一种改善蚀刻应力的引线框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。首先，通孔的位置设置不会影响在基岛上焊接芯片，其次，通孔可以减少与蚀刻液的接触面积，蚀刻过程中减少热量的产生，更易散出，减少热量聚集的机会，从而获得较均匀的温度场，减少基岛上的热应力产生，同时通过改变引线框架的结构，使得大部分残余应力和热应力能相互平衡，甚至抵消，降低应力的不利影响，在批量生产时减少基岛翘曲、变形等不良出现。不良出现。不良出现。

【技术实现步骤摘要】
一种改善蚀刻应力的引线框架


[0001]本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种改善蚀刻应力的引线框架。

技术介绍

[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架的生产工艺主要为机械冲制或化学蚀刻(主要是半蚀刻)两种，而QFN/DFN引线框架多采用化学蚀刻。首先，引线框架的材料一般为中高强度的超薄铜带，经过熔铸、热轧、冷轧、热处理及精整生产工艺流程后，带材内部本身就存在着应力不均的问题，铜带被半蚀刻后会释放应力，其次，如图1所示，现有技术中常见的引线框架主要包括引脚和基岛(连筋、边框等结构未示出)，引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，半蚀刻工艺需要使用化学溶液腐蚀掉不被干膜保护的部分，目前蚀刻溶液是以氯化铜与盐酸的酸性氯化铜蚀刻液及以氯化铜与氨水的碱性氯化铜溶液为主，以酸性氯化铜蚀刻过程为例，主要化学反应过程是氯化铜中的2价Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片，其特征在于，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。2.根据权利要求1所述改善蚀刻应力的引线框架，其特征在于，所述基岛上的通孔数量为多个，并且相...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡，易炳川，黄乙为，饶锡林，冯学贵，
申请(专利权)人：气派科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：