一种DFN1110-3A高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110

【技术实现步骤摘要】
一种DFN1110
‑
3A高密度框架


[0001]本技术涉及半导体封装制造
，特别是一种DFN1110
‑
3A高密度框架。

技术介绍

[0002]在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，用引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。
[0003]DFN1110
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3A小型电子元器件的芯片封装单元型号。该封装单元为矩形，尺寸为1.1mm
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1.0mm，每个封装单元内包含一个芯片区域。在矩形的相对的长边中，一边设有两个管脚，相对的另一边设有一个管脚。
[0004]在框架上设置更多的芯片安装单元一致是行业内的普遍要求。如图1所示，框架100通常矩形，多个单元分割槽200将框架100分割为多个框架单元101。多个芯片安装单元阵列排布在框架单元101中。在每个框架单元101边缘与芯片安装单元连接处的空间无法被利用。
[0005]如图2所示，现有的芯片安装单元，上侧设有第一管脚1和第二管脚2，相对的下侧设有第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DFN1110
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3A高密度框架，包括板状结构的矩形框架(100)，所述框架(100)上设有多个芯片安装单元(300)，横向相邻的芯片安装单元(300)之间设有竖向连筋(7)；其特征在于，所述芯片安装单元(300)设有第一管脚(1)和芯片区域(4)，所述第一管脚(1)和所述芯片区域(4)之间为芯片安装单元镂空区(5)，所述芯片安装单元镂空区(5)横向为镂空区长度方向，竖向为镂空区宽度方向；所述竖向连筋包括第一加强筋(71)，所述竖向连筋的竖向为连筋长度方向，横向为连筋宽度方向；所述第一加强筋(71)的长度大于所述芯片安装单元镂空区(5)的宽度；所述第一加强筋(71)的一端连接所述第一管脚(1)；所述第一加强筋(71)的另一端连接所述芯片区域(4)。2.根据权利要求1所述的DFN1110
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3A高密度框架，其特征在于，所述竖向连筋包括第一部分连筋(61)和第二部分连筋(62)，所述第一管脚(1)设有第一管脚半腐蚀区(11)；所述芯片区域(4)设有芯片半腐蚀区(42)；所述第一部分连筋(61)与所述第一管脚半腐蚀区连接(11)，所述第二部分连筋与所述芯片半腐蚀区(42)连接，所述第一加强筋(71)一端与所述第一部分连筋(61)连接，所述第一加强筋(71)的另一端与所述第二部分连筋(62)连接。3.根据权利要求2所述的DFN1110
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3A高密度框架，其特征在于，所述竖向连筋还包括第三部分连筋(63)，所述第三部分连筋(63)与所述芯片半腐蚀区(42)连接；所述第三部分连筋(63)位于所述第二部分连筋(62)远离所述第一部分连筋(61)的一侧；所述第二部分连筋(62)和所述第三部分连筋(63)之间设有第一连筋镂空部(81)。4.根据权利要求3所述的DFN1110
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3A高密度框架，其特征在于，所述竖向连筋还包括第二加强筋(72)，所述第二加强筋(72)一端连接所述第三部分连筋(6...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔金忠，樊增勇，董勇，许兵，任伟，李宁，刘剑，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：