一种转移装置、显示背板、Micro LED器件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种转移装置、显示背板、Micro LED器件及其制造方法，转移装置包括转移基板、位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。本发明专利技术转移装置不需要重新加工，可以重复使用；在转移过程中不存在残胶风险，且转移装置受Micro LED器件的金属键合层和缓冲层的附着力的影响较小，转移成功率高。

【技术实现步骤摘要】
一种转移装置、显示背板、MicroLED器件及其制造方法
本专利技术涉及一种MicroLED的
，尤其涉及一种转移装置、显示背板、MicroLED器件及其制造方法。
技术介绍
随着显示行业的蓬勃发展，MicroLED作为新一代显示技术已经登上时代舞台，比现有的OLED以及LCD技术亮度更高、功耗更低、发光效率更好、寿命更长，但目前MicroLED依然存在很多待解决的难题，不论是制程技术、检查标准，或者是生产制造成本，都与量产和商业应用有着很大的距离。其中，在巨量转移工艺过程中就会面临各种各样的难题，包括转移的效率、转移的精度以及转移的成功率等，就转移效率以及转移成功率而言。图1和图2所示为现有MicroLED转移过程的示意图，转移装置包括吸头衬底10、位于吸头衬底10上的多个微型玻璃柱11以及位于每个微型玻璃柱11上的胶黏附性吸头12。在对MicroLED100进行转移至显示背板30的过程中，由于胶黏附性吸头12一次性只能转移一组固定间距的MicroLED100阵列，在LED转移至显示背板30上后MicroLED100顶部可能还残本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移装置，其包括转移基板，其特征在于，还包括位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移装置，其包括转移基板，其特征在于，还包括位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂。


2.一种MicroLED器件，其包括暂态基板以及位于暂态基板上的缓冲层，其特征在于，还包括位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构。


3.一种显示背板，其包括显示基板，其特征在于，还包括位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道。


4.一种MicroLED器件的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：分别制造转移装置、MicroLED器件和显示背板，其中转移装置包括转移基板、位于转移基板上且阵列设置的转移勾臂基座以及固定在转移勾臂基座上且与转移基板平行设置的转移勾臂；MicroLED器件包括暂态基板、位于暂态基板上的缓冲层、位于缓冲层上且阵列设置的相对的两个金属键合层、位于缓冲层上且位于两个金属键合层之间的第一沟道以及位于第一沟道上方且位于相对两个金属键合层上方的MicroLED结构；显示背板包括显示基板、位于显示基板上且阵列设置的相对的两个键合电极以及位于相对的两个键合电极之间的第二沟道；
S2：转移装置的转移勾臂插入MicroLED器件的第一沟道中；
S3：提起转移勾臂使得MicroLED器件的缓冲层和MicroLED结构分离，MicroLED器件的金属键合层也同时与缓冲层分离；
S4：转移勾臂将拾取的MicroLED结构和金属键合层放入显示基板的第二沟槽中，并使得金属键合层放置在对应的键合电极上；
S5：移走转移装置；
S6：加热键合金属键合层和对应的键合电极。


5.根据权利要求4所述的MicroLED器件的转移方法，其特征在于，转移勾臂基座的高度大于MicroLED结构的高度和金属键合层的厚度之和；转移勾臂的厚度小于金属键合层的厚度，转移勾臂的长度大于金属键合层的直径。


6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，张惟诚，黄洪涛，徐尚君，高威，朱充沛，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32