一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置制造方法及图纸

技术编号:28088311 阅读:20 留言:0更新日期:2021-04-14 15:48
本实用新型专利技术公开了一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,在底基片的上端两侧分别固定连接侧板,并在侧板内侧的底基片上端分别依次设置第一狭缝胶片、空腔层、第二狭缝胶片和顶基片,第一狭缝胶片和第二狭缝胶片以及空腔层的第一空腔体和第二空腔体均为热挥发性材料所制成的构件,第一狭缝胶片和第二狭缝胶片热解挥发后在空腔层的第一空腔和第二空腔上下两端分别形成第一狭缝和第二狭缝用于排气,调节狭缝截面的长宽,一方面便于制作,一方面保证功能实现,狭缝胶片的挥发温度低于空腔体的挥发温度,实现了狭缝胶片空腔体的层次性挥发,有效控制器挥发量,避免一次性挥发后导致陶瓷排胶烧结阶段撑破叠合层引起芯片基本功能结构失效的麻烦。能结构失效的麻烦。能结构失效的麻烦。

【技术实现步骤摘要】
一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置


[0001]本技术涉及传感器
,具体为一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置。

技术介绍

[0002]在使用三元催化转换器以减少排气污染的发动机上,氧传感器是必不可少的元件。由于混合气的空燃比一旦偏离理论空燃比,三元催化剂对CO、HC和NOx的净化能力将急剧下降,故在排气管中安装氧传感器,用以检测排气中氧的浓度,并向ECU发出反馈信号,再由ECU控制喷油器喷油量的增减,从而将混合气的空燃比控制在理论值附近。
[0003]而氮氧传感器的芯片结构一般由两个腔室三个泵组成,腔室结构是实现传感器功能的重要结构单元,由于实际制作腔室时是采用挥发材料填充的,但是挥发材料如果挥发温度过低,挥发量过大,在陶瓷排胶烧结阶段会撑破叠合层,导致整体结构破坏,芯片基本功能结构失效。
[0004]因此,我们推出了一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,通过在空腔层上下端分别设置与腔室相连通的用于排气的狭缝,调节狭缝截面的长宽,一方面便于制作,一方面保证功能实现,从而解决了上述背景中所提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,包括空腔机构,所述空腔机构包括底基片、侧板、第一狭缝胶片、空腔层、第二狭缝胶片和顶基片,底基片的上端两侧分别固定连接有侧板,且侧板内侧的底基片上端铺设有第一狭缝胶片,第一狭缝胶片的上端设置有空腔层,空腔层的顶部铺设有第二狭缝胶片,第二狭缝胶片的上端设置有顶基片,且顶基片的两端分别固定连接于侧板的顶部外壁上,且顶基片的底部与第二狭缝胶片的上端面相接触。
[0007]进一步地,所述空腔层包括第一空腔体、第二空腔体、连杆和外裹层,第一空腔体和第二空腔体并排相邻设置,第一空腔体和第二空腔体的侧壁间设置有一体的连杆,外裹层包裹于第一空腔体、第二空腔体和连杆的外壁上,且呈方形结构。
[0008]进一步地,所述第一狭缝胶片、第二狭缝胶片、第一空腔体和第二空腔体均为热挥发性材料所制成的构件,且第一狭缝胶片和第二狭缝胶片的挥发温度低于第一空腔体和第二空腔体的挥发温度。
[0009]进一步地,所述第一狭缝胶片和第二狭缝胶片完全相同,且长度均为1

