集成电路装置制造方法及图纸

公开了一种集成电路装置。根据发明专利技术构思的集成电路装置包括：下布线结构，位于基底上；气隙，布置在下布线结构之间；盖层，覆盖气隙的上表面；蚀刻停止层，共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构；绝缘层，覆盖蚀刻停止层；以及上布线结构，穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面，其中，上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分，并且盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高。构的上表面的水平高。构的上表面的水平高。

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置
[0001]本申请要求于2019年10月25日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0134103号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及一种集成电路装置及其制造方法，更具体地，涉及一种包括多层布线结构的集成电路装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]随着电子工业的快速发展并且响应于用户的请求，电子装置在尺寸方面减小并且/或者设置有多种功能。因此，集成电路装置的缩小规模也在快速发展，并且包括在集成电路装置中的多层布线结构的线宽和节距正在减小。因此，开发具有多层布线结构的集成电路装置具有越来越大的益处，在多层布线结构中，减小或抑制了电流的泄漏并且/或者减小了寄生电容，从而表现出改善的电特性和/或可靠性。

技术实现思路

[0004]专利技术构思提供了通过在过孔位于其上的布线周围形成气隙来减小或最大地减小寄生电容而具有改善的电特性和/或可靠性的集成电路装置及其制造方法。
[0005]专利技术构思还提供了通过减少或抑制多层布线结构中的电流泄漏来减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：下布线结构，位于基底上，下布线结构包括位于下布线结构中的相邻下布线结构之间的气隙；盖层，覆盖气隙的上表面；蚀刻停止层，共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构；绝缘层，覆盖蚀刻停止层；以及上布线结构，穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面，其中，上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分，并且盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，在剖视图中，下布线结构包括：第一下布线结构，连接到上布线结构；以及第二下布线结构，不连接到上布线结构，其中，第一下布线结构和与其最接近的第二下布线结构之间的最短距离比上布线结构覆盖盖层的上表面的部分和与其最接近的第二下布线结构之间的最短距离小。3.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括围绕气隙的侧表面和下表面的绝缘阻挡层，其中，绝缘阻挡层和盖层包括不同的材料。4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，绝缘阻挡层覆盖盖层的侧表面，并且蚀刻停止层覆盖盖层的上表面和绝缘阻挡层的上表面。5.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，盖层包括：第一盖层，共形地覆盖绝缘阻挡层的侧表面的一部分和气隙的上表面；以及第二盖层，填充第一盖层。6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，气隙的水平宽度小于盖层的竖直厚度。7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，绝缘层和盖层包括不同的材料，或者包括相同的材料但具有不同的密度。8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，绝缘层的下表面是具有与蚀刻停止层的突出和凹进结构的相位相反的相位的突出和凹进结构。9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，每个下布线结构的上表面的水平比气隙的上表面的水平高，并且每个下布线结构的上表面的水平比盖层的下表面的水平高。10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，每个下布线结构的上表面的水平比气隙的上表面的水平低，并且每个下布线结构的上表面的水平比盖层的下表面的水平低。11.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：下布线结构，在基底的上表面上沿第一方向间隔开，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且在垂直于基底的上表面的第三方向上彼此齐平，气隙位于下布线结构之间并且具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：安商燻，李禹镇，韩奎熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：