一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法，其中，DRAM芯片封装结构，包括载板，设于所述载板上表面的芯片，及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线，所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面，所述环氧树脂层的上表面还设有线层，所述金属线的上端还与所述线层连接，所述线层的上表面还设有若干个锡球。本发明专利技术通过运用重新布线工艺,移除了传统的基板，运用金属线垂直连接芯片和重新布线层线路，减少了线路长度，芯片和金属载板之间有导热胶层，金属载板提升了芯片的散热性能，从而提升了产品电、热性能且降低了成本。热性能且降低了成本。热性能且降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，更具体地说是指一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法。

技术介绍

[0002]现有传统DRAM芯片封装工艺主要有两种：1)、具体工艺流程描述如下：
[0003]1、封装前需要先在晶圆表面植球；2、然后进行研磨并将晶圆切割成单个颗粒，通过晶粒倒装将单芯片贴装于基板上并做回流焊，使芯片焊接在基板上；3、焊接完后进行封胶和装配焊球，最后进行切割完成产品的封装；此封装结构需预先在晶圆表面植球，同时需通过基板载体并植球来连通芯片与外界电路，产品整体厚度偏厚。
[0004]2)、具体工艺流程描述如下：
[0005]1、封装前需要对晶圆进行研磨并将晶圆切割成单个颗粒，通过覆晶贴装将单颗芯片贴装于基板上；
[0006]2、贴装完后经引线键合工艺将芯片I/O端口与基板端口用金属线连接在一起；
[0007]3、最后进行封胶和装配焊球，最终进行切割完成产品的封装；此封装结构需通过焊线方式将基板和芯片连通再通过锡球连接外界电路，产品整体厚度偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM芯片封装结构，其特征在于，包括载板，设于所述载板上表面的芯片，及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线，所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面，所述环氧树脂层的上表面还设有线层，所述金属线的上端还与所述线层连接，所述线层的上表面还设有若干个锡球。2.根据权利要求1所述的一种DRAM芯片封装结构，其特征在于，所述芯片和载板之间还设有导热胶层。3.根据权利要求1所述的一种DRAM芯片封装结构，其特征在于，所述金属线垂直设于所述芯片上表面。4.一种DRAM芯片封装结构的加工工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶圆研磨并切割成若干单颗芯片，然后将若干单颗芯片放置于载板上；对芯片的上表面植金属线；将植金属线后的芯片和载板塑封胶面；对塑封胶面的上表面进行厚度打磨，直至金属线的触点露出于塑封胶面的上表面；对塑封胶面的上表面重新布线层；在线层的上表面植入若干个锡球；将载板进行切割，以获得若干单颗IC颗粒。5.根据权利要求4所述的一种DRAM芯片封装结构的加工工艺方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩，林建涛，屈海峰，
申请(专利权)人：东莞记忆存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：