3mm,宽度均为10

30um,且热解挥发后分别形成第一狭缝和第二狭缝。
[0010]进一步地,所述第一空腔体和第二空腔体热解挥发后在外裹层内部分别形成第一空腔和第二空腔,且两者间通过连杆热解挥发形成的转化腔孔相连通。
[0011]进一步地,所述第一空腔体包括主体、第一凸块和第二凸块,主体上下两端外壁中
部处和正面外壁上分别设置有第一凸块和第二凸块,且主体、第一凸块和第二凸块间为一体式结构,第一凸块和第二凸块均贯穿外裹层的侧壁设置,第一凸块和第二凸块热解挥发后,外裹层的侧壁上分别形成连通孔和进气口。
[0012]与现有技术相比,本技术的有益效果如下:
[0013]1.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,在底基片的上端两侧分别固定连接侧板,并在侧板内侧的底基片上端分别依次设置第一狭缝胶片、空腔层、第二狭缝胶片和顶基片,整个装置结构简单,便于组装。
[0014]2.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,第一狭缝胶片和第二狭缝胶片以及空腔层的第一空腔体和第二空腔体均为热挥发性材料所制成的构件,第一狭缝胶片和第二狭缝胶片热解挥发后在空腔层的第一空腔和第二空腔上下两端分别形成第一狭缝和第二狭缝用于排气,调节狭缝截面的长宽,一方面便于制作,一方面保证功能实现,便捷实用。
[0015]3.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,第一狭缝胶片和第二狭缝胶片的挥发温度低于第一空腔体和第二空腔体的挥发温度,实现了第一狭缝胶片和第二狭缝胶片以及第一空腔体和第二空腔体的层次性挥发,有效控制器挥发量,避免一次性挥发后导致陶瓷排胶烧结阶段撑破叠合层和引起整体结构破坏,芯片基本功能结构失效的麻烦。
附图说明
[0016]图1为本技术的整体结构示意图;
[0017]图2为本技术的第二狭缝胶片和顶基片掀离状态图;
[0018]图3为本技术的空腔层截面图;
[0019]图4为本技术的第一空腔体结构示意图。
[0020]图中:1、空腔机构;11、底基片;12、侧板;13、第一狭缝胶片;14、空腔层;141、第一空腔体;1411、主体;1412、第一凸块;1413、第二凸块;142、第二空腔体;143、连杆;144、外裹层;145、转化腔;146、连通孔;147、进气口;15、第二狭缝胶片;16、顶基片。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1,一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,包括空腔机构1,空腔机构1包括底基片11、侧板12、第一狭缝胶片13、空腔层14、第二狭缝胶片15和顶基片16,底基片11的上端两侧分别固定连接有侧板12,且侧板12内侧的底基片11上端铺设有第一狭缝胶片13,第一狭缝胶片13的上端设置有空腔层14,空腔层14的顶部铺设有第二狭缝胶片15,第二狭缝胶片15的上端设置有顶基片16,且顶基片16的两端分别固定连接于侧板12的顶部外壁上,且顶基片16的底部与第二狭缝胶片15的上端面相接触,整个装置结构简单,便于组装。
[0023]请参阅图2

3,一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,空腔层14包括第一空腔体
141、第二空腔体142、连杆143和外裹层144,第一空腔体141和第二空腔体142并排相邻设置,第一空腔体141和第二空腔体142的侧壁间设置有一体的连杆143,外裹层144包裹于第一空腔体141、第二空腔体142和连杆143的外壁上,且呈方形结构。
[0024]第一狭缝胶片13、第二狭缝胶片15、第一空腔体141和第二空腔体142均为热挥发性材料所制成的构件,且第一狭缝胶片13和第二狭缝胶片15的挥发温度低于第一空腔体141和第二空腔体142的挥发温度,实现了第一狭缝胶片13和第二狭缝胶片15以及第一空腔体141和第二空腔体142的层次性挥发,有效控制器挥发量,避免一次性挥发后导致陶瓷排胶烧结阶段撑破叠合层和引起整体结构破坏,芯片基本功能结构失效的麻烦,第一狭缝胶片13和第二狭缝胶片15完全相同,且长度均为1

3mm,宽度均为10

30um,且热解挥发后分别形成第一狭缝和第二狭缝用于排气,调节狭缝本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,包括空腔机构(1),其特征在于:所述空腔机构(1)包括底基片(11)、侧板(12)、第一狭缝胶片(13)、空腔层(14)、第二狭缝胶片(15)和顶基片(16),底基片(11)的上端两侧分别固定连接有侧板(12),且侧板(12)内侧的底基片(11)上端铺设有第一狭缝胶片(13),第一狭缝胶片(13)的上端设置有空腔层(14),空腔层(14)的顶部铺设有第二狭缝胶片(15),第二狭缝胶片(15)的上端设置有顶基片(16),且顶基片(16)的两端分别固定连接于侧板(12)的顶部外壁上,且顶基片(16)的底部与第二狭缝胶片(15)的上端面相接触。2.根据权利要求1所述的一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,其特征在于:所述空腔层(14)包括第一空腔体(141)、第二空腔体(142)、连杆(143)和外裹层(144),第一空腔体(141)和第二空腔体(142)并排相邻设置,第一空腔体(141)和第二空腔体(142)的侧壁间设置有一体的连杆(143),外裹层(144)包裹于第一空腔体(141)、第二空腔体(142)和连杆(143)的外壁上,且呈方形结构。3.根据权利要求1所述的一种新型氮氧化物传感器芯片空腔装置,其特征在于:所述第一狭缝胶片(13)、第二狭缝胶片(15)、第一空腔体(141)和第二空腔体(142)均为热挥发性材料所制成的构...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢光远尹亮亮邱电荣张宇明王晓宁
申请(专利权)人:镇江芯源诚达传感科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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