一种光耦合器及其生产工艺制造技术

技术编号:28043200 阅读:42 留言:0更新日期:2021-04-09 23:26
本申请涉及一种光耦合器,涉及电信号传输器件的领域,包括发光芯片、感光芯片、透明内封装体、外封装体和导线架,导线架设置有两件,发光芯片和感光芯片分别设置于两件导线架上,还包括基座和第一离型膜,两导线架相向设置的一端均安装于导线架上,透明内封装体黏着于基座上,发光芯片和感光芯片设置于导线架背离基座的一侧上,第一离型膜覆盖在透明内封装体上,外封装体黏着在第一离型膜上。本申请具有改善相关技术中光耦合器故障问题难以排查的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种光耦合器及其生产工艺
本申请涉及电信号传输器件的领域,尤其是涉及一种光耦合器。
技术介绍
光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。相关技术如申请公布号为CN111354719A的中国专利所公开的一种光耦合器,包含:二个以上的导线架;光学通道结构,包括:发光芯片、感光芯片以及透光内封装体,发光芯片与感光芯片设置于导线架且为共平面,发光芯片的发光面及感光芯片的受光面同向设置,透光内封装体包覆发光芯片及感光芯片;以及光反射外封装体,包覆透光内封装体,光反射外封装体与透光内封装体相接触的接合界面均为光学反射面,其中,光反射外封装体与透光内封装体为经双料成型及封胶成型的结构,使得内封装体与光反射外封装体易于塑形。又如申请公布号为CN104465640A的中国专利所公开的一种光耦合器,包含:一发光芯片、一感光芯片、一透明内封装体、一外封装体、及二个导线架,透明内封装体的一圆顶包覆件包覆发光芯片及感光芯片,外封装体包覆透明内封装体,外封装体具有与该圆顶包覆件相接触的一光学反射面,发光芯片所发射的光线的一部分藉由该光学反射面而反射至该感光芯片,发光芯片所发射的光线的另一部分通过该透明内封装体而透射至该感光芯片,藉此将二个导线架的重迭区域缩到最小,而降低电容值,并提升共模拒斥比,使得本专利技术的光耦合器能符合应用所需的电性特性。针对上述中的相关技术,本专利技术人认为,光耦合器生产完成后,外封装体与透光内封装体胶黏为一体,当光耦合器检测出现故障时,检测人员很难将外封装体剥离以检测内部结构是否出现损伤,导致光耦合器的故障问题检查难度较大,因此需要改进。
技术实现思路
为了改善相关技术中光耦合器故障问题难以排查的问题,本申请提供一种光耦合器及其生产工艺。第一方面,本申请提供一种光耦合器,采用如下的技术方案:一种光耦合器,包括发光芯片、感光芯片、透明内封装体、外封装体和导线架,所述导线架设置有两件,发光芯片和感光芯片分别设置于两件导线架上,还包括基座和第一离型膜,两所述导线架相向设置的一端均安装于导线架上,所述透明内封装体黏着于基座上,所述发光芯片和感光芯片设置于导线架背离基座的一侧上,所述第一离型膜覆盖在透明内封装体上,所述外封装体黏着在第一离型膜上。通过采用上述技术方案,利用光芯片、感光芯片、透明内封装体、外封装体和导线架能够组装形成以光为媒介来传输电信号的光耦合器,其中,利用覆盖在透明内封装体上的第一离型膜能够起到隔离透明内封装体和外封装体的效果,利用基座能够起到连接透明内封装体和外封装体的效果,使得当需要观察放光芯片和感光芯片是否有异常时,可以利用针将外封装体挑开,从而使得透明内封装体直接暴露在外,此时,工作人员可以直接透过透明内封装体查看放光芯片和感光芯片是否异常。可选的,所述基座上设置有若干道第一补强孔,各所述第一补强孔环绕着透明内封装体设置,所述外封装体黏着于基座上的部分渗透进第一补强孔内。通过采用上述技术方案,利用外封装体与第一补强孔之间的配合,能够确保外封装体与基座之间的连接强度,使得无法粘结为一体的外封装体和透明内封装体之间也能够保持稳定连接。可选的,还包括第二离型膜,所述第二离型膜覆盖在基座表面上,所述发光芯片和感光芯片均设置于基座和第二离型膜之间,所述透明内封装体黏着于第二离型膜上,所述第二离型膜由透光材料制成。通过采用上述技术方案,利用第二离型膜能够起到隔离透明内封装体和发光芯片及感光芯片的效果,使得当工作人员无法透过透明内封装体查看发光芯片和感光芯片是否异常时,可以挑开透明内封装体进行查看。可选的,所述基座上设置有若干道第二补强孔,各所述第二补强孔均布于第二离型膜的两侧上,所述透明内封装体黏着于基座上的部分渗透进第二补强孔内。通过采用上述技术方案,利用透明内封装体与第二补强孔之间的配合,能够确保透明内封装体与基座之间的连接强度,使得无法粘结为一体的透明内封装体和发光芯片及感光芯片之间也能够保持稳定连接。可选的,所述基座上设置有限位槽,所述限位槽的两端与基座的两个对侧面相通,所述发光芯片和感光芯片均位于限位槽内,所述第二离型膜覆盖在限位槽内。通过采用上述技术方案,利用限位槽能够起到容纳导线架的效果,使得在挑开透明内封装体时,用于挑开透明内封装体的针头不会挑到导线架,同时,利用限位槽还能够起到限制导线件安装位置的效果。