基片和第二金属基片的底部与所述塑封体底部共平面。
[0015]在一个实施例中，所述整流半导体器件是散热片结构表面贴装整流桥。
[0016]在前述的整流半导体器件和多个实施例中，所述金属跳线包括铝线或铜线。
[0017]本专利技术的整流半导体器件通过改变芯片结构，分别采用两个N型衬底GPP芯片和两个P型衬底GPP芯片，将其连接于整流桥电路中，从而能够在不破坏GPP芯片的玻璃保护凸起的前提下，实现采用平面无凹点结构的金属基片作为散热片。由此，避免因凹点形成的空腔，增加整流桥的导热性。由此，本专利技术的方案增加了芯片和铜片的表面接触效果，提高了通电和散热效率。进一步，由于本专利技术的金属基片无需打凸点，因此其可在适当范围内增加一定厚度。由此，本专利技术的方案解决了金属基片因厚度受限而导致的热容量受限的问题，从而有利于提高器件的高温性能。另外，通过利用跳线而非跳片来将芯片连接到金属基片，本专利技术的方案也克服了由于跳片可能引入的干扰问题。
附图说明
[0018]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
[0019]图1是根据本专利技术实施例的第一芯片的结构示意图；
[0020]图2是根据本专利技术实施例的第二芯片的结构示意图；
[0021]图3是根据本专利技术实施例的整流半导体器件的主视图；
[0022]图4是根据本专利技术实施例的整流半导体器件的立体结构图；以及
[0023]图5是根据本专利技术实施例的整流半导体器件的后视图。
[0024]图中：1.第一金属基片，2.第二金属基片，3.第三金属基片，4.第四金属基片，5.第一芯片，6.第二芯片，7.跳线，8.塑封体，11.玻璃保护凸起。
具体实施方式
[0025]下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0026]图1和图2分别示出根据本专利技术实施例的第一芯片和第二芯片的结构示意图。如图1和图2所示，根据本专利技术的第一芯片和第二芯片可以是GPP芯片。在一个实施例中，如图1中
所示，本专利技术的第一芯片可以是N型衬底GPP芯片，其正面台面可以设为P极，并且该N型衬底GPP芯片的正面台面的边缘设有玻璃保护凸起11。类似地，在一个实施例中，如图2中所示，本专利技术的第二芯片可以是P型衬底GPP芯片，因而其正面台面可以设为N极，并且该P型衬底GPP芯片的正面台面的边缘出设有玻璃保护凸起11。
[0027]图3是根据本专利技术实施例的整流半导体器件的主视图。如图3中所示，本专利技术的整流半导体器件包括第一金属基片1、第二金属基片2、第三金属基片3、第四金属基片4、两个第一芯片5、两个第二芯片6、金属跳线7和塑封体8。根据应用的需要，本专利技术的整流半导体器件也可以用作散热片结构表面贴装整流桥。
[0028]在一个实施例中，所述第一金属基片1和第二金属基片2的底部均为平面无凸点结构，并且分别设置在所述塑封体8内两侧并向外延伸至所述塑封体8外部，以形成两直流输出端(如图中的正极“+”和负极
“‑”
所示出的)。在一个实现场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流半导体器件，其特征在于，包括第一金属基片、第二金属基片、第三金属基片、第四金属基片、两个第一芯片、两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：所述第一金属基片和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别设置在所述塑封体内两侧并向外延伸至所述塑封体外部，以形成两直流输出端，所述第三金属基片和第四金属基片分别相对于所述第一金属基片和第二金属基片设置在所述塑封体内，并且向外延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端，所述第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中所述两个第一芯片通过各自N极布置在所述第一金属基片上，所述两个第二芯片通过各自P极布置在所述第二金属基片上，并且一个所述第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到所述第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。2.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第一金属基片和第二金属基片分别设置在所述塑封体内的左右两侧并向上延伸至塑封体外部，以形成两直流输出端。3.根据权利要求2所述的整流半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆新城，代勇敏，段花山，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：