一种降低晶圆上形成凝结物的方法技术

本发明专利技术提供一种降低晶圆上形成凝结物的方法，至少包括：晶圆在真空腔中进行作业；将作业后的晶圆从真空腔中传送至负载锁定腔中进行真空大气转换；将晶圆从负载锁定腔传送至EFEM中，其中EFEM中设有温度湿度控制器；当晶圆进入EFEM中时，EFEM中的湿度为25％～30％；将晶圆从EFEM中传送至与EFEM对接的晶圆传送盒中，晶圆传送盒中的湿度与EFEM中的湿度相同。在EFEM中加装温湿度控制器，湿度从40％以上下降到25～30％左右并且精准控制，不受洁净室环境影响；晶圆出腔体后传送过程中及回到晶圆传送盒后整个环境保持恒温恒湿，由于晶圆传送盒内湿度降低，在晶圆传送盒内晶圆上不再产生凝结物，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低晶圆上形成凝结物的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及降低晶圆上形成凝结物的方法。
技术介绍
有些机台没有缓冲装置(buffer)，制程后的晶圆直接回到前开式晶圆传送(FOUP)盒和未制程的晶圆在一起，制程后的晶圆的反应副产物释放气体导致未制程的晶圆产生凝结物问题。凝结物与反应副产物以及空气中的水汽相关，在没有控制设备前端模块(EFEM)空气湿度的情况下，EFEM中的空气湿度为洁净室(FAB)内基准湿度(基准湿度>40％)，较高槽位(slot)的晶圆会产生严重的凝结物。因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种降低晶圆上形成凝结物的方法，用于解决现有技术中制程后的晶圆的反应副产物释放气体导致未制程的晶圆产生凝结物问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种降低晶圆上形成凝结物的方法，至少包括：步骤一、晶圆在真空腔中进行作业；步骤二、将作业后的晶圆从所述真空腔中传送至负载锁定腔中进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低晶圆上形成凝结物的方法，其特征在于，至少包括：/n步骤一、晶圆在真空腔中进行作业；/n步骤二、将作业后的晶圆从所述真空腔中传送至负载锁定腔中进行真空大气转换；/n步骤三、将所述晶圆从所述负载锁定腔传送至EFEM中，其中所述EFEM中设有温度湿度控制器；当晶圆进入所述EFEM中时，所述EFEM中的湿度为25％～30％；/n步骤四、将晶圆从所述EFEM中传送至与所述EFEM对接的晶圆传送盒中，所述晶圆传送盒中的湿度与步骤三中EFEM中的湿度相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低晶圆上形成凝结物的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、晶圆在真空腔中进行作业；
步骤二、将作业后的晶圆从所述真空腔中传送至负载锁定腔中进行真空大气转换；
步骤三、将所述晶圆从所述负载锁定腔传送至EFEM中，其中所述EFEM中设有温度湿度控制器；当晶圆进入所述EFEM中时，所述EFEM中的湿度为25％～30％；
步骤四、将晶圆从所述EFEM中传送至与所述EFEM对接的晶圆传送盒中，所述晶圆传送盒中的湿度与步骤三中EFEM中的湿度相同。


2.根据权利要求1所述的降低晶圆上形成凝结物的方法，其特征在于：步骤三中所述EFEM中的气压与步骤四中所述晶圆传送盒中的气压为大气...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧少敏，冯大贵，吴长明，曹春生，阚杰，石生宝，江扬帆，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32