一种低氯高纯二氧化锗制备系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体，所述壳体的内壁固定连接有横板，所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管，所述壳体的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆，所述转杆的表面固定连接有搅拌板，所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱，所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱，所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管，所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管。本实用新型专利技术解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。含有大量氯离子的问题。含有大量氯离子的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低氯高纯二氧化锗制备系统


[0001]本技术涉及二氧化锗制备
，具体为一种低氯高纯二氧化锗制备系统。

技术介绍

[0002]二氧化锗分子式二氧化锗，物理性状为白色粉末或无色结晶，目前广泛应用于红外探测，光纤掺杂等高科技领域与国防领域，同时也可用于光谱分析及半导体材料等方面，是一种具有极高应用价值的战略物质，制备二氧化锗的主要方法有两种：一为火法工艺，即在电弧炉内通入氧气，高温氧化锗粉从而制得二氧化锗，火法技术具有以下缺点：电弧炉造价高昂，一台电弧炉往往造价数十万以上，小型企业无力承担，火法工艺能源消耗高，使用成本昂贵，通入的氧气为4N(99.99％)或者5N(99.999％)的高纯氧气，成本昂贵，二为湿法工艺，即水解四氯化锗，然后高温裂解，湿法技术也具有以下缺点：四氯化锗的成本昂贵，四氯化锗的主流制备方法是用锗与氯气在加热条件下合成，其成本高昂，且污染很大，对操作人员有危害，四氯化锗的熔点为
‑
49.5
°
C，常温下为发烟液体，极易挥发，且有剧毒，对操作人员有危害，采用四氯化锗制备得到的二氧化锗中的氯离子含量高，这对二氧化锗的性能影响大，总的来说现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种低氯高纯二氧化锗制备系统，具备成本低廉、流程简单、对环境与操作人员友好、工艺周期短、得到的二氧化锗纯度高、白度高和不含氯离子的优点，解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体，所述壳体的内壁固定连接有横板，所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管，所述壳体的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆，所述转杆的表面固定连接有搅拌板，所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱，所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱，所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管，所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管，所述弯管远离双氧水箱和氨水箱的一端分别与壳体两侧的顶部固定连通，所述弯管的表面设置有第一电磁阀，所述壳体内腔左侧的顶部固定连接有过滤网，所述过滤网的底部与横板顶部的左侧固定连接，所述壳体左侧的顶部固定连通有U型管，所述U型管的一端与壳体左侧的底部固定连通，所述U型管的表面设置有第二电磁阀，所述壳体表面的底部固定套设有罩体，所述罩体顶部的左侧固定连通有进油管，所述壳体两侧的底部均固定连接有加热丝，所述壳体内腔顶部的右侧固定连接有第一温度传感器，所述壳体内腔右侧的底部固定连接有第二温度传感器，所述壳体右侧的底部固定连通有排气管，所述排气管的表面设置有第三电磁阀，
所述壳体的左侧固定连通有进气管，所述进气管的表面设置有第四电磁阀，所述壳体的底部固定连通有排料管，所述排料管的表面设置有第一阀门，所述壳体的底部固定连接有支腿。
[0005]优选的，所述罩体左侧的底部固定连接有第二电机，所述第二电机转轴的右端贯穿至罩体的内腔并固定连接有横杆，所述横杆的右端贯穿至壳体的内腔并通过密封轴承与壳体内腔右侧的底部活动连接，所述横杆位于壳体一端的表面固定连接有搅拌杆。
[0006]优选的，所述横杆和壳体之间设置有密封轴承，密封轴承套设在横杆的表面，所述罩体的左侧开设有与第二电机转轴相适配的第一通孔，第二电机转轴的直径小于第一通孔的直径。
