电源模组及其芯片封装结构制造技术

本申请公开一种电源模组及其芯片封装结构，包括引线框架、至少两个引脚、至少两个基岛、整流桥、续流二极管、控制芯片和塑封胶层；引脚设置于引线框架的边缘，包括火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚和采样管脚；基岛设置于引线框架内；整流桥、续流二极管和控制芯片设置于至少两个基岛上，并通过基岛或者引线连接至引脚；塑封胶层包覆上述结构；整流桥的第一交流输入端连接火线管脚，整流桥的第二交流输入端连接零线管脚，整流桥的第一输出端连接高压供电管脚，整流桥的第二输出端连接信号地管脚，续流二极管的第一端连接零线管脚，续流二极管的第二端连接信号地管脚。通过上述方式，可以缩小芯片封装结构的整体尺寸。体尺寸。体尺寸。

【技术实现步骤摘要】
电源模组及其芯片封装结构


[0001]本申请涉及电子器件
，特别是涉及一种电源模组及其芯片封装结构。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)是一种固态半导体器件，可将电能转换为光能。具有耗电量小、聚光效果好、反应速度快、可控性强、能承受高冲击力、使用寿命长、环保等优点。LED照明产品已经大举进入千家万户，走进了全民大规模应用阶段，并将全面取代传统的照明灯具。同时LED照明产品市场价格也到了竞争白热化阶段。这就要求LED照明电路系统成本的不断降低。一种AC
‑
DC芯片与整流桥堆集成的芯片封装结构已开始进入量产阶段，大量应用于交流LED驱动电源方案。
[0003]目前的主流的小AC
‑
DC芯片与整流桥堆集成的芯片封装结构一般采用HSOP7封装方案，但HSOP7比传统ESOP6封装尺寸要大，封装时耗用环氧塑封料要多，塑封模具也要独立开不能公用ESOP6模具，需增加封装和切筋成型模具投入成本，提高了芯片封装结构的成本。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种电源模组及其芯片封装结构，以解决现有的芯片封装体积较大且成本较高的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：引线框架；至少两个引脚，设置于所述引线框架的边缘，所述至少两个引脚包括火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚以及采样管脚；至少两个基岛，设置于所述引线框架内；整流桥、续流二极管和控制芯片，设置于所述至少两个基岛上，并通过所述基岛或者引线连接至所述引脚；以及塑封胶层，包覆所述引线框架、所述至少两个基岛、所述整流桥、所述续流二极管和所述控制芯片；其中，所述整流桥的第一交流输入端通过所述基岛或者引线连接所述火线管脚，所述整流桥的第二交流输入端通过所述基岛或者引线连接所述零线管脚，所述整流桥的第一输出端通过所述基岛或者引线连接所述高压供电管脚，所述整流桥的第二输出端通过所述基岛或者引线连接所述信号地管脚，所述续流二极管的第一端连接所述零线管脚，所述续流二极管的第二端连接所述信号地管脚。
[0006]根据本专利技术一实施例，所述至少两个基岛包括第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛和第五基岛，所述整流桥包括第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管及第四整流二极管；其中，所述第一基岛连接于所述零线管脚，所述第一整流二极管设置于所述第一基岛上，且所述第一整流二极管的负极与所述第一基岛电连接，所述第一整流二极管的正极连接所述第三基岛；所述第二基岛连接于所述火线管脚，所述第二整流二极管设置于所述第二基岛上，且所述第二整流二极管的负极与所述第二基岛电连接，所述第二整流二极管的正极连接所述第三基岛；所述第三基岛连接于所述高压供电管脚，所述第三整
流二极管设置于所述第三基岛上，且所述第三整流二极管的负极与所述第三基岛电连接，所述第三整流二极管的正极与所述漏极管脚电连接；所述第四基岛连接于所述信号地管脚，所述第四整流二极管设置于所述第四基岛上，且所述第四整流二极管的负极与所述第四基岛电连接，所述第四整流二极管的正极连接所述第二基岛；所述续流二极管设置于所述第五基岛上，且所述续流二极管的第一端与所述第一基岛电连接，所述续流二极管的第二端与所述第五基岛电连接，所述第五基岛与所述第四基岛电连接。
[0007]根据本专利技术一实施例，所述控制芯片具有接地端口、漏极端口、采样端口以及高压端口，所述控制芯片设置于所述第五基岛上，所述接地端口与所述信号地管脚电连接，所述漏极端口通过引线与所述漏极管脚电连接，所述采样端口通过引线与所述采样管脚电连接，所述高压端口通过引线与所述高压供电管脚电连接。
[0008]根据本专利技术一实施例，所述控制芯片与所述第五基岛相互绝缘，所述接地端口通过引线与所述信号地管脚电连接；或者
[0009]所述控制芯片的接地端口通过导电胶或者导电材料粘接于所述第五基岛上，并与所述第五基岛电连接。
