一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构制造技术

一种出光角度可控的Micro‑LED显示器件结构，它包括像素结构，其特征是所述的像素结构包括LED垂直芯片阵列和LED倒装芯片阵列，单颗LED像素的尺寸为30μm~50μm，通过LED芯片阵列上的组合反射镜设计以及器件封装层的周期性微结构设计实现Micro‑LED显示器件出光角度控制的功能，不仅提高了光线利用率，消除了光污染，还免除了通过增加光学组件收光的后道加固环节，实现了器件轻薄化，低功耗的优势，可满足头平显等特殊领域的高可靠性应用。

【技术实现步骤摘要】
一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构
本专利技术涉及一种Micro-LED显示技术，尤其是一种利用Micro-LED作为像素进行显示的显示技术，具体地说是一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构。
技术介绍
在机载显示领域，尤其是头盔显示像源、平视显示像源，座舱盖板透明显示等应用场景，由于观察时需要叠加外景亮度，因而为使显示信息清晰可见，需要显示器件具备超高的发光亮度及高可靠性。在现有的显示技术中，以Micro-LED为代表的第五代显示介质因其更高的发光亮度、分辨率、色彩饱和度、显示响应速度和更高的可靠性等特点在上述应用场景下有不可替代的优势，同时也成为了目前固态显示器件领域的热点发展方向。机载显示与民用显示最大的区别就在于常常需要满足特殊的亮度、视角及可靠性要求，以机载平视显示场景为例，显示器的主发光角不再是常规的法线方向而是与法线方向形成一定大小的夹角，同时要求光线尽量收敛在可视角范围内，且视角范围内的亮度角度分布尽可能平缓。对于传统的液晶显示屏而言，上述要求可通过加固的方式实现，而对于Micro-LED显示器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构，其特征在于包括以下两种情况：/n（1）显示器件的像素结构为垂直LED芯片阵列：器件结构由下至上依次为P电极、电流扩展层、反射镜、P型GaN、量子肼、N型GaN和共N电极，P电极设置在基板上，每颗独立的LED像素两侧边各包含一层或多层组合反射镜；共N电极的上部设有两层周期性微结构封装层；/n（2）显示器件的像素结构为倒装LED芯片阵列：器件结构由下至上依次为P电极、电流扩展层、反射镜、P型GaN、量子肼、N型GaN和N电极，P电极设置在基板上，每颗独立的LED像素两侧边各包括一层或多层组合反射镜；N型GaN的上部设有两层周期性微结构封装层。/...

【技术特征摘要】
1.一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构，其特征在于包括以下两种情况：
（1）显示器件的像素结构为垂直LED芯片阵列：器件结构由下至上依次为P电极、电流扩展层、反射镜、P型GaN、量子肼、N型GaN和共N电极，P电极设置在基板上，每颗独立的LED像素两侧边各包含一层或多层组合反射镜；共N电极的上部设有两层周期性微结构封装层；
（2）显示器件的像素结构为倒装LED芯片阵列：器件结构由下至上依次为P电极、电流扩展层、反射镜、P型GaN、量子肼、N型GaN和N电极，P电极设置在基板上，每颗独立的LED像素两侧边各包括一层或多层组合反射镜；N型GaN的上部设有两层周期性微结构封装层。


2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王璐，陈建军，杨洪宝，李晓剑，郑国兵，王进，樊卫华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32