可选的,所述限位槽内设置有让位槽,所述让位槽呈等腰梯形状设置,两所述导线架相向设置的一端均朝向让位槽内弯折,两所述导线架相向设置的一端分别与让位槽的两等腰边贴合,所述发光芯片和感光芯片安装于导线架弯折设置的位置上。通过采用上述技术方案,利用让位槽与导线架之前的配合,使得设置于导线架上的发光芯片和感光芯片也可以完全伸进限位槽内,从而使得在挑开透明内封装体时,用于挑开透明内封装体的针头不会挑到发光芯片或感光芯片。可选的,所述限位槽的两端上均设置有限位凸起,两所述导线架上均设置有限位孔,各所述限位凸起分别插设于各道限位孔内。通过采用上述技术方案,利用限位凸起和限位孔之间的配合,能够进一步增加导线架和基座的安装强度,使得在覆盖第一离型膜和点胶透明外封装体时,导线架不易从基座上脱落。第二方面,本申请提供一种用于光耦合器的生产工艺,采用如下的技术方案。一种用于如上所述光耦合器的生产工艺,包括以下步骤:S1、利用陶瓷烧结的方式制成基座,然后将两件导线架固定在基座上;S2、利用胶黏固晶的方式将发光芯片和感光芯片分别安装在两件导线架相向设置的一端上;S3、在基座上覆盖一层包覆住发光芯片和感光芯片的第一离型膜,然后在第一离型膜上点胶以形成透明内封装体;S4、在基座上覆盖一层包覆住内封装体的第二离型膜,然后在第二离型膜上点胶以形成外封装体。通过采用上述技术方案,利用S1能够完成导线架和基座之间的连接,利用S2能够完成发光芯片和感光芯片的安装,利用S3能够完成外封装体与发光芯片及感光芯片之间的隔离工作,利用S4能够完成内封装体与外封装体之间的隔离工作。可选的,所述S3和S4完成后,利用负压设备对基座背离导线架的一侧面进行抽真空,使得外封装体和透明内封装体在未凝固前能够分别渗透进第一补强孔和第二补强孔内。通过采用上述技术方案,利用负压抽真空的方式,使得仍处于半固态状态的外封装体和透明内封装体能够分别渗透进第一补强孔和第二补强孔内。综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:采用胶黏方式设置的透明内封装体和外封装体可以挑开,便于查看本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光耦合器,包括发光芯片(4)、感光芯片(5)、透明内封装体(7)、外封装体(3)和导线架(2),所述导线架(2)设置有两件,发光芯片(4)和感光芯片(5)分别设置于两件导线架(2)上,其特征在于:还包括基座(1)和第一离型膜(6),两所述导线架(2)相向设置的一端均安装于导线架(2)上,所述透明内封装体(7)黏着于基座(1)上,所述发光芯片(4)和感光芯片(5)设置于导线架(2)背离基座(1)的一侧上,所述第一离型膜(6)覆盖在透明内封装体(7)上,所述外封装体(3)黏着在第一离型膜(6)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种光耦合器,包括发光芯片(4)、感光芯片(5)、透明内封装体(7)、外封装体(3)和导线架(2),所述导线架(2)设置有两件,发光芯片(4)和感光芯片(5)分别设置于两件导线架(2)上,其特征在于:还包括基座(1)和第一离型膜(6),两所述导线架(2)相向设置的一端均安装于导线架(2)上,所述透明内封装体(7)黏着于基座(1)上,所述发光芯片(4)和感光芯片(5)设置于导线架(2)背离基座(1)的一侧上,所述第一离型膜(6)覆盖在透明内封装体(7)上,所述外封装体(3)黏着在第一离型膜(6)上。


2.根据权利要求1所述的一种光耦合器,其特征在于:所述基座(1)上设置有若干道第一补强孔(15),各所述第一补强孔(15)环绕着透明内封装体(7)设置,所述外封装体(3)黏着于基座(1)上的部分渗透进第一补强孔(15)内。


3.根据权利要求1所述的一种光耦合器,其特征在于:还包括第二离型膜(8),所述第二离型膜(8)覆盖在基座(1)表面上,所述发光芯片(4)和感光芯片(5)均设置于基座(1)和第二离型膜(8)之间,所述透明内封装体(7)黏着于第二离型膜(8)上,所述第二离型膜(8)由透光材料制成。


4.根据权利要求1所述的一种光耦合器,其特征在于:所述基座(1)上设置有若干道第二补强孔(16),各所述第二补强孔(16)均布于第二离型膜(8)的两侧上,所述透明内封装体(7)黏着于基座(1)上的部分渗透进第二补强孔(16)内。


5.根据权利要求1所述的一种光耦合器,其特征在于:所述基座(1)上设置有限位槽(12),所述限位槽(12)的两端与基座(1)的两个对侧面相通,所述发光芯片(...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈仕财游国均
申请(专利权)人:厦门久宏鑫光电有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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