[0010]根据本专利技术一实施例，所述第一基岛和所述第二基岛沿第一方向并排间隔设置，所述第三基岛和所述第四基岛沿所述第一方向并排间隔设置，所述第五基岛包括第一子基岛和第二子基岛，所述第一子基岛与所述第一基岛和所述第三基岛沿垂直于所述第一方向的第二方向并排间隔设置，所述第二子基岛连接于所述第一子基岛靠近所述第三基岛的侧边，并延伸设置于所述第一基岛和所述第二基岛之间和所述第三基岛和所述第四基岛之间。
[0011]根据本专利技术一实施例，所述控制芯片设置于所述第一子基岛上，所述续流二极管设置于所述第二子基岛上。
[0012]根据本专利技术一实施例，所述零线管脚、所述高压供电管脚和所述漏极管脚位于所述引线框架的一侧，所述火线管脚、所述信号地管脚以及所述采样管脚位于所述引线框架的另一侧。
[0013]根据本专利技术一实施例，所述芯片封装结构包括连筋，所述至少两个基岛中的部分或者全部所述基岛通过所述连筋与所述引线框架连接。
[0014]根据本专利技术一实施例，所述引线框架对应至少一个所述基岛的位置处设有贯穿孔，至少一个所述基岛的至少部分设于所述贯穿孔内，且所述基岛背离所述控制芯片的表面与所述引线框架背离所述控制芯片的表面齐平，或者超出所述引线框架背离所述控制芯片的表面。
[0015]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是提供一种电源模组，所述电源模组至少包括：如上文所述的芯片封装结构。
[0016]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过将整流桥、续流二极管和控制芯片分别设置于至少两个基岛上，并利用基岛或者引线与设置于引线框架外围的引脚电连接，以利用引脚与外部电路电连接，从而可以将整流桥、续流二极管和控制芯片封装在一个封装体内，不仅可以缩小芯片封装结构的整体尺寸，降低塑封胶层的耗用量，进而降低制作成本，而且在芯片封装结构的外部无需再设置电感或者变压器等磁性元件，故而，可以提升芯片封装结构的集成度，以便于芯片封装结构的安装和使用，另外，在芯片封装结构
的内部封装续流二极管，还可以提升芯片封装结构工作的稳定性。
附图说明
[0017]图1是本申请芯片封装结构的平面结构示意图；
[0018]图2是相关技术中的芯片封装结构的俯视结构示意图；
[0019]图3是图2中的芯片封装结构的主视图；
[0020]图4是本申请芯片封装结构的俯视结构示意图；
[0021]图5是图4中的芯片封装结构的主视图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。
[0023]请参阅图1，图1是本申请芯片封装结构的平面结构示意图。在本实施方式中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：引线框架；至少两个引脚，设置于所述引线框架的边缘，所述至少两个引脚包括火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚以及采样管脚；至少两个基岛，设置于所述引线框架内；整流桥、续流二极管和控制芯片，设置于所述至少两个基岛上，并通过所述基岛或者引线连接至所述引脚；以及塑封胶层，包覆所述引线框架、所述至少两个基岛、所述整流桥、所述续流二极管和所述控制芯片；其中，所述整流桥的第一交流输入端通过所述基岛或者引线连接所述火线管脚，所述整流桥的第二交流输入端通过所述基岛或者引线连接所述零线管脚，所述整流桥的第一输出端通过所述基岛或者引线连接所述高压供电管脚，所述整流桥的第二输出端通过所述基岛或者引线连接所述信号地管脚，所述续流二极管的第一端连接所述零线管脚，所述续流二极管的第二端连接所述信号地管脚。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少两个基岛包括第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛和第五基岛，所述整流桥包括第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管及第四整流二极管；其中，所述第一基岛连接于所述零线管脚，所述第一整流二极管设置于所述第一基岛上，且所述第一整流二极管的负极与所述第一基岛电连接，所述第一整流二极管的正极连接所述第三基岛；所述第二基岛连接于所述火线管脚，所述第二整流二极管设置于所述第二基岛上，且所述第二整流二极管的负极与所述第二基岛电连接，所述第二整流二极管的正极连接所述第三基岛；所述第三基岛连接于所述高压供电管脚，所述第三整流二极管设置于所述第三基岛上，且所述第三整流二极管的负极与所述第三基岛电连接，所述第三整流二极管的正极与所述漏极管脚电连接；所述第四基岛连接于所述信号地管脚，所述第四整流二极管设置于所述第四基岛上，且所述第四整流二极管的负极与所述第四基岛电连接，所述第四整流二极管的正极连接所述第二基岛；所述续流二极管设置于所述第五基岛上，且所述续流二极管的第一端与所述第一基岛电连接，所述续流二极管的第二端与所述第五基岛电连接，所述第五基岛与所述第四基岛电连接。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁添焕，刘春平，李会民，
申请(专利权)人：中山市木林森微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：