一种功率半导体的封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供了一种功率半导体的封装结构及封装方法，所述功率半导体的封装结构包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛上的芯片、与所述引线框架基岛一体成型且分别设置于所述引线框架基岛两侧的D极引脚、设置于所述芯片顶部的S极铜片、设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架G极引脚以及包裹所述芯片、所述引线框架基岛、所述S极铜片和所述引线框架G极引脚的塑封体，所述S级铜片包括一倒梯形凹槽和分别从所述倒梯形凹槽的两个边缘延伸出来且与所述倒梯形凹槽的底面平行的两个S极引脚，所述倒梯形凹槽的底部与所述芯片顶部相连接，所述S极引脚的至少一个表面暴露于所述塑封体外，所述引线框架基岛的背面暴露于所述塑封体外。本发明专利技术的功率半导体的封装结构具有散热效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路封装领域，具体为一种功率半导体的封装结构及封装方法。

技术介绍

1、随着应用领域所需的功率密度不断增加，功率半导体作为电源控制等系统的重要器件，需要进一步减小体积和功率损失来满足需求。

2、功率半导体要减少功率损耗，主要通过两种方式：一是改进封装散热性能，二是降低器件导通电阻和寄生电容。功率半导体的封装主要通过与外界的环境接触进行散热，但是现有技术的散热结构与外界接触的面积有限，所以散热性能较为一般，仍有改进空间。

3、如图1-图3所示，现有技术的功率半导体的封装结构中，通常是通过外漏的漏极（d极）来进行散热的，导致散热效率不高，不能适应散热要求高的产品。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种散热效率高的功率半导体的封装结构及封装方法。

2、本专利技术实施例中，提供了一种功率半导体的封装结构，其包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛上的芯片、与所述引线框架基岛一体成型且分别设置于所述引线框架基岛两侧的d极引脚、设置于所述芯片顶部的s极铜片、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体的封装结构，其特征在于，包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛上的芯片、与所述引线框架基岛一体成型且分别设置于所述引线框架基岛两侧的D极引脚、设置于所述芯片顶部的S极铜片、设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架G极引脚以及包裹所述芯片、所述引线框架基岛、所述S极铜片和所述引线框架G极引脚的塑封体，所述S级铜片包括一倒梯形凹槽和分别从所述倒梯形凹槽的两个边缘延伸出来且与所述倒梯形凹槽的底面平行的两个S极引脚，所述倒梯形凹槽的底部与所述芯片顶部相连接，所述S极引脚的至少一个表面暴露于所述塑封体外，所述引线框架基岛的背面暴露于所述塑封体外，所述G极引脚和所述D极引脚经过弯折成...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体的封装结构，其特征在于，包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛上的芯片、与所述引线框架基岛一体成型且分别设置于所述引线框架基岛两侧的d极引脚、设置于所述芯片顶部的s极铜片、设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架g极引脚以及包裹所述芯片、所述引线框架基岛、所述s极铜片和所述引线框架g极引脚的塑封体，所述s级铜片包括一倒梯形凹槽和分别从所述倒梯形凹槽的两个边缘延伸出来且与所述倒梯形凹槽的底面平行的两个s极引脚，所述倒梯形凹槽的底部与所述芯片顶部相连接，所述s极引脚的至少一个表面暴露于所述塑封体外，所述引线框架基岛的背面暴露于所述塑封体外，所述g极引脚和所述d极引脚经过弯折成型，都具有一与所述引线框架基岛平行的底部，且所述底部所在的平面与所述s极引脚位于同一平面。

2.如权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，还包括一悬空的功能脚，所述功能脚与所述g极引脚对称设置于所述引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄乙为，饶锡林，尹丹，梅俊杰，庞琳铃，
申请(专利权)人：气派科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：