[0007]优选的，所述壳体的右侧固定连接有空气制冷机，所述壳体右侧的顶部通过支座固定连接有风机，所述风机出风管的底部与空气制冷机进风管的顶部固定连通，所述空气制冷机出风管的底部固定连通有输送管，所述输送管远离空气制冷机的一端贯穿至壳体的内腔，所述输送管位于壳体内腔一端的表面固定连通喷头，所述输送管位于壳体外部一端的表面设置有第五电磁阀。
[0008]优选的，所述壳体的右侧固定连通有排渣管，所述排渣管的表面设置有第二阀门。
[0009]优选的，所述壳体正面的顶部固定连接有液位窗，液位窗的正面喷涂有刻度线，所述壳体正面的底部固定连接有观察窗，所述壳体的顶部开设有与第一电机转轴相适配的第二通孔，所述第一电机转轴的直径小于第二通孔的直径。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0011]1、本技术通过壳体、横板、进料管、第一电机、转杆、搅拌板、双氧水箱、氨水箱、加液管、弯管、第一电磁阀、过滤网、U型管、第二电磁阀、罩体、进油管、加热丝、第一温度传感器、第二温度传感器、排气管、第三电磁阀、进气管、第四电磁阀、排料管、第一阀门和支腿进行配合，具备成本低廉、流程简单、对环境与操作人员友好、工艺周期短、得到的二氧化锗纯度高、白度高和不含氯离子的优点，解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。
[0012]2、本技术通过设置第二电机、横杆和搅拌杆，进行搅拌加快滤液的浓缩和结晶过程，通过设置密封轴承，防止壳体内的滤液进入到罩体内，同时对横杆进行固定，使横杆在转动时更加的稳定，通过设置空气制冷机、风机、输送管和喷头，加快锗酸冷却结晶的过程，通过设置排渣管和第二阀门，便于将未通过过滤网的杂质进行排出，通过设置液位窗和刻度线，便于观察壳体内进料的情况。
附图说明
[0013]图1为本技术结构示意图；
[0014]图2为本技术局部俯视剖视示意图；
[0015]图3为本技术正视结构示意图。
[0016]图中：1壳体、2横板、3进料管、4第一电机、5转杆、6搅拌板、7双氧水箱、8氨水箱、9加液管、10弯管、11第一电磁阀、12过滤网、13 U型管、14第二电磁阀、15罩体、16进油管、17加热丝、18第一温度传感器、19第二温度传感器、20排气管、21第三电磁阀、22进气管、23第
四电磁阀、24排料管、25第一阀门、26支腿、27第二电机、28横杆、29搅拌杆、30空气制冷机、31风机、32输送管、33喷头、34第五电磁阀、35排渣管、36第二阀门。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
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3，一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体1，壳体1的内壁固定连接有横板2，壳体1顶部的右侧固定连通有进料管3，壳体1的顶部固定连接有第一电机4，第一电机4转轴的底部贯穿至壳体1的内腔并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）的内壁固定连接有横板（2），所述壳体（1）顶部的右侧固定连通有进料管（3），所述壳体（1）的顶部固定连接有第一电机（4），所述第一电机（4）转轴的底部贯穿至壳体（1）的内腔并固定连接有转杆（5），所述转杆（5）的表面固定连接有搅拌板（6），所述壳体（1）顶部的左侧固定连接有双氧水箱（7），所述壳体（1）顶部的右侧固定连接有氨水箱（8），所述双氧水箱（7）和氨水箱（8）的顶部均固定连通有加液管（9），所述双氧水箱（7）左侧的底部和氨水箱（8）右侧的底部均固定连通有弯管（10），所述弯管（10）远离双氧水箱（7）和氨水箱（8）的一端分别与壳体（1）两侧的顶部固定连通，所述弯管（10）的表面设置有第一电磁阀（11），所述壳体（1）内腔左侧的顶部固定连接有过滤网（12），所述过滤网（12）的底部与横板（2）顶部的左侧固定连接，所述壳体（1）左侧的顶部固定连通有U型管（13），所述U型管（13）的一端与壳体（1）左侧的底部固定连通，所述U型管（13）的表面设置有第二电磁阀（14），所述壳体（1）表面的底部固定套设有罩体（15），所述罩体（15）顶部的左侧固定连通有进油管（16），所述壳体（1）两侧的底部均固定连接有加热丝（17），所述壳体（1）内腔顶部的右侧固定连接有第一温度传感器（18），所述壳体（1）内腔右侧的底部固定连接有第二温度传感器（19），所述壳体（1）右侧的底部固定连通有排气管（20），所述排气管（20）的表面设置有第三电磁阀（21），所述壳体（1）的左侧固定连通有进气管（22），所述进气管（22）的表面设置有第四电磁阀（23），所述壳体（1）的底部固定连通有排料管（24），所述排料管（24）的表面设置有第一阀门（25），所述壳体（1）的底部固定连接有支腿（26）。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐安泰，李建平，
申请(专利权)人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司，
类型：新型
国别省市：