一种整流半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种整流半导体器件。该器件包括第一到第四共四个金属基片、两个第一芯片和两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：第一和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别向外延伸至塑封体外部以形成两直流输出端，第三和第四金属基片设置在塑封体内并且向外延伸至所述塑封体外部以形成两交流输入端，第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中一个第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。本发明专利技术的方案增加了芯片和铜片的表面接触效果，提高了通电和散热效率。提高了通电和散热效率。提高了通电和散热效率。

【技术实现步骤摘要】
一种整流半导体器件


[0001]本专利技术一般地涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及一种整流半导体器件。

技术介绍

[0002]现有散热片结构的表面贴封整流器件，背面的散热片本身也是连接内部芯片的金属基片。在一些应用场景中，可以将构成整流桥的四个二极管芯片布置在相应金属基片上并通过跳片(或称连接片)进行连接。为了满足整流桥器件的性能要求，所使用的4个二极管芯片可以是同规格的具有较高可靠特性的光阻工艺玻璃钝化器件(Glassivation Passivation Parts，“GPP”)芯片，其结构可以如图1所示。
[0003]图1所示的为N型衬底GPP芯片结构，芯片的正面台面作为芯片正极。由于GPP芯片的光阻工艺，芯片正面台面的边缘通常设有玻璃保护形成凸起。在器件的加工过程中，为了使整流桥的四颗芯片合理排布以形成整流回路，需要两颗芯片正极朝下与相应金属基片进行连接。进一步，为了确保金属基片和芯片正极的有效接触，并减少和芯片上玻璃凸起的直接接触而破坏玻璃凸起保护，通常都是在金属基片上打出凸点。然而，该做法会在金属基片背部形成凹点，而这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流半导体器件，其特征在于，包括第一金属基片、第二金属基片、第三金属基片、第四金属基片、两个第一芯片、两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：所述第一金属基片和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别设置在所述塑封体内两侧并向外延伸至所述塑封体外部，以形成两直流输出端，所述第三金属基片和第四金属基片分别相对于所述第一金属基片和第二金属基片设置在所述塑封体内，并且向外延伸至所述塑封体外部，以形成两交流输入端，所述第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中所述两个第一芯片通过各自N极布置在所述第一金属基片上，所述两个第二芯片通过各自P极布置在所述第二金属基片上，并且一个所述第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到所述第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。2.根据权利要求1所述的整流半导体器件，其特征在于，所述第一金属基片和第二金属基片分别设置在所述塑封体内的左右两侧并向上延伸至塑封体外部，以形成两直流输出端。3.根据权利要求2所述的整流半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆新城，代勇敏，段花山，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：