一种转移装置、显示背板、Micro LED器件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种转移装置、显示背板、Micro LED器件及其制造方法，转移装置包括转移基板、位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。本发明专利技术转移装置不需要重新加工，可以重复使用；在转移过程中不存在残胶风险，且转移装置受Micro LED器件的金属键合层和缓冲层的附着力的影响较小，转移成功率高。

【技术实现步骤摘要】
一种转移装置、显示背板、MicroLED器件及其制造方法
本专利技术涉及一种MicroLED的
，尤其涉及一种转移装置、显示背板、MicroLED器件及其制造方法。
技术介绍
随着显示行业的蓬勃发展，MicroLED作为新一代显示技术已经登上时代舞台，比现有的OLED以及LCD技术亮度更高、功耗更低、发光效率更好、寿命更长，但目前MicroLED依然存在很多待解决的难题，不论是制程技术、检查标准，或者是生产制造成本，都与量产和商业应用有着很大的距离。其中，在巨量转移工艺过程中就会面临各种各样的难题，包括转移的效率、转移的精度以及转移的成功率等，就转移效率以及转移成功率而言。图1和图2所示为现有MicroLED转移过程的示意图，转移装置包括吸头衬底10、位于吸头衬底10上的多个微型玻璃柱11以及位于每个微型玻璃柱11上的胶黏附性吸头12。在对MicroLED100进行转移至显示背板30的过程中，由于胶黏附性吸头12一次性只能转移一组固定间距的MicroLED100阵列，在LED转移至显示背板30上后MicroLED100顶部可能还残留胶残，并且胶黏附性吸头12不可以重复使用，需要重新加工后再上胶才可以使用，效率很低，另外，此类转移装置转移成功率受LED与暂态基板20上缓冲层21之间附着力的影响，若附着较紧密，转移成功率会较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种转移成功率高的转移装置、显示背板、MicroLED器件及其制造方法。本专利技术提供一种转移装置，其包括转移基板，还包括位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。本专利技术还提供一种MicroLED器件，其包括暂态基板以及位于暂态基板上的缓冲层，还包括位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构。本专利技术还提供一种显示背板，其包括显示基板，还包括位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道。本专利技术还提供一种MicroLED器件的转移方法，包括如下步骤：S1：分别制造转移装置、MicroLED器件和显示背板，其中转移装置包括转移基板、位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂；MicroLED器件包括暂态基板、位于暂态基板上的缓冲层、位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构；显示背板包括显示基板、位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道；S2：转移装置的转移勾臂插入MicroLED器件的第一沟道中；S3：提起转移勾臂使得MicroLED器件的缓冲层和MicroLED结构分离，MicroLED器件的金属键合层也同时与缓冲层分离；S4：转移勾臂将拾取的MicroLED结构和金属键合层放入显示基板的第二沟槽中，并使得金属键合层放置在对应的键合电极上；S5：移走转移装置；S6：加热键合金属键合层和对应的键合电极。本专利技术还提供一种MicroLED器件的制造方法，包括如下步骤：S11：首先在外延基板上沉积依序沉积外延层和第一金属层；接着沉积第一光阻并对第一光阻进行刻蚀形成阵列设置的第一光阻层；接着通过黄光和刻蚀工艺对金属层刻蚀形成位于第一光阻层下的牺牲金属层；接着沉积第二金属层并形成位于第一光阻层上的暂存金属键合层和位于外延层上的金属键合层；最后通过剥离工艺去除第一光阻层和位于第一光阻层上的暂存金属键合层，外延基板上剩余位于外延层101上且间隔排列的牺牲金属层和金属键合层；S12：首先，暂态基板的缓冲层与外延基板的牺牲金属层和金属键合层进行贴合；接着去除外延基板；接着沉积第二光阻并对第二光阻进行刻蚀并形成阵列设置的且位于牺牲金属层上的第二光阻层；接着通过黄光和刻蚀工艺形成图案化且阵列设置的MicroLED结构；最后利用牺牲金属层与金属键合层的刻蚀差异通过刻蚀技术去除图案化的牺牲金属层并形成MicroLED结构底部的金属键合层和位于金属键合层之间的第一沟道。本专利技术还提供一种转移装置的制造方法，包括如下步骤：S21：在转移基板上沉积一层第一转移勾臂金属层；S22：沉积第一光阻并对第一光阻进行图案化形成第一光阻层；S23：对转移勾臂金属层进行刻蚀形成位于第一光阻层下方的转移勾臂基座；S24：沉积金属层并形成位于第一光阻层上的第一牺牲金属层和位于转移基板上的第二牺牲金属层；S25：去除第一光阻层和位于第一光阻层上的第一牺牲金属层；S26：沉积第二转移勾臂金属层；S27：沉积第二光阻并对第二光阻进行图案化并形成位于转移勾臂基座上方的第二光阻层，第二光阻层的面积大于转移勾臂基座的面积；S28：对第二转移勾臂金属层进行刻蚀形成位于第二光阻层下方的转移勾臂；S29：刻蚀去除第二光阻层和第二牺牲金属层。本专利技术转移装置不需要重新加工，可以重复使用；在转移过程中不存在残胶风险，且转移装置受MicroLED器件的金属键合层和缓冲层的附着力的影响较小，转移成功率高。附图说明图1和图2所示为现有MicroLED转移过程的示意图；图3所示为本专利技术转移装置和MicroLED器件的结构示意图；图4为图3所示局部示意图；图5和图6所示为本专利技术显示背板的结构示意图；图7(a)至图7(g)所示本专利技术MicroLED器件转移过程的示意图；图8(a)至图9(f)所示为本专利技术MicroLED器件制造过程示意图；图10(a)至图10(i)所示为本专利技术转移装置制造过程示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。本专利技术揭示一种转移装置，如图3所示，其包括转移基板200、位于转移基板200上且阵列设置的转移勾臂基座203以及固定在转移勾臂基座203上且与转移基板200平行设置的转移勾臂207。本专利技术还揭示一种MicroLED器件，如图3和图4所示，其包括暂态基板107、位于暂态基板107上的缓冲层106、位于缓冲层106上的阵列设置的相对的两个金属键合层1052、位于缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移装置，其包括转移基板，其特征在于，还包括位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移装置，其包括转移基板，其特征在于，还包括位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。


2.一种MicroLED器件，其包括暂态基板以及位于暂态基板上的缓冲层，其特征在于，还包括位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构。


3.一种显示背板，其包括显示基板，其特征在于，还包括位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道。


4.一种MicroLED器件的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：分别制造转移装置、MicroLED器件和显示背板，其中转移装置包括转移基板、位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂；MicroLED器件包括暂态基板、位于暂态基板上的缓冲层、位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构；显示背板包括显示基板、位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道；
S2：转移装置的转移勾臂插入MicroLED器件的第一沟道中；
S3：提起转移勾臂使得MicroLED器件的缓冲层和MicroLED结构分离，MicroLED器件的金属键合层也同时与缓冲层分离；
S4：转移勾臂将拾取的MicroLED结构和金属键合层放入显示基板的第二沟槽中，并使得金属键合层放置在对应的键合电极上；
S5：移走转移装置；
S6：加热键合金属键合层和对应的键合电极。


5.根据权利要求4所述的MicroLED器件的转移方法，其特征在于，转移勾臂基座的高度大于MicroLED结构的高度和金属键合层的厚度之和；转移勾臂的厚度小于金属键合层的厚度，转移勾臂的长度大于金属键合层的直径。


6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，张惟诚，黄洪涛，徐尚君，高威，朱充沛，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32