单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，包括：用于固定晶圆的卡置装置；在卡置装置中形成有供应气道，在卡置装置的表面上形成有隆起环；晶圆固定在卡置装置上时，晶圆的第一面和卡置装置表面之间表面气道，隆起环环绕在晶圆的边缘周侧且隆起环和晶圆边缘之间形成边缘气道；背面气体通过供应气道流入到表面气道中形成气垫，背面气体从边缘气道流出到晶圆外；晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在湿法刻蚀中，边缘气道的背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从晶圆的边缘流到第一面。本发明专利技术能完全避免湿法刻蚀液从晶圆边缘流到非刻蚀面，从而能对晶圆的非刻蚀面形成很好的保护，从而能提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置。
技术介绍
晶圆清洗即湿法刻蚀如晶圆背面清洗是晶圆制造过程中一种重要工艺过程，广泛用于闪存(Flash)，功率(Power)器件等多种产品流程中。湿法刻蚀工艺能采用一批次(lot)的多片清洗实现，也能采用单片清洗实现。本专利技术涉及单片湿法刻蚀机台。如图1所示，是现有单片湿法刻蚀机台的卡置装置101的结构示意图；图2是图1的晶圆103边缘处的放大图；现有单片湿法刻蚀机台包括：用于固定晶圆103的卡置装置101；在所述卡置装置101中形成有连通到所述卡置装置101表面的供应气道102。所述晶圆103固定在所述卡置装置101上时，所述晶圆103的第一面103a和所述卡置装置101表面之间表面气道。背面气体106通过所述供应气道102流入到所述表面气道中形成气垫109。所述晶圆103的第二面103b为需要进行湿法刻蚀的表面。在所述卡置装置101上具有多个顶针10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于，包括：/n用于固定晶圆的卡置装置；/n在所述卡置装置中形成有连通到所述卡置装置表面的供应气道，在所述卡置装置的表面上形成有隆起环；/n所述晶圆固定在所述卡置装置上时，所述晶圆的第一面和所述卡置装置表面之间表面气道，所述隆起环环绕在所述晶圆的边缘周侧且所述隆起环和所述晶圆边缘之间形成边缘气道；/n背面气体通过所述供应气道流入到所述表面气道中形成气垫，所述背面气体从所述边缘气道流出到所述晶圆外；/n所述晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在所述湿法刻蚀中，所述边缘气道的所述背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从所述晶圆的边缘流到所述晶圆的第一面。/...

【技术特征摘要】
1.一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于，包括：
用于固定晶圆的卡置装置；
在所述卡置装置中形成有连通到所述卡置装置表面的供应气道，在所述卡置装置的表面上形成有隆起环；
所述晶圆固定在所述卡置装置上时，所述晶圆的第一面和所述卡置装置表面之间表面气道，所述隆起环环绕在所述晶圆的边缘周侧且所述隆起环和所述晶圆边缘之间形成边缘气道；
背面气体通过所述供应气道流入到所述表面气道中形成气垫，所述背面气体从所述边缘气道流出到所述晶圆外；
所述晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在所述湿法刻蚀中，所述边缘气道的所述背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从所述晶圆的边缘流到所述晶圆的第一面。


2.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：在所述卡置装置上具有多个顶针，所述晶圆的放置在所述顶针上。


3.如权利要求2所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：各所述顶针均匀分布在同一圆周上。


4.如权利要求3所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：所述顶针对应的圆周位于所述晶圆的边缘内侧。


5.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：在剖面结构上，所述供应气道呈Y字型分布。


6.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：所述晶圆的边缘包括顶部侧面和底部侧面，所述晶圆的顶部侧面和底部侧面都呈圆弧型结构。


7.如权利要求6所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘跃，刘宁，宋振伟，张守龙，金新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32