本实用新型专利技术公开了一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，包括加热单元和信号单元，加热单元的下端设置有信号单元，流延片的上端设置有第一基片，流延片的下端设置有第二基片，第一基片通过流延片与第二基片相连接，在加热单元和信号单元的基片片层之间加上一层流延片的整体绝缘层，这样可以起到和过孔绝缘相同的绝缘效果，而工艺操作简单，整个芯片的尺寸可以做短，不需要延长芯片长度通过降低引脚端的温度在度以下而阻断氧化锆的离子导电效应漏电，这样芯片结构做短从而减少装配应力，提高了装配成品率，散热内腔中填充散热片，散热片为一种硅胶材料制成的构件，防止芯片和材料过热，增强芯片的散热性。增强芯片的散热性。增强芯片的散热性。
【技术实现步骤摘要】
一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置
[0001]本技术涉及传感器芯片
，具体为一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置。
技术介绍
[0002]氮氧化合物传感器安排在排气系统，主要测量在发动机控制和后处理系统中的氮氧浓度，氮氧化合物由一个感应单元通过一个电缆线和一个电子控制单元连接组成，其中感应单元的原材料是多层氧化锆陶瓷，感应元件电气化学泵调整校准在感应元件各腔中氧气的浓度，通过对泵加电流使之分解信号，通过CANBUS传输给发动机电子控制单元的文档，为协助客户建立基础通讯和控制氮氧化合物传感器。
[0003]氮氧化物传感器芯片主要有加热单元和信号单元两个功能单元，加热单元是信号单元功能实现的基础和条件，芯片制作工艺中，加热单元的绝缘处理一直是难点之一，通常采用上下绝缘和过孔绝缘组合的方式实现整体芯片的绝缘处理，或采用延长芯片长度，引脚端因温度低于300度而实现相当于绝缘的效果，但是过孔绝缘会影响元器件之间的平整度，延长芯片长度会增加工艺操作难度，影响装配成品率。
[0004]针对以上问题，对现有装置进行了改进，提出了一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种，采用本装置进行工作，从而解决了上述背景中绝缘性差的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，包括加热单元和信号单元，加热单元的下端设置有信号单元，所述加热单元包括第一基片和上电极，第一基片的上端安装有上电极，所述信号单元包括第二基片和下电极，第二基片的下端设置有下电极，第一基片和第二基片之间设置有流延片。
[0007]进一步地，所述上电极的四周安装有防潮套A，所述下电极的四周安装有防潮套B，防潮套A和防潮套B为一种环氧树脂材料制成的构件。
[0008]进一步地，所述流延片的上端设置有第一基片，流延片的下端设置有第二基片，第一基片通过流延片与第二基片相连接。
[0009]进一步地，所述流延片的内部开设有散热内腔，散热内腔的尺寸小于流延片的尺寸。
[0010]进一步地，所述散热内腔中填充散热片，散热片为一种硅胶材料制成的构件。
[0011]进一步地，所述防潮套A呈半包围形，防潮套A上表面开设的孔尺寸小于上电极的尺寸。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0013]1.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，流延片的
上端设置有第一基片，流延片的下端设置有第二基片，第一基片通过流延片与第二基片相连接，在加热单元和信号单元的基片片层之间加上一层流延片的整体绝缘层，这样可以起到和过孔绝缘相同的绝缘效果，而工艺操作简单，整个芯片的尺寸可以做短，不需要延长芯片长度通过降低引脚端的温度在度以下而阻断氧化锆的离子导电效应漏电，这样芯片结构做短从而减少装配应力，提高了装配成品率。
[0014]2.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，流延片的内部开设有散热内腔，散热内腔的尺寸小于流延片的尺寸，散热内腔中填充散热片，散热片为一种硅胶材料制成的构件，通过散热内腔中的散热片，将芯片在工作中产生的热量散发出去，防止芯片和材料过热，增强芯片的散热性。
[0015]3.本技术提出的一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，上电极的四周安装有防潮套A，下电极的四周安装有防潮套B，防潮套A和防潮套B为一种环氧树脂材料制成的构件，防潮套A呈半包围形，防潮套A上表面开设的孔尺寸小于上电极的尺寸，环氧树脂具有优良的耐潮性，从而提高芯片的防潮性。
