半导体器件及其制备方法技术

该发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机械研磨时使用的研磨液对所述填充材料层的刻蚀速率低于预设值；在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及芯片生产领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
在制备存储器器件的过程中，通常会在底层衬底上形成一个用于标记位置的零层标记，用于作为后续形成在该底层衬底上形成的各种器件层的位置参考标准。所述零层标记由形成在底层衬底的标记槽和填充物构成，且所述标记槽内的填充物的光学参数已知，这样，可以通过光线的折射、反射等来确定一些器件层相对于所述底层衬底的对齐情况。目前，在形成存储器器件的过程中，经常会发生零层标记的毁损，这直接影响了器件层与零层标记对齐时的成功率，最终也会影响到存储器器件的制备良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，能够降低零层标记在形成存储器器件的过程中发生毁损的几率，从而间接提升所述存储器器件的制备良率。为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导体器件的制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底；/n在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；/n在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记；/n在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；/n在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；
在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记；
在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；
在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述堆叠结构包括从所述衬底上表面向上依次设置的第一氧化物层和第一氮化物层。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层时，采用硅热氧化工艺形成所述第一氧化物层。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述标记槽具有倒梯形轮廓，并深入至所述衬底表面至少一预设深度。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述隔离槽内填充氧化物。


6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述堆叠结构表面挖设隔离槽后，还包括以下步骤：
对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨，使所述堆叠结构上表面平整。


7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述堆叠结构上表面进行化学机械研磨前，还包括以下步骤：
在所述堆叠结构上表面形成缓冲结构，用于供化学机械研磨时的找平。


8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲结构包括：
第二氧化物层，形成于所述堆叠结构上表面。


9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充材料层包括氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42