用于晶圆双面电镀的电镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种用于晶圆双面电镀的电镀装置，待电镀晶圆为与玻璃载板键合的超薄晶圆或外周缘为缓坡状的超薄晶圆，当待电镀晶圆为具与玻璃载板键合的超薄晶圆时，玻璃载板与待电镀晶圆的待电镀部位相对的位置处开设有窗口；电镀装置具有电镀腔，待电镀晶圆通过夹具固定于电镀腔内，电镀装置具有连接待电镀晶圆的两个待电镀面的电极组，两个待电镀面的两侧均分布有电解液和阳极板；阳极板和电极组分别连接至电源的正极和负极，当电源通电时，对两个待电镀面中的至少一个进行电镀。由此，可以实现同时对待电镀晶圆的两个待电镀面进行双面电镀，或选择其中一个待电镀面进行电镀，提高了待电镀晶圆的电镀效率和电镀的灵活性。提高了待电镀晶圆的电镀效率和电镀的灵活性。提高了待电镀晶圆的电镀效率和电镀的灵活性。

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆双面电镀的电镀装置


[0001]本专利技术涉及电子元件加工
，尤其涉及一种用于晶圆双面电镀的电镀装置。

技术介绍

[0002]集成电路技术在过去的几十年里一直遵循摩尔定律不断发展，即单位集成电路面积上可容纳的晶体管数目大约每隔18个月可以增加一倍。然而，当晶体管尺寸减小到纳米级后，想再通过减小晶体管尺寸来提升集成电路的性能己经变得非常困难，而随着人类生活品质的提高，电子产品随身携带多样性的发展，最终产品需依轻、薄、小、快的规格发展。
[0003]近年来，在封装技术上，已从传统的引线连接晶粒再连接印刷电路板的方式，发展到2.5D及三维(3D)的封装技术。“穿透硅通道(Through
‑
Silicon Vias)”技术的成熟化，使得可以上下多层堆叠，而凸块技术解决了上下层堆叠中互连需求。与传统的引线键合互联封装相比，硅通孔技术加上凸块技术连接，有导电好、功耗低及封装体积小的优点。在这透硅通道技术与凸块技术的发展过程中，镀金属工艺的能力具有重要关键性。
[0004]在晶圆生产过程中，如需晶圆正反面的镀金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆双面电镀的电镀装置，其特征在于，待电镀晶圆为与玻璃载板键合的超薄晶圆或外周缘为缓坡状的超薄晶圆，当所述待电镀晶圆为与玻璃载板键合的超薄晶圆时，所述玻璃载板与所述待电镀晶圆的待电镀部位相对的位置处开设有窗口；所述电镀装置具有电镀腔，所述待电镀晶圆通过夹具固定于所述电镀腔内，所述电镀装置具有连接所述待电镀晶圆的两个待电镀面的电极组，两个所述待电镀面的两侧均分布有电解液和阳极板；所述阳极板和所述电极组分别连接至电源的正极和负极，当所述电源通电时，对两个所述待电镀面中的至少一个进行电镀。2.根据权利要求1所述的用于晶圆双面电镀的电镀装置，其特征在于，所述夹具包括：第一夹片、第二夹片和紧固组件，所述第一夹片和所述第二夹片与所述待电镀晶圆的接触面为弹性绝缘材料层和接触电极，所述接触电极嵌埋在所述弹性绝缘材料层中，所述第一夹片和所述第二夹片通过所述紧固组件连接，以将所述待电镀晶圆夹持于所述第一夹片和所述第二夹片之间，所述电极组通过设于所述第一夹片和所述第二夹片的所述接触电极与所述待电镀晶圆的两个待电镀面连接。3.根据权利要求1所述的用于晶圆双面电镀的电镀装置，其特征在于，所述待电镀晶圆平行于水平方向固定于所述电镀腔内。4.根据权利要求3所述的用于晶圆双面电镀的电镀装置，其特征在于，所述电镀装置包括：第一壳体，所述第一壳体限定出第一腔室；第二壳体，所述第二壳体限定出第二腔室；当所述第一壳体和所述第二壳体沿竖直方向连接时，所述第一腔室和所述第二腔室构成所述电镀腔。5.根据权利要求4所述的用于晶圆双面电镀的电镀装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，施放，符德荣，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：