附图说明
[0016]图1为本技术的新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置结构示意图；
[0017]图2为本技术的绝缘装置平面结构示意图；
[0018]图3为本技术的流延片结构示意图；
[0019]图4为本技术的散热内腔剖面图；
[0020]图5为本技术的防潮套结构示意图。
[0021]图中：1、加热单元；11、第一基片；111、流延片；1111、散热内腔；11111、散热片；12、上电极；121、防潮套A；2、信号单元；21、第二基片；22、下电极；221、防潮套B。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]请参阅图1
‑
5，一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，包括加热单元1和信号单元2，加热单元1的下端设置有信号单元2，加热单元1包括第一基片11和上电极12，第一基片11的上端安装有上电极12，信号单元2包括第二基片21和下电极22，第二基片21的下端设置有下电极22，第一基片11和第二基片21之间设置有流延片111，在加热单元和信号单元的基片片层之间加上一层流延片的整体绝缘层，这样可以起到和过孔绝缘相同的绝缘效果，而工艺操作简单。
[0024]请参阅图2和3，上电极12的四周安装有防潮套A121，下电极22的四周安装有防潮套B221，防潮套A121和防潮套B221为一种环氧树脂材料制成的构件，流延片111的上端设置有第一基片11，流延片111的下端设置有第二基片21，第一基片11通过流延片111与第二基片21相连接。
[0025]请参阅图4和5，流延片111的内部开设有散热内腔1111，散热内腔1111的尺寸小于
流延片111的尺寸，散热内腔1111中填充散热片11111，散热片11111为一种硅胶材料制成的构件，通过散热内腔中的散热片，将芯片在工作中产生的热量散发出去，防潮套A121呈半包围形，防潮套A121上表面开设的孔尺寸小于上电极12的尺寸。
[0026]综上所述：本新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，流延片111的上端设置有第一基片11，流延片111的下端设置有第二基片21，第一基片11通过流延片111与第二基片21相连接，在加热单元和信号单元的基片片层之间加上一层流延片的整体绝缘层，这样可以起到和过孔绝缘相同的绝缘效果，而工艺操作简单，整个芯片的尺寸可以做短，不需要延长芯片长度通过降低引脚端的温度在300度以下而阻断氧化锆的离子导电效应漏电，这样芯片结构做短从而减少装配应力，提高了装配成品率，流延片111的内部开设有散热内腔1111，散热内腔1111的尺寸小于流延片111的尺寸，散热内腔1111中填充散热片11111，散热片11111为一种硅胶材料制成的构件，通过散热内腔中的散热片，将芯片在工作中产生的热量散发出去，防止芯片和材料过热，增强芯片的散热性，上电极12的四周安装有防潮套A121，下电极22的四周安本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，包括加热单元(1)和信号单元(2)，加热单元(1)的下端设置有信号单元(2)，其特征在于：所述加热单元(1)包括第一基片(11)和上电极(12)，第一基片(11)的上端安装有上电极(12)；所述信号单元(2)包括第二基片(21)和下电极(22)，第二基片(21)的下端设置有下电极(22)，第一基片(11)和第二基片(21)之间设置有流延片(111)。2.根据权利要求1所述的一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，其特征在于：所述上电极(12)的四周安装有防潮套A(121)，所述下电极(22)的四周安装有防潮套B(221)，防潮套A(121)和防潮套B(221)为一种环氧树脂材料制成的构件。3.根据权利要求1所述的一种新型氮氧化物传感器芯片加热单元绝缘装置，其特征在于：所述流延片(111)的上端设置有第一基片(11)，流延片(111)的下端设置有第...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢光远，尹亮亮，邱电荣，张宇明，王晓宁，
申请(专利权)人：镇江芯源诚达传感科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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